Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | D2PAK |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Знято з плати. Перевірено інженером: тестер на пробій та обрив виводів.
IGBT-транзистор SGB10N60A ( G10N60A ) оригінал демонтаж б/в, D2PAK
150,40 ₴
22 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
22 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
SGB10N60A (G10N60A) – швидкий IGBT-транзистор Infineon у корпусі D2PAK. Оригінал, демонтаж б/в – знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | D2PAK |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vce | 600 В |
| Струм Ic (Tc 25 °C) | 20 А |
| Струм Ic (Tc 100 °C) | 10.6 А |
| Vce(sat) typ (Ic 10 А, Vge 15 В, Tj 25 °C) | 2.0 В |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 92 Вт |
| Вхідна ємність Cies | 550 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура Tj | 150 °C |
| Корпус | D2PAK |
| Виробник | Infineon |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
SGB10N60A (G10N60A) – IGBT-транзистор Infineon у технології NPT з низькими втратами провідності, корпус D2PAK (PG-TO-263-3-2). Напруга колектор-емітер Vce – 600 В. Струм колектора Ic – 20 А при Tc 25 °C і 10.6 А при Tc 100 °C. Напруга насичення Vce(sat) – 2.0 В (typ, Ic 10 А, Vge 15 В, Tj 25 °C). Вхідна ємність Cies типово 550 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц). Потужність розсіювання – 92 Вт при Tc 25 °C, максимальна температура переходу – 150 °C. Цифри наведено за даташитом Infineon.
Оригінал, демонтаж б/в. Деталь знята з плати; інженер перевіряє її тестером на пробій та обрив виводів. Щоб підібрати заміну, порівняйте з вашою схемою напругу Vce, струм Ic при Tc 100 °C, Vce(sat), корпус і розпіновку; прямі заміни за даними виробника – SGB10N60AATMA1. Відправка в день оплати або наступного дня, Нова Пошта, Запоріжжя.
Де застосовують
- Керування двигунами
- Інвертори
Чим замінити SGB10N60A?
Прямі заміни за даними виробника – SGB10N60AATMA1. Для іншої деталі порівняйте Vce, Ic при Tc 100 °C, Vce(sat), корпус і розпіновку з даташитом.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, демонтаж б/в – знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів.
Чи підходить для керування двигунами та інверторів?
У даташиті Infineon як застосування названо керування двигунами та інвертори.
Який час витримки короткого замикання?
10 мкс при Vge 15 В, Vcc до 600 В, Tj до 150 °C.
Документація виробника: SGB10N60A (Infineon).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
IGBT-транзистор 50T65FD1 оригінал ( SGT50T65FD1 , SGT50T65FD1PN )(Заміна для TGAN50N60SFD , 50N60SFD ) , TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 100 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 50 А |
| Імпульсний струм колектора Icm | 150 А |
| Розсіювана потужність Pd (25 °C) | 235 Вт |
| Напруга насичення Vce(sat) | 2.2 В тип. (Ic=50 А, Vge=15 В, Tc=25 °C) |
| Корпус | TO-3P |
| Вбудований діод | Vf 1.95 В (If=25 А), trr 33 нс |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор H25R1202 ( IHW25N120R2 ) оригінал демонтаж б/в, TO-247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Тип | Зворотно-провідний IGBT (soft switching) |
| Напруга Vce | 1200 В |
| Струм Ic (25 °C) | 50 А |
| Струм Ic (100 °C) | 25 А |
| Потужність Ptot (25 °C) | 365 Вт |
| Vce(sat) (тип., IC = 25 А, VGE = 15 В, 25 °C) | 1.6 В |
| Заряд затвора Qg | 60.7 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 2342 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Vf діода (IF = 25 А, 25 °C) | 1.5 В |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор NCE60TD60BT оригінал, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Wuxi NCE Power |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм Ic (25 °C) | 120 А |
| Струм Ic (100 °C) | 60 А |
| Потужність Pd (25 °C) | 316 Вт |
| Vce(sat) (тип., IC = 60 А, VGE = 15 В, 25 °C) | 1.7 В |
| Заряд затвора Qg | 262 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 7018 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Vf діода (IF = 60 А, 25 °C) | 1.7 В |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.