Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.

ПараметрЗначення
КорпусD2PAK
СтанОригінал

IGBT-транзистор STGB10NB37LZ оригінал , D2PAK ( GB10NB37LZ )

352,50 ₴

2 в наявності

Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня

Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

2 в наявності

Нова Пошта по всій Україні

Відправка в день оплати або наступного дня

Оплата

На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем

Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.

Категорія:

STGB10NB37LZ (GB10NB37LZ) – IGBT-транзистор STMicroelectronics із внутрішнім обмеженням напруги для автомобільного запалювання. Оригінал.

ПараметрЗначення
КорпусD2PAK

Гарантія оригінальності

Перевірка перед відправкою

Datasheet PDF

Консультація інженера

Додаткова інформація
ПараметрЗначення
ВиробникSTMicroelectronics
Напруга обмеження Vces(clamped)410 В тип. (Ic 2 мА)
Струм Ic при 25 °C20 А
Струм Ic при 100 °C10 А
Vce(sat)1,2 В тип. (Vge 4,5 В, Ic 10 А, Tj 25 °C)
Потужність Pd125 Вт (Tc 25 °C)
Вхідна ємність Cies1300 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц)
Макс. температура переходу Tj175 °C
Вбудований діоднемає
КорпусD2PAK
СтанОригінал
Опис

STGB10NB37LZ (GB10NB37LZ) – IGBT-транзистор STMicroelectronics у корпусі D2PAK із внутрішнім обмеженням напруги. Напруга обмеження колектор–емітер Vces(clamped) типово 410 В при Ic 2 мА, Tj від -40 до 150 °C. Струм колектора Ic – 20 А при Tc 25 °C і 10 А при Tc 100 °C. Напруга насичення Vce(sat) типово 1,2 В при Vge 4,5 В, Ic 10 А, Tj 25 °C. Порогова напруга Vge(th) – 0,6–2,2 В при Vce = Vge, Ic 250 мкА. Заряд затвора Qg типово 28 нКл при Vce 328 В, Ic 10 А, Vge 5 В. Вхідна ємність Cies типово 1300 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц). Потужність розсіювання Pd – 125 Вт при Tc 25 °C, енергія одиночного імпульсу Eas – 300 мДж при Tc 25 °C. Максимальна температура переходу – 175 °C.

Вбудованого діода немає; усередині є стабілітрони колектор–затвор і затвор–емітер. Оригінал, не демонтаж. Для цієї ж серії виробник випускає STGP10NB37LZ у корпусі TO-220. Підбираючи заміну, дивіться на корпус і розпіновку, напругу обмеження, струм Ic при 100 °C та поріг Vge(th), бо від нього залежить керування затвором. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.

Де застосовують

  • Автомобільне запалювання
Часто питають
Чим замінити STGB10NB37LZ?

У нашому каталозі аналогів у корпусі D2PAK зараз немає. Виробник випускає цю серію також як STGP10NB37LZ у корпусі TO-220; це інший корпус, тому для D2PAK вона не підходить без переробки плати.

Це оригінальна деталь чи демонтаж?

Оригінал, не демонтаж.

Чи є у STGB10NB37LZ вбудований діод?

Ні. Усередині є внутрішні стабілітрони колектор–затвор і затвор–емітер, які обмежують напругу.

Для чого застосовують STGB10NB37LZ?

За документом ST – в автомобільному запалюванні. Типове значення напруги обмеження – 410 В при Ic 2 мА.

Datasheet

Документація виробника: STGB10NB37LZT4 (ST).

Доставка й оплата

Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.

Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.

STGB10NB37LZT4 (ST) Відкрити datasheet

Не впевнені, чи підійде?

Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.

Запитати інженера

З цим товаром купляють

Схожі товари

IGBT-транзистор GW60H65DFB ( STGW60H65DFB ) оригінал демонтаж б/в, TO-247

В наявності

282,00 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникSTMicroelectronics
ТипIGBT з антипаралельним діодом
КорпусTO-247
Напруга Vces650 В (VGE = 0 В)
Струм Ic (100 °C)60 А
Струм Ic (25 °C)80 А (обмежено виводами, кристал 60 А)
Імпульсний струм Icp240 А
Vce(sat)1,6 В typ, 2,0 В max (VGE = 15 В, Ic = 60 А, Tj = 25 °C)
Потужність Ptot375 Вт (TC = 25 °C)
Вхідна ємність Cies7792 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц)
Tj max175 °C
СтанОригінал, демонтаж б/в

IGBT-транзистор NCE60TD60BT оригінал, TO247

В наявності

216,20 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникWuxi NCE Power
ТипIGBT з антипаралельним діодом
Напруга Vces600 В
Струм Ic (25 °C)120 А
Струм Ic (100 °C)60 А
Потужність Pd (25 °C)316 Вт
Vce(sat) (тип., IC = 60 А, VGE = 15 В, 25 °C)1.7 В
Заряд затвора Qg262 нКл
Вхідна ємність Cies7018 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц)
Vf діода (IF = 60 А, 25 °C)1.7 В
Макс. температура переходу Tj150 °C
КорпусTO-247
СтанОригінал

IGBT-транзистор YGW75N65HP оригінал , TO247(заміна для YGW75N65F1 , YGW75N65T1 , 75N65FL2 , NGTB75N65FL2WG )

В наявності

249,10 ₴
ПараметрЗначення
НомерYGW75N65HP
ВиробникLuxin Semiconductor (LU SEMI)
ТипIGBT-транзистор Trench Field Stop з діодом
Напруга Vces650 В
Струм Ic (25 °C)150 А
Струм Ic (100 °C)75 А
Vce(sat)1,65 В тип. (VGE = 15 В, IC = 75 А, Tj = 25 °C)
Потужність Pd (25 °C)375 Вт
Вхідна ємність Cies4700 пФ (Vce 25 В, f 100 кГц)
Макс. температура переходу175 °C
КорпусTO-247
СтанОригінал

Транзистор K50EEH5 ( IKW50N65EH5 ) оригінал демонтаж б/в, TO247

В наявності

258,50 ₴
ПараметрЗначення
Напруга Vces650 В (Tvj ≥25 °C)
Струм колектора Ic (25 °C)80 А
Струм колектора Ic (100 °C)50 А
Розсіювана потужність Pd (25 °C)275 Вт
Напруга насичення Vce(sat)1.65 В тип. / 2.1 В макс. (Ic=50 А, Vge=15 В, Tvj=25 °C)
КорпусTO-247
Вбудований діодVrrm 650 В, If 50 А при 100 °C, trr 81 нс
Максимальна температура переходу Tj175 °C
СтанОригінал, демонтаж б/в

Відгуки (0)

0 відгуків на цей товар
0
0
0
0
0

Відгуків немає, поки що.

Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.