Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Знято з плати. Перевірено інженером: тестер на пробій та обрив виводів.
Транзистор FGH60N60SMD оригінал демонтаж б/в, TO247
235,00 ₴
10 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
10 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
FGH60N60SMD – IGBT-транзистор onsemi (Field Stop, з антипаралельним діодом), TO-247-3LD. Оригінал, демонтаж б/в – знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм Ic (TC = 25 °C) | 120 А |
| Струм Ic (TC = 100 °C) | 60 А |
| Імпульсний струм Icm | 180 А |
| Vce(sat) (IC = 60 А, VGE = 15 В, TC = 25 °C) | 1.9 В (тип.), 2.5 В (макс.) |
| Потужність Pd (TC = 25 °C) | 600 Вт |
| Вхідна ємність Cies | 2915 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Tj max | 175 °C |
| Вбудований діод | є (антипаралельний) |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
FGH60N60SMD – IGBT-транзистор onsemi типу Field Stop з вбудованим антипаралельним діодом у корпусі TO-247-3LD. Напруга колектор-емітер Vces – 600 В (VGE = 0 В, IC = 250 мкА, мінімум). Струм колектора Ic – 120 А при TC = 25 °C і 60 А при TC = 100 °C. Напруга насичення Vce(sat) – 1.9 В (тип.) при IC = 60 А, VGE = 15 В, TC = 25 °C. Вхідна ємність Cies типово 2915 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц). Потужність розсіювання Pd – 600 Вт при TC = 25 °C, максимальна температура переходу Tj – 175 °C. Діод: Vfm 2.1 В (тип.) при IF = 30 А, trr 30 нс (тип.) при IF = 30 А, diF/dt = 200 А/мкс.
Оригінал, демонтаж б/в – деталь знята з плати; інженер перевіряє її тестером на пробій та обрив виводів. Для заміни звіряйте з datasheet Vces, Ic при TC = 100 °C, Vce(sat), наявність діода та корпус з тією самою розпіновкою. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Сонячні інвертори
- ДБЖ (UPS)
- Зварювальні апарати
- Корекція коефіцієнта потужності (PFC)
- Телеком
- Системи накопичення енергії (ESS)
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, демонтаж б/в – знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів.
Чи є в FGH60N60SMD вбудований діод?
Так, антипаралельний діод: IF 60 А при TC = 25 °C, 30 А при TC = 100 °C.
Чим замінити FGH60N60SMD?
Підбирайте IGBT у корпусі TO-247 з тією самою розпіновкою, з Vces не нижче 600 В і Ic при TC = 100 °C, близьким до 60 А. Порівнюйте Vce(sat) і наявність діода за datasheet.
Який заряд затвора у FGH60N60SMD?
Qg – 189 нКл (тип.), 284 нКл (макс.) при VCE = 400 В, IC = 60 А, VGE = 15 В. Це важливо для вибору драйвера.
Документація виробника: FGH60N60SMD/D, Rev. 4.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
IGBT-транзистор 50T65FD1 оригінал ( SGT50T65FD1 , SGT50T65FD1PN )(Заміна для TGAN50N60SFD , 50N60SFD ) , TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 100 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 50 А |
| Імпульсний струм колектора Icm | 150 А |
| Розсіювана потужність Pd (25 °C) | 235 Вт |
| Напруга насичення Vce(sat) | 2.2 В тип. (Ic=50 А, Vge=15 В, Tc=25 °C) |
| Корпус | TO-3P |
| Вбудований діод | Vf 1.95 В (If=25 А), trr 33 нс |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор GP19NC60KD ( STGP19NC60KD ) оригінал , TO220(Заміна для IGP15T60F )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vces | 600 В (VGE = 0 В) |
| Струм Ic (100 °C) | 20 А |
| Струм Ic (25 °C) | 35 А (розрахунок за формулою виробника) |
| Імпульсний струм Icp | 75 А |
| Vce(sat) | 2,0 В typ, 2,75 В max (VGE = 15 В, Ic = 12 А, TC = 25 °C) |
| Потужність Ptot | 125 Вт (TC = 25 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 1170 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор JT050N065WED ( 050N065WED ) оригінал, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Jilin Sino-Microelectronics (JSMC) |
| Тип | IGBT Trench FS з діодом |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга Vces | 650 В (IC = 250 мкА, VGE = 0 В) |
| Струм Ic (25 °C) | 100 А |
| Струм Ic (100 °C) | 50 А |
| Vce(sat) | 1,6 В тип., 2,2 В макс. (VGE = 15 В, IC = 50 А, Tc = 25 °C) |
| Vge(th) | 4,5 В мін., 6,5 В макс. (VCE = VGE, IC = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 121 нКл (VCC = 520 В, IC = 50 А, VGE = 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 3435 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 437 Вт (Tc = 25 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Діод | є, антипаралельний |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.