Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | D2PAK |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Знято з плати. Перевірено інженером: тестер на пробій та обрив виводів.
IGBT-транзистор SGB15N60HS ( G15N60HS ) оригінал демонтаж б/в, D2PAK
141,00 ₴
23 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
23 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
SGB15N60HS (G15N60HS) – високошвидкісний IGBT-транзистор Infineon на 600 В у корпусі D2PAK. Оригінал, демонтаж б/в – знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | D2PAK |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга колектор–емітер Vces | 600 В |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 27 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 15 А |
| Імпульсний струм колектора | 60 А |
| Напруга насичення Vce(sat) | 2,8 В (тип.), 3,15 В (макс.) при VGE = 15 В, IC = 15 А, Tj 25 °C |
| Заряд затвора Qg | 80 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 810 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Розсіювана потужність | 138 Вт при TC = 25 °C |
| Корпус | D2PAK |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
SGB15N60HS (G15N60HS) – IGBT-транзистор Infineon у корпусі D2PAK (PG-TO-263-3-2). Напруга колектор–емітер Vces – 600 В при VGE = 0 В, IC = 500 мкА. Струм колектора Ic – 27 А при TC = 25 °C і 15 А при TC = 100 °C, імпульсний – 60 А. Напруга насичення Vce(sat) – 2,8 В (тип.), 3,15 В (макс.) при VGE = 15 В, IC = 15 А, Tj 25 °C. Заряд затвора Qg – 80 нКл при VCC = 480 В, IC = 15 А. Вхідна ємність Cies типово 810 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц). Розсіювана потужність – 138 Вт при TC = 25 °C. Транзистор розрахований на роботу на частотах понад 30 кГц і витримує коротке замикання 10 мкс.
Оригінал, демонтаж б/в. Деталь знята з плати; інженер перевіряє її тестером на пробій та обрив виводів. Для заміни шукайте IGBT у корпусі D2PAK з Vces не нижче 600 В і струмом Ic при 100 °C не менше потрібного вам. Звертайте увагу на заряд затвора: від нього залежить навантаження на драйвер.
Де застосовують
- Високошвидкісний IGBT у NPT-технології на 600 В
- Робота на частотах понад 30 кГц
Чим замінити SGB15N60HS?
Шукайте IGBT у корпусі D2PAK з Vces не нижче 600 В і струмом Ic при 100 °C не менше 15 А. Перед заміною порівняйте datasheet, особливо заряд затвора й напругу насичення.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, демонтаж б/в. Деталь знята з плати, інженер перевіряє її тестером на пробій та обрив виводів.
На яких частотах працює SGB15N60HS?
Виробник розраховує його на роботу на частотах понад 30 кГц.
Чи витримує SGB15N60HS коротке замикання?
Так, час витримки – 10 мкс при VGE = 15 В, VCC ≤ 400 В, Tj ≤ 150 °C.
Документація виробника: SGB15N60HS (Infineon).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
IGBT-транзистор H25R1202 ( IHW25N120R2 ) оригінал демонтаж б/в, TO-247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Тип | Зворотно-провідний IGBT (soft switching) |
| Напруга Vce | 1200 В |
| Струм Ic (25 °C) | 50 А |
| Струм Ic (100 °C) | 25 А |
| Потужність Ptot (25 °C) | 365 Вт |
| Vce(sat) (тип., IC = 25 А, VGE = 15 В, 25 °C) | 1.6 В |
| Заряд затвора Qg | 60.7 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 2342 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Vf діода (IF = 25 А, 25 °C) | 1.5 В |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор JT050N065WED ( 050N065WED ) оригінал, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Jilin Sino-Microelectronics (JSMC) |
| Тип | IGBT Trench FS з діодом |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга Vces | 650 В (IC = 250 мкА, VGE = 0 В) |
| Струм Ic (25 °C) | 100 А |
| Струм Ic (100 °C) | 50 А |
| Vce(sat) | 1,6 В тип., 2,2 В макс. (VGE = 15 В, IC = 50 А, Tc = 25 °C) |
| Vge(th) | 4,5 В мін., 6,5 В макс. (VCE = VGE, IC = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 121 нКл (VCC = 520 В, IC = 50 А, VGE = 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 3435 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 437 Вт (Tc = 25 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Діод | є, антипаралельний |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.