Транзистори
IGBT-транзистор RJH30E2 оригінал , TO220F
В наявності
216,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Renesas |
| Напруга Vces | 360 В |
| Напруга затвор–емітер Vges | ±30 В |
| Струм колектора Ic | 30 А (температура в документі не вказана) |
| Імпульсний струм колектора | 200 А |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1.5 В (типове значення, умови в документі не вказані) |
| Час спаду tf | 150 нс (типове значення) |
| Вбудований діод | Є, швидкий (fast recovery) |
| Пряма напруга діода Vf | 1.4 В (типове значення) |
| Час зворотного відновлення діода trr | 23 нс (типове значення) |
| Потужність розсіювання Pc | 20 Вт |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
IGBT-транзистор RJH60F5 оригінал демонтаж б/в, TO247
В наявності
164,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга колектор–емітер Vces (Tc 25 °C) | 600 В |
| Струм колектора Ic (Tc 25 °C) | 80 А |
| Струм колектора Ic (Tc 100 °C) | 40 А |
| Імпульсний струм Ic(peak) | 160 А |
| Vce(sat) (Ic 40 А, Vge 15 В, Tj 25 °C) | 1.37 В (тип.), 1.8 В (макс.) |
| Vge(off) (Vce 10 В, Ic 1 мА) | 4–8 В |
| Час спаду tf | 68 нс |
| Вбудований швидкий діод | є, trr 25 нс (If 30 А) |
| Потужність розсіювання (Tc 25 °C) | 260.4 Вт |
| Вхідна ємність Cies | 2780 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | Renesas |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
IGBT-транзистор RJH60F7 оригінал демонтаж б/в, TO-3P
В наявності
188,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | IGBT з вбудованим швидким діодом |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм Ic при 25 °C | 90 А |
| Струм Ic при 100 °C | 50 А |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1,75 В (макс.) при IC = 50 А |
| Розсіювана потужність Pc | 328,9 Вт (TC = 25 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 4890 пФ (тип.) |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
IGBT-транзистор RJH60F7 оригінал демонтаж б/в, TO247
В наявності
188,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Renesas |
| Напруга Vces | 600 В (Tc 25 °C) |
| Струм Ic | 90 А (Tc 25 °C), 50 А (Tc 100 °C) |
| Vce(sat) | 1,35 В тип. (Ic 50 А, Vge 15 В, Tj 25 °C) |
| Час спаду tf | 74 нс тип. (Ic 30 А, Vce 400 В, Vge 15 В, Rg 5 Ом) |
| Потужність Pc | 328,9 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 4700 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Вбудований діод | є, швидкий |
| Корпус | TO-247A |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор RJH65T14 оригінал, TO247
В наявності
282,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Renesas |
| Корпус | TO-247A |
| Напруга Vces | 650 В |
| Напруга Vges | 30 В (максимум) |
| Струм Ic | 100 А при Tc = 25 °C; 50 А при Tc = 100 °C |
| Імпульсний струм | 180 А (обмежений областю безпечної роботи) |
| Vce(sat) | 1,45 В (тип.), 1,75 В (макс.) при Ic = 50 А, Vge = 15 В, Tc = 25 °C |
| Vge(off) | 4–7 В при Vce = 10 В, Ic = 1 мА, Tc = 25 °C |
| Потужність Pc | 250 Вт |
| Температура переходу | 175 °C |
| Вбудований діод | так, швидкий (fast recovery) |
| Струм діода Idf | 40 А при Tc = 25 °C; 20 А при Tc = 100 °C |
| Vecf діода | 1,2 В (тип.), 1,6 В (макс.) при If = 20 А |
| trr діода | 250 нс при If = 20 А, dIf/dt = 300 А/мкс |
| Заряд затвора Qg | 80 нК при Vge = 15 В, Vce = 300 В, Ic = 50 А |
| Вхідна ємність Cies | 1750 пФ при Vce = 25 В, Vge = 0, f = 1 МГц |
| Eoff | 1,2 мДж (25 °C), 1,45 мДж (150 °C) при Vcc = 400 В, Vge = 15 В, Ic = 50 А, Rg = 10 Ом |
| Тепловий опір перехід-корпус | 0,6 °C/Вт |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор RJP3047 оригінал , TO-3P
В наявності
164,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-3P |
| Тип | IGBT-транзистор |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор RJP30E2 , TO220F оригінал
В наявності
188,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Renesas |
| Напруга Vces | 360 В (Ta 25 °C) |
| Струм Ic | 35 А |
| Vce(sat) тип. | 1,7 В (Ic 35 А, Vge 15 В, Ta 25 °C) |
| Vge(off) | 2,5–5 В (Vce 10 В, Ic 1 мА) |
| Заряд Qg тип. | 34 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 1160 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Час спаду tf тип. | 150 нс |
| Потужність | 25 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220FL, ізольований |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
IGBT-транзистор RJP30E2 оригинал демонтаж б/в, TO-3P
В наявності
127,84 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Renesas |
| Корпус | TO-3P |
| Напруга Vces | 360 В (Ta 25 °C) |
| Струм колектора Ic | 35 А (Ta 25 °C) |
| Імпульсний струм Ic(peak) | 200 А (PW ≤ 10 мкс, шпаруватість ≤ 1 %) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1.7 В тип., 2.2 В макс. (Ic 35 А, Vge 15 В) |
| Порогова напруга Vge(off) | 2.5 В мін., 5 В макс. (Vce 10 В, Ic 1 мА) |
| Заряд затвора Qg | 34 нКл (Vge 15 В, Vce 150 В, Ic 35 А) |
| Вхідна ємність Cies | 1160 пФ (Vce 25 В, Vge 0, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор RJP30E4 , D2PAK
В наявності
127,84 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | IGBT-транзистор |
| Напруга Vces | 360 В |
| Напруга насичення Vce(sat), тип. | 1,6 В |
| Вбудований діод | немає |
| Корпус | D2PAK |
Демонтаж
IGBT-транзистор RJP30E4 оригінал демонтаж б/в, D2PAK
В наявності
188,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | D2PAK |
| Тип | IGBT-транзистор |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор RJP30H1 , D-PAK оригінал
В наявності
216,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Renesas |
| Серія | G6H-II |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Напруга колектор-емітер Vces | 360 В |
| Струм колектора Ic | 30 А |
| Піковий струм колектора | 200 А (PW ≤ 10 мкс, шпаруватість ≤ 1 %) |
| Потужність розсіювання Pc | 40 Вт (Tc = 25 °C) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1.5 В тип., 2 В макс. (Ic = 30 А, VGE = 15 В) |
| Заряд затвора Qg | 23 нКл тип. (VGE = 15 В, VCE = 150 В, Ic = 30 А) |
| Вхідна ємність Cies | 740 пФ тип. (VCE = 25 В, VGE = 0, f = 1 МГц) |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
IGBT-транзистор RJP30H1 оригінал демонтаж б/в, TO220F
В наявності
136,30 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Renesas |
| Тип | IGBT без зворотного діода |
| Напруга Vces | 360 В |
| Струм колектора Ic | 30 А при Ta 25 °C |
| Імпульсний струм Ic(peak) | 200 А (PW до 10 мкс, шпаруватість до 1 %) |
| Vce(sat) | 1.5 В типово, 2 В макс. при Ic 30 А, Vge 15 В, Tj 25 °C |
| Vge(off) | 2.5–5 В при Vce 10 В, Ic 1 мА |
| Заряд затвора Qg | 23 нКл при Vge 15 В, Vce 150 В, Ic 30 А |
| Вхідна ємність Cies | 740 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Час спаду tf | 150 нс |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор RJP30H2A , D2PAK
В наявності
30,55 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Renesas |
| Тип | IGBT без зворотного діода |
| Напруга Vces | 360 В |
| Струм колектора Ic | 35 А при Ta 25 °C |
| Імпульсний струм Ic(peak) | 250 А (PW до 10 мкс, шпаруватість до 1 %) |
| Vce(sat) | 1.4 В типово, 1.9 В макс. при Ic 35 А, Vge 15 В, Tj 25 °C |
| Vge(off) | 2.5–5 В при Vce 10 В, Ic 1 мА |
| Заряд затвора Qg | 37 нКл при Vge 15 В, Vce 150 В, Ic 35 А |
| Вхідна ємність Cies | 1200 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Час спаду tf | 180 нс |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | D2PAK |
Демонтаж
IGBT-транзистор RJP30H2A оригінал демонтаж б/в, D2PAK
В наявності
188,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Renesas |
| Напруга Vces | 360 В (Ta 25 °C) |
| Напруга Vges | ±30 В |
| Струм Ic | 35 А (Ta 25 °C) |
| Імпульсний струм Ic(peak) | 250 А (PW ≤ 10 мкс, шпаруватість ≤ 1 %) |
| Потужність Pc | 60 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Vce(sat) | 1,4 В тип., 1,9 В макс. (Ic 35 А, Vge 15 В) |
| Заряд затвора Qg | 37 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 1200 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Корпус | D2PAK |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
IGBT-транзистор RJP30K3 оригінал демонтаж б/в, TO220F
В наявності
141,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Renesas |
| Тип | N-канальний IGBT |
| Серія | G6H-II, trench gate |
| Напруга Vces | 360 В |
| Струм колектора Ic | 40 А (Ta 25 °C) |
| Розсіювана потужність Pc | 30 Вт (Tc 25 °C) |
| Vce(sat) | 1.1 В тип., 1.6 В макс. (Ic 40 А, Vge 15 В) |
| Заряд затвора Qg | 49 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 1700 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор RJP63F3 оригінал , TO220F
В наявності
178,60 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Renesas |
| Тип | IGBT без зворотного діода |
| Напруга Vces | 630 В |
| Струм колектора Ic | 40 А при Ta 25 °C |
| Імпульсний струм Ic(peak) | 200 А (PW до 10 мкс, шпаруватість до 1 %) |
| Vce(sat) | 1.7 В типово, 2.2 В макс. при Ic 40 А, Vge 15 В, Tj 25 °C |
| Vge(off) | 2.5–5 В при Vce 10 В, Ic 1 мА |
| Заряд затвора Qg | 36 нКл при Vge 15 В, Vce 300 В, Ic 40 А |
| Вхідна ємність Cies | 1250 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Час спаду tf | 100 нс |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор RJP63K2 оригінал , D2PAK
В наявності
211,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Renesas |
| Корпус | D2PAK |
| Напруга Vces | 630 В (Ta 25 °C) |
| Напруга Vges | ±30 В (Ta 25 °C) |
| Струм колектора Ic | 35 А (Ta 25 °C) |
| Імпульсний струм Ic(peak) | 200 А (PW ≤ 10 мкс, шпаруватість ≤ 1 %) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1,9 В тип., 2,4 В макс. (Ic 35 А, Vge 15 В, Ta 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 20 нКл (Vge 15 В, Vce 300 В, Ic 35 А) |
| Вхідна ємність Cies | 620 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
IGBT-транзистор SGB10N60 ( G10N60 )(заміна для G10N60A , SGB10N60A ) оригінал демонтаж б/в, D2PAK
В наявності
108,10 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга колектор–емітер Vces | 600 В |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 20 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 10,6 А |
| Імпульсний струм колектора | 40 А |
| Напруга насичення Vce(sat) | 2,0 В (тип.), 2,4 В (макс.) при VGE = 15 В, IC = 10 А, Tj 25 °C |
| Заряд затвора Qg | 52 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Cies | 550 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Розсіювана потужність | 92 Вт при TC = 25 °C |
| Корпус | D2PAK |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
IGBT-транзистор SGB10N60A ( G10N60A ) оригінал демонтаж б/в, D2PAK
В наявності
150,40 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vce | 600 В |
| Струм Ic (Tc 25 °C) | 20 А |
| Струм Ic (Tc 100 °C) | 10.6 А |
| Vce(sat) typ (Ic 10 А, Vge 15 В, Tj 25 °C) | 2.0 В |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 92 Вт |
| Вхідна ємність Cies | 550 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура Tj | 150 °C |
| Корпус | D2PAK |
| Виробник | Infineon |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
IGBT-транзистор SGB15N60HS ( G15N60HS ) оригінал демонтаж б/в, D2PAK
В наявності
141,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга колектор–емітер Vces | 600 В |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 27 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 15 А |
| Імпульсний струм колектора | 60 А |
| Напруга насичення Vce(sat) | 2,8 В (тип.), 3,15 В (макс.) при VGE = 15 В, IC = 15 А, Tj 25 °C |
| Заряд затвора Qg | 80 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 810 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Розсіювана потужність | 138 Вт при TC = 25 °C |
| Корпус | D2PAK |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор STGB10NB37LZ оригінал , D2PAK ( GB10NB37LZ )
В наявності
352,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Напруга обмеження Vces(clamped) | 410 В тип. (Ic 2 мА) |
| Струм Ic при 25 °C | 20 А |
| Струм Ic при 100 °C | 10 А |
| Vce(sat) | 1,2 В тип. (Vge 4,5 В, Ic 10 А, Tj 25 °C) |
| Потужність Pd | 125 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 1300 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Вбудований діод | немає |
| Корпус | D2PAK |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор STGB10NC60KDSF ( GB10NC60KDSF , STGB10NC60KD , GB10NC60KD , STGB10NC60KDT4 ) оригінал , D2PAK(Заміна для STGB10NC60HD , GB10NC60HD )
В наявності
160,27 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Напруга Vces | 600 В (VGE = 0 В) |
| Струм Ic | 20 А (Tc 25 °C), 10 А (Tc 100 °C) |
| Vce(sat) тип. | 2,2 В (VGE 15 В, Ic 5 А, Tc 25 °C) |
| Vge(th) | 4,5–6,5 В |
| Діод | антипаралельний, м’який ультрашвидкий, trr 22 нс |
| Час спаду tf тип. | 33 нс (Tc 25 °C) |
| Eoff тип. | 55 мкДж (Tc 25 °C) |
| Потужність | 65 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 380 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Tj | -55…150 °C |
| Корпус | D2PAK |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
IGBT-транзистор STGB19NC60KD ( GB19NC60KD , STGB19NC60KDT4 ) оригінал демонтаж б/в, D2PAK(Заміна для STGB19NC60HD , GB19NC60HD )
В наявності
216,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга колектор–емітер Vces | 600 В (Vge 0 В) |
| Струм колектора Ic | 35 А (Tc 25 °C) |
| Струм колектора Ic при Tc 100 °C | 20 А |
| Напруга насичення Vce(sat) | 2.0 В (typ., Vge 15 В, Ic 12 А, Tc 25 °C) |
| Порогова напруга затвора Vge(th) | 4.5–6.5 В (Ic 250 мкА, Vce = Vge) |
| Заряд затвора Qg | 55 нКл (Vcc 480 В, Ic 12 А, Vge 0–15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 1170 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Час спаду tf | 85 нс (typ., Vcc 480 В, Ic 12 А, Rg 10 Ом, Vge 15 В, Tc 25 °C) |
| Вбудований діод | є, швидкий (ultrafast) |
| Потужність Ptot | 125 Вт (Tc 25 °C) |
| Корпус | D2PAK |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор STGB19NC60KD GB19NC60KD STGB19NC60KDT4 оригінал , D2PAK(Заміна для STGB19NC60HD , GB19NC60HD )
В наявності
282,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Напруга VCES | 600 В |
| Струм IC при 25 °C | 35 А |
| Струм IC при 100 °C | 20 А |
| VCE(sat) | 2.0 В (VGE 15 В, IC 12 А, TC 25 °C) |
| Потужність Ptot | 125 Вт (TC 25 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 1170 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Вбудований діод | є |
| Корпус | D2PAK |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
IGBT-транзистор TGAN30N135FD1 ( 30N135FD1 ) оригінал демонтаж б/в, TO-3P(1350V,30A)
В наявності
164,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | TRinno |
| Напруга Vces | 1350 В (VGE = 0 В, IC = 1 мА) |
| Напруга Vges | ±20 В |
| Струм Ic | 60 А при TC = 25 °C; 30 А при TC = 100 °C |
| Імпульсний струм Icm | 90 А |
| Vce(sat) | 1.9 В тип. (VGE = 15 В, IC = 30 А, TC = 25 °C) |
| Pd | 329 Вт при TC = 25 °C |
| Вхідна ємність Cies | 3570 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Tj max | 150 °C |
| Вбудований діод | є |
| Корпус | TO-3P |
| Корпус (докладно) | TO-3P(N) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
IGBT-транзистор TGAN40N120FDR ( 40N120FDR , TGAN40N120F2DW , TGAN40N120F2DW ) оригінал демонтаж б/в, TO-3P(1200V,40A)
В наявності
164,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 1200 В |
| Струм Ic при Tc 25 °C | 80 А |
| Струм Ic при Tc 100 °C | 40 А |
| Імпульсний струм Icm | 120 А |
| Vce(sat) при Ic 40 А, Vge 15 В, Tc 25 °C | 2.0 В (макс. 2.5 В) |
| Потужність Pd при Tc 25 °C | 500 Вт |
| Заряд затвора Qg | 320 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 5260 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Вбудований діод | так, If 40 А |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Корпус (докладно) | TO-3P(N) |
| Виробник | TRinno |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор TGD30N40P , D-PAK
В наявності
61,10 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | TRinno |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Напруга Vces | 400 В |
| Напруга Vges | ±30 В |
| Струм колектора Ic | 60 А (Tc 25 °C), 30 А (Tc 100 °C) |
| Імпульсний струм Icm | 300 А (PW ≤ 10 мкс, шпаруватість ≤ 1 %) |
| Потужність розсіювання Pd | 56,8 Вт (Tc 25 °C) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1,4 В тип., 2,0 В макс. (Ic 30 А, Vge 15 В, Tj 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 26 нКл (Vcc 150 В, Ic 30 А, Vge 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 845 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
IGBT-транзистор V3040D ( ISL9V3040D3S , ISL9V3040D3ST ) оригінал, DPAK
В наявності
123,14 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi (раніше Fairchild) |
| Тип | IGBT запалювання EcoSpark, N-канал, логічний рівень |
| Напруга BVcer | 370 (мін.), 400 (тип.), 430 (макс.) В при Ic 2 мА, Vge 0 В, Rg 1 кОм |
| Струм колектора Ic | 21 А при Tc 25 °C; 17 А при Tc 110 °C |
| Vce(sat) | 1,25 В (тип.) при Ic 6 А, Vge 4 В, Tc 25 °C |
| Енергія SCIS | 300 мДж при старті Tj 25 °C, Iscis 14,2 А, L 3,0 мГн |
| Заряд затвора Qg | 17 нКл при Ic 10 А, Vce 12 В, Vge 5 В |
| Розсіювана потужність Pd | 150 Вт при Tc 25 °C |
| Напруга Vge | ±10 В (постійна) |
| Тепловий опір перехід-корпус | 1,0 °C/Вт |
| Діапазон Tj | -40…175 °C |
| Сертифікація | AEC-Q101, PPAP, без свинцю |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор V3040S ( ISL9V3040S3S , ISL9V3040S3ST ) оригінал, D2PAK
В наявності
266,96 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | IGBT N-канал, запалювання (EcoSPARK) |
| Виробник | onsemi (Fairchild) |
| BVces типово | 420 В |
| Ic при 25 °C | 21 А |
| Ic при 110 °C | 17 А |
| Vce(sat) типово | 1.25 В (Ic 6 А, Vge 4 В, Tc 25 °C) |
| SCIS | 300 мДж |
| Pd | 150 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | D2PAK |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор XNF20N60T оригінал, TO220F
В наявності
107,16 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Xiner |
| Напруга Vces | 600 В |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1.7 В тип. |
| Порогова напруга Vge(th) | 5.2 В тип. / 6.5 В макс. |
| Пряма напруга діода VF | 1.8 В тип. / 2.3 В макс. |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор XNS15N120T оригінал, TO247
В наявності
188,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Xiner (Shenzhen Invsemi) |
| Напруга Vces | 1200 В |
| Струм Ic | 15 А |
| Vce(sat) | 2.1 В (макс. 2.5 В) при Vge 15 В, Ic 15 А |
| Vge(th) | 5.8 В (4.0–6.5 В) при Vge = Vce, Ic 0.4 мА |
| Вбудований діод | є, Vf 2.1 В (макс. 2.6 В) при Ic 15 А |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор YGF20N65T2 оригінал , TO220F
В наявності
122,67 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 650 В (Tj 25 °C) |
| Номінальний струм Ic | 20 А |
| Vce(sat) | 1.65 В тип., 2.05 В макс. (Ic 20 А, Vge 15 В, Tj 25 °C) |
| Vge(th) | 4.4–6.4 В (Ic 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 45 нКл тип. |
| Вхідна ємність Cies | 1050 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd (TO-220F) | 30.6 Вт (Tj 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Діод | є, Vf 1.9 В тип. (If 20 А, Tj 25 °C) |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор YGP20N65T2 оригінал, TO220
В наявності
122,67 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Luxin Semiconductor (LU SEMI) |
| Тип | IGBT Trench Field Stop з діодом |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vces | 650 В (VGE = 0 В, IC = 1 мА) |
| Струм Ic (25 °C) | 40 А |
| Струм Ic (100 °C) | 20 А |
| Vce(sat) | 1,65 В тип., 2,05 В макс. (VGE = 15 В, IC = 20 А, Tj = 25 °C) |
| Vge(th) | 4,4 / 5,4 / 6,4 В (мін. / тип. / макс.; VGE = VCE, IC = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 45 нКл (VCC = 520 В, IC = 20 А, VGE = 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 1050 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 125 Вт (Tj = 25 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Діод | є, антипаралельний |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор YGW15N120F1 оригінал, TO247
В наявності
345,92 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vce | 1200 В |
| Струм Ic при 25 °C | 30 А |
| Струм Ic при 100 °C | 15 А |
| Vce(sat) типово | 1.9 В (Vge 15 В, Ic 15 А, Tj 25 °C) |
| Вбудований діод | є, антипаралельний |
| Розсіювана потужність | 260 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 1520 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор YGW40N65F1 оригінал, TO247
В наявності
164,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 80 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 40 А |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1,80 В тип. / 2,40 В макс. |
| Заряд затвора Qg | 90 нКл |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | Lu-Semi |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор YGW50N65F1 оригінал, TO247
В наявності
169,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vce | 650 В |
| Струм Ic при 25 °C | 100 А |
| Струм Ic при 100 °C | 50 А |
| Vce(sat) типово | 1.80 В (Vge 15 В, Ic 50 А, Tj 25 °C) |
| Вбудований діод | є, антипаралельний |
| Розсіювана потужність | 312 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 2800 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор YGW60N65F1 оригінал, TO247
В наявності
117,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 120 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 60 А |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1,85 В тип. / 2,2 В макс. |
| Заряд затвора Qg | 158 нКл |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | Lu-Semi |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор YGW60N65T1 оригінал, TO247
В наявності
267,90 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vce | 650 В (Tj 25 °C) |
| Струм Ic | 60 А (Tc 100 °C) |
| Струм Ic (25 °C) | 120 А (Tc 25 °C) |
| Vce(sat) | 1,85 В тип. (Ic 60 А, Vge 15 В, Tj 25 °C) |
| Ptot | 312 Вт (Tj 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Qg | 158 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 3800 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Вбудований діод | є |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | Luxin-Semi |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор YGW75N65HP оригінал , TO247(заміна для YGW75N65F1 , YGW75N65T1 , 75N65FL2 , NGTB75N65FL2WG )
В наявності
249,10 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Номер | YGW75N65HP |
| Виробник | Luxin Semiconductor (LU SEMI) |
| Тип | IGBT-транзистор Trench Field Stop з діодом |
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм Ic (25 °C) | 150 А |
| Струм Ic (100 °C) | 75 А |
| Vce(sat) | 1,65 В тип. (VGE = 15 В, IC = 75 А, Tj = 25 °C) |
| Потужність Pd (25 °C) | 375 Вт |
| Вхідна ємність Cies | 4700 пФ (Vce 25 В, f 100 кГц) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
NCEP026N10 оригінальний транзистор, TO220
В наявності
131,60 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | NCE |
| Напруга Vds | 100 В (VGS = 0, ID = 250 мкА) |
| Струм Id (25 °C) | 200 А |
| Струм Id (100 °C) | 142 А |
| Rds(on) | 2.4 мОм типово (VGS = 10 В, ID = 100 А), макс. 2,6 мОм |
| Заряд затвора Qg | 240 нКл типово |
| Вхідна ємність Ciss | 17500 пФ (Vds 50 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3.0 В типово |
| trr діода | 101 нс типово |
| Потужність Pd | 300 Вт (TC = 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |