Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.

ПараметрЗначення
КорпусTO-220F
СтанОригінал

IGBT-транзистор RJH30E2 оригінал , TO220F

216,20 ₴

1 в наявності

Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня

Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

1 в наявності

Нова Пошта по всій Україні

Відправка в день оплати або наступного дня

Оплата

На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем

Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.

Категорія:

RJH30E2 – оригінальний IGBT-транзистор на 360 В і 30 А зі вбудованим швидким діодом, в корпусі TO220F.

ПараметрЗначення
КорпусTO-220F

Гарантія оригінальності

Перевірка перед відправкою

Datasheet PDF

Консультація інженера

Додаткова інформація
ПараметрЗначення
ВиробникRenesas
Напруга Vces360 В
Напруга затвор–емітер Vges±30 В
Струм колектора Ic30 А (температура в документі не вказана)
Імпульсний струм колектора200 А
Напруга насичення Vce(sat)1.5 В (типове значення, умови в документі не вказані)
Час спаду tf150 нс (типове значення)
Вбудований діодЄ, швидкий (fast recovery)
Пряма напруга діода Vf1.4 В (типове значення)
Час зворотного відновлення діода trr23 нс (типове значення)
Потужність розсіювання Pc20 Вт
Макс. температура переходу Tj150 °C
КорпусTO-220F
СтанОригінал
Опис

RJH30E2 – оригінальний IGBT-транзистор Renesas (біполярний транзистор з ізольованим затвором) зі вбудованим швидким діодом. За документом на RJH30E2: напруга Vces 360 В, напруга затвор–емітер Vges ±30 В, струм колектора Ic 30 А (температура в документі не вказана), імпульсний струм колектора 200 А. Напруга насичення Vce(sat) типово 1.5 В, час спаду tf типово 150 нс. Потужність розсіювання Pc 20 Вт, максимальна температура переходу Tj 150 °C.

Вбудований діод має пряму напругу Vf типово 1.4 В і час зворотного відновлення trr типово 23 нс. Підбираючи заміну, порівнюйте Vces, Ic, Vce(sat), наявність діода та корпус. Оригінал, не демонтаж. Відправляємо Новою Поштою по всій Україні в день оплати або наступного дня.

Часто питають
Чим замінити RJH30E2?

Потрібен IGBT у такому самому корпусі TO220F з Vces не нижче 360 В, струмом колектора не менше 30 А і вбудованим швидким діодом. Аналогів цього номера в наявності на сайті поки немає.

Як перевірити RJH30E2?

Вимкніть пристрій, розрядіть конденсатори й відключіть виводи транзистора. Мультиметром у режимі перевірки діодів перевірте відсутність пробою між колектором, емітером і затвором, а також вбудований діод.

Це оригінальна деталь чи демонтаж?

Оригінал, не демонтаж.

Чи є у RJH30E2 вбудований діод?

Так, вбудований швидкий діод (fast recovery): пряма напруга Vf типово 1.4 В, час зворотного відновлення trr типово 23 нс.

Datasheet

Документація виробника: RJH30E2.

Умови вимірювання Ic, Vce(sat) і Vf у документі не вказані.

Доставка й оплата

Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.

Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.

Не впевнені, чи підійде?

Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.

Запитати інженера

З цим товаром купляють

Схожі товари

IGBT-транзистор 50T65FD1 оригінал ( SGT50T65FD1 , SGT50T65FD1PN )(Заміна для TGAN50N60SFD , 50N60SFD ) , TO-3P

В наявності

164,50 ₴
ПараметрЗначення
Напруга Vces650 В
Струм колектора Ic (25 °C)100 А
Струм колектора Ic (100 °C)50 А
Імпульсний струм колектора Icm150 А
Розсіювана потужність Pd (25 °C)235 Вт
Напруга насичення Vce(sat)2.2 В тип. (Ic=50 А, Vge=15 В, Tc=25 °C)
КорпусTO-3P
Вбудований діодVf 1.95 В (If=25 А), trr 33 нс
СтанОригінал

IGBT-транзистор FGH30S130P оригінал демонтаж б/в, TO247

В наявності

164,50 ₴
ПараметрЗначення
Виробникonsemi
Напруга колектор–емітер Vces1300 В (Tc 25 °C)
Напруга затвор–емітер Vges±25 В
Струм колектора Ic60 А (Tc 25 °C); 30 А (Tc 100 °C)
Імпульсний струм Icm90 А (обмежено Tj max)
Потужність розсіювання Pd500 Вт (Tc 25 °C)
Vce(sat)1,75 В typ / 2,3 В max (Ic 30 А, Vge 15 В, Tc 25 °C)
Робоча температура переходу Tj-55…+175 °C
Заряд затвора Qg372,3 нКл (Vce 600 В, Ic 30 А, Vge 15 В)
Вхідна ємність Cies3345 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц)
КорпусTO-247
СтанОригінал, демонтаж б/в

IGBT-транзистор GP19NC60KD ( STGP19NC60KD ) оригінал , TO220(Заміна для IGP15T60F )

В наявності

164,50 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникSTMicroelectronics
ТипIGBT з антипаралельним діодом
КорпусTO-220
Напруга Vces600 В (VGE = 0 В)
Струм Ic (100 °C)20 А
Струм Ic (25 °C)35 А (розрахунок за формулою виробника)
Імпульсний струм Icp75 А
Vce(sat)2,0 В typ, 2,75 В max (VGE = 15 В, Ic = 12 А, TC = 25 °C)
Потужність Ptot125 Вт (TC = 25 °C)
Вхідна ємність Cies1170 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц)
СтанОригінал

Транзистор K50EEH5 ( IKW50N65EH5 ) оригінал демонтаж б/в, TO247

В наявності

258,50 ₴
ПараметрЗначення
Напруга Vces650 В (Tvj ≥25 °C)
Струм колектора Ic (25 °C)80 А
Струм колектора Ic (100 °C)50 А
Розсіювана потужність Pd (25 °C)275 Вт
Напруга насичення Vce(sat)1.65 В тип. / 2.1 В макс. (Ic=50 А, Vge=15 В, Tvj=25 °C)
КорпусTO-247
Вбудований діодVrrm 650 В, If 50 А при 100 °C, trr 81 нс
Максимальна температура переходу Tj175 °C
СтанОригінал, демонтаж б/в

Відгуки (0)

0 відгуків на цей товар
0
0
0
0
0

Відгуків немає, поки що.

Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.