Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор XNF20N60T оригінал, TO220F
107,16 ₴
117 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
117 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
IGBT-транзистор XNF20N60T (Xiner) у корпусі TO-220F – оригінал, для інверторів загального призначення і керування двигунами.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220F |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Xiner |
| Напруга Vces | 600 В |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1.7 В тип. |
| Порогова напруга Vge(th) | 5.2 В тип. / 6.5 В макс. |
| Пряма напруга діода VF | 1.8 В тип. / 2.3 В макс. |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
XNF20N60T – IGBT-транзистор виробника Xiner (чип випускає Shenzhen Invsemi) у корпусі TO-220F. Мінімальна напруга пробою колектор-емітер Vces – 600 В при напрузі затвора Vge 0 В і струмі витоку Id 250 мкА. Напруга насичення Vce(sat) – 1.7 В типова при струмі Ic 20 А, напрузі затвора Vge 15 В і температурі переходу Tj 25 °C. Порогова напруга затвора Vge(th) – 5.2 В типова (6.5 В максимальна) при струмі 0.25 мА. Вбудований зворотний діод має пряму напругу VF 1.8 В типову (2.3 В максимальну) при струмі 20 А.
Транзистор оригінал (не демонтаж), перевіряється перед відправкою. У доступних джерелах – datasheet виробника, LCSC, JLCPCB – не наведені струм колектора Ic при 25 °C і 100 °C, максимальна розсіювана потужність і гранична температура переходу, тому ці параметри ми не вказуємо. Перед монтажем перевірте мультиметром у режимі діодного тесту перехід колектор-емітер і вбудований діод, звірте маркування на корпусі з номером XNF20N60T. Пряму заміну з нашого каталогу за підтвердженими фактами підібрати наразі не можна – звертайтеся до менеджера для підбору за повною специфікацією.
Де застосовують
- Інвертори загального призначення, керування двигунами, інтелектуальні силові модулі (IPM)
Чим замінити XNF20N60T?
Підтвердженого фактами аналога в каталозі поки немає: серед сусідів по категорії з власними перевіреними параметрами бракує даних для порівняння струму Ic при 100 °C. Зверніться до менеджера – підберемо за повною специфікацією.
Як перевірити IGBT-транзистор перед встановленням?
Мультиметром у режимі перевірки діодів виміряти перехід колектор-емітер і вбудований діод, звірити маркування на корпусі з номером XNF20N60T.
Чи підходить XNF20N60T для керування двигуном?
Так, за даними виробника застосування включають керування двигунами, інвертори загального призначення та інтелектуальні силові модулі.
Що таке порогова напруга Vge(th) і навіщо вона потрібна?
Vge(th) – 5.2 В типова (6.5 В максимальна) – це мінімальна напруга на затворі, з якої транзистор починає відкриватися. Для надійного повного відкриття подавайте на затвор напругу Vge 15 В, як зазначено виробником для інших параметрів.
Документація виробника: XNF20N60T, 600V 20A Trench-FS IGBT (номер ревізії/дата в PDF не вказані).
Струм колектора Ic при 25 °C і 100 °C, максимальна розсіювана потужність Pd і гранична температура переходу Tj – відсутні і в datasheet виробника, і в картках LCSC та JLCPCB, тому в тексті не наведені. Дата й номер ревізії datasheet, а також lifecycle-статус деталі ніде не вказані.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Транзистор NCEP85T16 оригінал, TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, Super Trench |
| Напруга Vds | 85 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 160 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 112 А |
| Опір Rds(on) (тип.) | 3.1 мОм при Vgs 10 В, Id 80 А, Tc 25 °C; макс. 3.8 мОм |
| Заряд затвора Qg | 105 нКл при Vdd 40 В, Id 80 А, Vgs 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 8500 пФ (Vds 40 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.5–4.5 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА |
| Потужність розсіювання Pd | 220 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | NCE Power |
| Стан | Оригінал |
Транзистор PDP8974 ( DP8974 ) оригінал, TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 80 В (TC 25 °C) |
| Струм Id | 120 А (TC 25 °C); 76 А (TC 100 °C) |
| Імпульсний струм Idm | 480 А (TC 25 °C) |
| Rds(on) | 3,2 мОм, макс. 3,9 мОм (VGS 10 В, ID 20 А, Tj 25 °C) |
| Rds(on) при 4,5 В | 4,6 мОм, макс. 6,2 мОм (VGS 4,5 В, ID 10 А) |
| Vgs(th) | 1–2,5 В, тип. 1,6 В (VDS = VGS, ID 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 88 нКл (VDS 64 В, VGS 10 В, ID 10 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 5160 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 184 Вт (TC 25 °C) |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Схожі товари
IGBT-транзистор 50T65FD1 оригінал ( SGT50T65FD1 , SGT50T65FD1PN )(Заміна для TGAN50N60SFD , 50N60SFD ) , TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 100 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 50 А |
| Імпульсний струм колектора Icm | 150 А |
| Розсіювана потужність Pd (25 °C) | 235 Вт |
| Напруга насичення Vce(sat) | 2.2 В тип. (Ic=50 А, Vge=15 В, Tc=25 °C) |
| Корпус | TO-3P |
| Вбудований діод | Vf 1.95 В (If=25 А), trr 33 нс |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор FGH30S130P оригінал демонтаж б/в, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Напруга колектор–емітер Vces | 1300 В (Tc 25 °C) |
| Напруга затвор–емітер Vges | ±25 В |
| Струм колектора Ic | 60 А (Tc 25 °C); 30 А (Tc 100 °C) |
| Імпульсний струм Icm | 90 А (обмежено Tj max) |
| Потужність розсіювання Pd | 500 Вт (Tc 25 °C) |
| Vce(sat) | 1,75 В typ / 2,3 В max (Ic 30 А, Vge 15 В, Tc 25 °C) |
| Робоча температура переходу Tj | -55…+175 °C |
| Заряд затвора Qg | 372,3 нКл (Vce 600 В, Ic 30 А, Vge 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 3345 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор NCE40TD60BT оригінал, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Wuxi NCE Power |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм Ic (25 °C) | 80 А |
| Струм Ic (100 °C) | 40 А |
| Потужність Pd (25 °C) | 286 Вт |
| Vce(sat) (тип., IC = 40 А, VGE = 15 В, 25 °C) | 1.7 В |
| Заряд затвора Qg | 176 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 4894 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Vf діода (IF = 40 А, 25 °C) | 1.65 В |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.