Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор RJP63F3 оригінал , TO220F
178,60 ₴
1 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
1 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
IGBT-транзистор RJP63F3 Renesas у корпусі TO220F, без вбудованого діода. Оригінал, не демонтаж.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220F |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Renesas |
| Тип | IGBT без зворотного діода |
| Напруга Vces | 630 В |
| Струм колектора Ic | 40 А при Ta 25 °C |
| Імпульсний струм Ic(peak) | 200 А (PW до 10 мкс, шпаруватість до 1 %) |
| Vce(sat) | 1.7 В типово, 2.2 В макс. при Ic 40 А, Vge 15 В, Tj 25 °C |
| Vge(off) | 2.5–5 В при Vce 10 В, Ic 1 мА |
| Заряд затвора Qg | 36 нКл при Vge 15 В, Vce 300 В, Ic 40 А |
| Вхідна ємність Cies | 1250 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Час спаду tf | 100 нс |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
RJP63F3 – IGBT-транзистор Renesas без зворотного діода, корпус TO220F. Напруга колектор–емітер Vces – 630 В. Струм колектора Ic – 40 А при Ta 25 °C за таблицею документа, імпульсний Ic(peak) – 200 А (PW до 10 мкс, шпаруватість до 1 %). Напруга насичення Vce(sat) – 1.7 В типово і 2.2 В максимум при Ic 40 А, Vge 15 В, Tj 25 °C. Напруга відсікання Vge(off) – 2.5–5 В при Vce 10 В, Ic 1 мА. Заряд затвора Qg – 36 нКл при Vge 15 В, Vce 300 В, Ic 40 А. Вхідна ємність Cies типово 1250 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц). Час спаду tf – 100 нс при Ic 40 А, Rl 7.5 Ом, Vge 15 В, Rg 5 Ом. Максимальна температура переходу Tj – 150 °C.
Оригінал, не демонтаж. Підбираючи заміну, порівнюйте з datasheet напругу Vces, струм колектора, Vce(sat), заряд затвора Qg і корпус; діода в цій деталі немає. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- швидкі силові перемикачі (high speed power switching)
Чим замінити RJP63F3?
Заміну підбирайте за datasheet: той самий корпус, Vces не нижче 630 В, порівнянні Vce(sat) і заряд затвора Qg. Діода в RJP63F3 немає, тож схему з зовнішнім діодом не змінюйте без перевірки. Якщо Qg у заміни суттєво більший, перевірте драйвер затвора.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чи є в RJP63F3 вбудований діод?
Ні, у схемі з datasheet зворотного діода немає. Якщо схемі потрібен діод, його ставлять окремо.
Для чого використовують RJP63F3?
За даними виробника – для швидких силових перемикачів (high speed power switching). Це trench gate IGBT, струм витоку Ices до 1 мкА.
Документація виробника: RJP63F3 (Renesas).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
IGBT-транзистор GT30F124 ( 30F124 ) оригінал демонтаж б/в, TO220F ( 300V , 200A )
В наявності
Схожі товари
IGBT-транзистор AOK60B60D1 ( K60B60D1 ) оригінал демонтаж б/в, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Alpha and Omega Semiconductor (AOS) |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм колектора Ic (Product Summary) | 60 А |
| Vce(sat) typ | 1.85 В при Ic=60 А |
| Vge(th) typ | 5.4 В при VCE=5 В, Ic=1 мА |
| Заряд затвора Qg | 75 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 3288 пФ |
| Час спаду tf | 16 нс |
| Стійкість до КЗ tsc | 10 мкс |
| Тепловий опір перехід-корпус | 0.3 °C/Вт |
| Діапазон Tj, Tstg | -55…150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор H25R1202 ( IHW25N120R2 ) оригінал демонтаж б/в, TO-247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Тип | Зворотно-провідний IGBT (soft switching) |
| Напруга Vce | 1200 В |
| Струм Ic (25 °C) | 50 А |
| Струм Ic (100 °C) | 25 А |
| Потужність Ptot (25 °C) | 365 Вт |
| Vce(sat) (тип., IC = 25 А, VGE = 15 В, 25 °C) | 1.6 В |
| Заряд затвора Qg | 60.7 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 2342 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Vf діода (IF = 25 А, 25 °C) | 1.5 В |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор K50EEH5 ( IKW50N65EH5 ) оригінал демонтаж б/в, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 650 В (Tvj ≥25 °C) |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 80 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 50 А |
| Розсіювана потужність Pd (25 °C) | 275 Вт |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1.65 В тип. / 2.1 В макс. (Ic=50 А, Vge=15 В, Tvj=25 °C) |
| Корпус | TO-247 |
| Вбудований діод | Vrrm 650 В, If 50 А при 100 °C, trr 81 нс |
| Максимальна температура переходу Tj | 175 °C |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.