Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | D2PAK |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Знято з плати. Перевірено інженером: тестер на пробій та обрив виводів.
IGBT-транзистор STGB19NC60KD ( GB19NC60KD , STGB19NC60KDT4 ) оригінал демонтаж б/в, D2PAK(Заміна для STGB19NC60HD , GB19NC60HD )
216,20 ₴
9 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
9 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
STGB19NC60KD – оригінал, демонтаж б/в: IGBT STMicroelectronics 600 В зі швидким діодом у корпусі D2PAK, знятий з плати і перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | D2PAK |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга колектор–емітер Vces | 600 В (Vge 0 В) |
| Струм колектора Ic | 35 А (Tc 25 °C) |
| Струм колектора Ic при Tc 100 °C | 20 А |
| Напруга насичення Vce(sat) | 2.0 В (typ., Vge 15 В, Ic 12 А, Tc 25 °C) |
| Порогова напруга затвора Vge(th) | 4.5–6.5 В (Ic 250 мкА, Vce = Vge) |
| Заряд затвора Qg | 55 нКл (Vcc 480 В, Ic 12 А, Vge 0–15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 1170 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Час спаду tf | 85 нс (typ., Vcc 480 В, Ic 12 А, Rg 10 Ом, Vge 15 В, Tc 25 °C) |
| Вбудований діод | є, швидкий (ultrafast) |
| Потужність Ptot | 125 Вт (Tc 25 °C) |
| Корпус | D2PAK |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
STGB19NC60KD (GB19NC60KD, STGB19NC60KDT4) – IGBT PowerMESH STMicroelectronics зі вбудованим швидким діодом, стійкий до короткого замикання, у корпусі D2PAK. Напруга колектор–емітер Vces – 600 В (Vge 0 В). Струм колектора Ic – 35 А при Tc 25 °C і 20 А при Tc 100 °C. Напруга насичення Vce(sat) – 2.0 В типово (Ic 12 А, Vge 15 В, Tc 25 °C). Вхідна ємність Cies типово 1170 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц). Потужність розсіювання – 125 Вт при Tc 25 °C. Час стійкості до КЗ – 10 мкс (Vce 300 В, Tj 125 °C, Rg 10 Ом, Vge 12 В).
Оригінал, демонтаж б/в: деталь знята з плати, інженер перевіряє її тестером на пробій та обрив виводів. STGB19NC60KD може замінити STGB19NC60HD (GB19NC60HD), але зворотна заміна не завжди можлива; взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet. Прямі заміни за даними виробника – STGF19NC60KD і STGP19NC60KD.
Де застосовують
- Високочастотні інвертори.
- Приводи двигунів.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, демонтаж б/в – знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів.
Чим замінити STGB19NC60KD?
За даними виробника, прямі заміни – STGF19NC60KD і STGP19NC60KD. Корпус, напругу Vces і струм Ic звіряйте з datasheet.
Чи може STGB19NC60KD замінити STGB19NC60HD?
Так, STGB19NC60KD може замінити STGB19NC60HD (GB19NC60HD). Зворотна заміна не завжди можлива; взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet.
Чи є в цього IGBT вбудований діод?
Так, швидкий (ultrafast) діод: Vf 1.9 В типово при If 12 А, Tc 25 °C, trr 31 нс типово.
Документація виробника: DS5824 Rev 5.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
IGBT-транзистор 50T65FD1 оригінал ( SGT50T65FD1 , SGT50T65FD1PN )(Заміна для TGAN50N60SFD , 50N60SFD ) , TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 100 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 50 А |
| Імпульсний струм колектора Icm | 150 А |
| Розсіювана потужність Pd (25 °C) | 235 Вт |
| Напруга насичення Vce(sat) | 2.2 В тип. (Ic=50 А, Vge=15 В, Tc=25 °C) |
| Корпус | TO-3P |
| Вбудований діод | Vf 1.95 В (If=25 А), trr 33 нс |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор YGP20N65T2 оригінал, TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Luxin Semiconductor (LU SEMI) |
| Тип | IGBT Trench Field Stop з діодом |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vces | 650 В (VGE = 0 В, IC = 1 мА) |
| Струм Ic (25 °C) | 40 А |
| Струм Ic (100 °C) | 20 А |
| Vce(sat) | 1,65 В тип., 2,05 В макс. (VGE = 15 В, IC = 20 А, Tj = 25 °C) |
| Vge(th) | 4,4 / 5,4 / 6,4 В (мін. / тип. / макс.; VGE = VCE, IC = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 45 нКл (VCC = 520 В, IC = 20 А, VGE = 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 1050 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 125 Вт (Tj = 25 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Діод | є, антипаралельний |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.