Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор RJP30H1 , D-PAK оригінал
216,20 ₴
8 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
8 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
IGBT-транзистор RJP30H1 від Renesas у корпусі D-PAK (TO-252), оригінал. Призначений для високошвидкісного силового перемикання.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Renesas |
| Серія | G6H-II |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Напруга колектор-емітер Vces | 360 В |
| Струм колектора Ic | 30 А |
| Піковий струм колектора | 200 А (PW ≤ 10 мкс, шпаруватість ≤ 1 %) |
| Потужність розсіювання Pc | 40 Вт (Tc = 25 °C) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1.5 В тип., 2 В макс. (Ic = 30 А, VGE = 15 В) |
| Заряд затвора Qg | 23 нКл тип. (VGE = 15 В, VCE = 150 В, Ic = 30 А) |
| Вхідна ємність Cies | 740 пФ тип. (VCE = 25 В, VGE = 0, f = 1 МГц) |
| Стан | Оригінал |
RJP30H1 (RJP30H1DPD) – N-канальний IGBT-транзистор Renesas серії G6H-II у корпусі D-PAK (TO-252) для високошвидкісних ключів. Напруга колектор-емітер Vces – 360 В, струм колектора Ic – 30 А. Піковий струм колектора – 200 А (PW ≤ 10 мкс, шпаруватість ≤ 1 %). Потужність розсіювання Pc – 40 Вт при Tc = 25 °C. Напруга насичення Vce(sat): 1.5 В типово і 2 В максимум (Ic = 30 А, VGE = 15 В, імпульсний тест). Заряд затвора Qg – 23 нКл типово (VGE = 15 В, VCE = 150 В, Ic = 30 А). Вхідна ємність Cies – 740 пФ типово (VCE = 25 В, VGE = 0, f = 1 МГц). Час наростання tr – 0.08 мкс, час спаду tf – 0.15 мкс типово (Ic = 30 А, RL = 5 Ом, VGE = 15 В).
Оригінал, не демонтаж. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня. Якщо шукаєте заміну, порівняйте з datasheet напругу Vces, струм колектора, Vce(sat), заряд затвора Qg і корпус D-PAK.
Де застосовують
- Високошвидкісне силове перемикання
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Яка напруга і який корпус у RJP30H1?
Напруга колектор-емітер Vces – 360 В, корпус D-PAK (TO-252).
Чим замінити RJP30H1?
Підбирайте IGBT у корпусі D-PAK з напругою Vces не нижче 360 В і близькими Vce(sat) та зарядом затвора Qg. Взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet.
Яка напруга насичення Vce(sat) у RJP30H1?
1.5 В типово і 2 В максимум при Ic = 30 А, VGE = 15 В (імпульсний тест).
Документація виробника: RJP30H1DPD, R07DS0465EJ0200 Rev.2.00, Preliminary Datasheet.
Параметри наведено за попереднім (Preliminary) datasheet виробника RJP30H1DPD, Rev.2.00; максимальну температуру переходу та температуру для Ic в тексті не наведено.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Мікросхема TND315 ( TND315S ) оригінал , smd 8pin
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Корпус | SO-8 |
| Напруга живлення | 4,5–25 В (TA 25 °C) |
| Піковий вихідний струм | 1 А (на канал) |
| Час наростання | 30 нс (CL 1000 пФ, VDD 18 В, VIN 5 В, TA 25 °C, типове) |
| Час спаду | 30 нс (CL 1000 пФ, VDD 18 В, VIN 5 В, TA 25 °C, типове) |
| Вхідна напруга логічної 1 | 2,6 В (VDD 4,5–25 В) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Робоча температура | -40…+125 °C |
| Стан | Оригінал |
Оптрон TLP155E ( P155E ) , 5pin
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Toshiba |
| Тип виходу | IC-драйвер, двотактний (push-pull) |
| Корпус | SO6 (5 виводів), 3,7×7,0×2,1 мм |
| Напруга живлення VCC | 10–30 В (рекомендовані умови) |
| Напруга ізоляції | 3750 В (RMS, мін.) |
| Піковий вихідний струм | ±0,6 А (гранично допустимий) |
| Пороговий вхідний струм IFLH | 7,5 мА макс. (VCC = 15 В, VO > 1 В) |
| Затримка tpLH / tpHL | 200 нс макс. (VCC = 20 В, Rg = 30 Ом, Cg = 1 нФ, f = 250 кГц) |
| Робочий діапазон температур | від −40 до +100 °C |
Схожі товари
IGBT-транзистор AUPS4067D оригінал демонтаж б/в ( AUPS4067D1 , AUPS4067D2 , AUPS4067D6-G , AUPS4067D6-H , AUPS4067D1-B , AUPS4067D2-B , AUPS4067D3-B , AUPS4067D2-C , AUPS4067D1-C , AUPS4067D4-G , AUIRGPS4067D1 , IRGPS4067D , IRGPS4067DPbF , GPS4067D ), Super-247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 240 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 160 А |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1,7 В тип. / 2,05 В макс. (Ic 120 А, Vge 15 В, Tj 25 °C) |
| Час відновлення діода trr | 360 нс (Tj 175 °C) |
| Розсіювана потужність Pd | 750 Вт (Tc 25 °C) |
| Максимальна температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | Super-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор NCE40TD60BT оригінал, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Wuxi NCE Power |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм Ic (25 °C) | 80 А |
| Струм Ic (100 °C) | 40 А |
| Потужність Pd (25 °C) | 286 Вт |
| Vce(sat) (тип., IC = 40 А, VGE = 15 В, 25 °C) | 1.7 В |
| Заряд затвора Qg | 176 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 4894 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Vf діода (IF = 40 А, 25 °C) | 1.65 В |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор NCE60TD60BT оригінал, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Wuxi NCE Power |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм Ic (25 °C) | 120 А |
| Струм Ic (100 °C) | 60 А |
| Потужність Pd (25 °C) | 316 Вт |
| Vce(sat) (тип., IC = 60 А, VGE = 15 В, 25 °C) | 1.7 В |
| Заряд затвора Qg | 262 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 7018 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Vf діода (IF = 60 А, 25 °C) | 1.7 В |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.