Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FGA40N65SMD оригінал, TO-3P ( заміна для FGH40N65UFD , MP40N65BU , MP40N65BH )
216,20 ₴
13 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
13 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
FGA40N65SMD – IGBT Field Stop виробництва onsemi на 650 В і 40 А при Tc 100 °C, корпус TO-3P, оригінал.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-3P |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм Ic (Tc 25 °C) | 80 А |
| Струм Ic (Tc 100 °C) | 40 А |
| Імпульсний струм Icm | 120 А |
| Vce(sat) (Ic 40 А, Vge 15 В, Tc 25 °C) | 1,9 В (тип.), 2,5 В (макс.) |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 349 Вт |
| Вхідна ємність Cies | 1880 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Вбудований діод | є (антипаралельний) |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
FGA40N65SMD – IGBT Field Stop з антипаралельним діодом у корпусі TO-3P-3LD (CASE 340BZ). Виробник за datasheet – onsemi. Напруга колектор-емітер Vces – 650 В. Струм колектора Ic – 80 А при Tc 25 °C і 40 А при Tc 100 °C, імпульсний Icm – 120 А. Напруга насичення Vce(sat) – 1,9 В (тип.), 2,5 В (макс.) при Ic 40 А, Vge 15 В, Tc 25 °C. Вхідна ємність Cies типово 1880 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц). Потужність розсіювання Pd – 349 Вт при Tc 25 °C і 174 Вт при Tc 100 °C, максимальна температура переходу Tj – 175 °C. Стан – оригінал.
Заряд затвора Qg – 119 нКл (тип.) при Vce 400 В, Ic 40 А, Vge 15 В, тож драйвер має віддавати достатній струм на затвор. Втрати вимкнення Eoff – 0,26 мДж (тип.) при Vcc 400 В, Ic 40 А, Rg 6 Ом, Vge 15 В, Tc 25 °C. FGA40N65SMD може замінити FGH40N65UFD, MP40N65BU, MP40N65BH; зворотна заміна не завжди можлива, взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet. Відправка з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Сонячні інвертори, ДБЖ (UPS), зварювальні апарати, індукційний нагрів
- Телеком, ESS, PFC (за datasheet, General Description)
Чим замінити FGA40N65SMD?
Шукайте IGBT в корпусі TO-3P з тією ж розпіновкою. Vces має бути не нижчою за 650 В, а струм – не нижчим за оригінал, тому порівнюйте datasheet.
Чи може FGA40N65SMD замінити FGH40N65UFD, MP40N65BU, MP40N65BH?
Так, ці номери вказані в назві товару як такі, які може замінити FGA40N65SMD. Зворотна заміна не завжди можлива; взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чи є в FGA40N65SMD вбудований діод?
Так, є антипаралельний діод. Його пряма напруга Vfm – 2,1 В (тип.) при If 20 А, Tc 25 °C.
Документація виробника: FGA40N65SMD/D, Rev. 3.
Другого джерела й статусу виробництва немає; параметри взято з datasheet onsemi FGA40N65SMD/D, Rev. 3.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
IGBT-транзистор AOK60B60D1 ( K60B60D1 ) оригінал демонтаж б/в, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Alpha and Omega Semiconductor (AOS) |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм колектора Ic (Product Summary) | 60 А |
| Vce(sat) typ | 1.85 В при Ic=60 А |
| Vge(th) typ | 5.4 В при VCE=5 В, Ic=1 мА |
| Заряд затвора Qg | 75 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 3288 пФ |
| Час спаду tf | 16 нс |
| Стійкість до КЗ tsc | 10 мкс |
| Тепловий опір перехід-корпус | 0.3 °C/Вт |
| Діапазон Tj, Tstg | -55…150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор JT050N065WED ( 050N065WED ) оригінал, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Jilin Sino-Microelectronics (JSMC) |
| Тип | IGBT Trench FS з діодом |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга Vces | 650 В (IC = 250 мкА, VGE = 0 В) |
| Струм Ic (25 °C) | 100 А |
| Струм Ic (100 °C) | 50 А |
| Vce(sat) | 1,6 В тип., 2,2 В макс. (VGE = 15 В, IC = 50 А, Tc = 25 °C) |
| Vge(th) | 4,5 В мін., 6,5 В макс. (VCE = VGE, IC = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 121 нКл (VCC = 520 В, IC = 50 А, VGE = 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 3435 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 437 Вт (Tc = 25 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Діод | є, антипаралельний |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор KGF75N65KDF ( 75N65KDF ) оригінал, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 100 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 75 А |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1,77 В тип. / 2,2 В макс. (Ic 75 А, Vge 15 В, Tc 25 °C) |
| Розсіювана потужність Pd | 484 Вт (Tc 25 °C) |
| Максимальна температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Вбудований діод | так (co-pack) |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.