Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор YGF20N65T2 оригінал , TO220F
122,67 ₴
67 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
67 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
YGF20N65T2 – IGBT-транзистор Luxin Semi 650 В, 20 А з вбудованим діодом у корпусі TO-220F. Оригінал, не демонтаж.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220F |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 650 В (Tj 25 °C) |
| Номінальний струм Ic | 20 А |
| Vce(sat) | 1.65 В тип., 2.05 В макс. (Ic 20 А, Vge 15 В, Tj 25 °C) |
| Vge(th) | 4.4–6.4 В (Ic 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 45 нКл тип. |
| Вхідна ємність Cies | 1050 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd (TO-220F) | 30.6 Вт (Tj 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Діод | є, Vf 1.9 В тип. (If 20 А, Tj 25 °C) |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
YGF20N65T2 – IGBT-транзистор Luxin Semi (LU SEMI) у корпусі TO-220F. Напруга колектор–емітер Vces – 650 В при Tj 25 °C. Номінальний струм колектора – 20 А (за заголовком даташиту). Напруга насичення Vce(sat) – 1.65 В (тип.), 2.05 В (макс.) при Ic 20 А, Vge 15 В, Tj 25 °C. Порогова напруга затвора Vge(th) – 4.4–6.4 В (тип. 5.4) при Vge = Vce, Ic 250 мкА. Заряд затвора Qg – 45 нКл (тип.) при Vcc 520 В, Ic 20 А, Vge 15 В. Вхідна ємність Cies типово 1050 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц). Час спаду tf – 75 нс, енергія вимкнення Eoff – 0.10 мДж (тип.) при Tj 25 °C, Vcc 400 В, Ic 20 А, Vge 0/15 В, Rg 20 Ом. Усередині є діод: Vf 1.9 В (тип.) при If 20 А, Tj 25 °C. Потужність розсіювання для TO-220F – 30.6 Вт при Tj 25 °C, максимальна температура переходу – 175 °C, стійкість до короткого замикання – 5 мкс при Vge 15 В, Vcc 400 В.
Оригінал, не демонтаж. Підбираючи заміну, порівнюйте Vces не нижче 650 В, струм, напругу насичення, швидкість перемикання і корпус. Перевірте, що розпіновка збігається з вашою платою. Варіанти цієї серії за даними виробника – YGP20N65T2, YGK20N65T2, YGW20N65T2.
Де застосовують
- М'яке перемикання (soft switching)
- Кондиціонери
- Інвертори приводу двигунів
Чим замінити YGF20N65T2?
У нашому каталозі зараз немає перевірених аналогів. За даними виробника, ця серія є також у варіантах YGP20N65T2, YGK20N65T2 і YGW20N65T2, але корпус має збігатися з вашою платою.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чи є в YGF20N65T2 вбудований діод?
Так. Пряма напруга діода Vf 1.9 В (тип.) при If 20 А, Tj 25 °C, trr 50 нс (тип.) при If 15 А, Vr 300 В, di/dt 200 А/мкс.
Для чого застосовують YGF20N65T2?
Для м'якого перемикання (soft switching), у кондиціонерах та інверторах приводу двигунів.
Документація виробника: YGF20N65T2 (luxin-semi).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
IGBT-транзистор 50T65FD1 оригінал ( SGT50T65FD1 , SGT50T65FD1PN )(Заміна для TGAN50N60SFD , 50N60SFD ) , TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 100 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 50 А |
| Імпульсний струм колектора Icm | 150 А |
| Розсіювана потужність Pd (25 °C) | 235 Вт |
| Напруга насичення Vce(sat) | 2.2 В тип. (Ic=50 А, Vge=15 В, Tc=25 °C) |
| Корпус | TO-3P |
| Вбудований діод | Vf 1.95 В (If=25 А), trr 33 нс |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор GW60H65DFB ( STGW60H65DFB ) оригінал демонтаж б/в, TO-247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга Vces | 650 В (VGE = 0 В) |
| Струм Ic (100 °C) | 60 А |
| Струм Ic (25 °C) | 80 А (обмежено виводами, кристал 60 А) |
| Імпульсний струм Icp | 240 А |
| Vce(sat) | 1,6 В typ, 2,0 В max (VGE = 15 В, Ic = 60 А, Tj = 25 °C) |
| Потужність Ptot | 375 Вт (TC = 25 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 7792 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Tj max | 175 °C |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор NCE40TD60BT оригінал, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Wuxi NCE Power |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм Ic (25 °C) | 80 А |
| Струм Ic (100 °C) | 40 А |
| Потужність Pd (25 °C) | 286 Вт |
| Vce(sat) (тип., IC = 40 А, VGE = 15 В, 25 °C) | 1.7 В |
| Заряд затвора Qg | 176 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 4894 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Vf діода (IF = 40 А, 25 °C) | 1.65 В |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.