Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | D2PAK |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор STGB10NC60KDSF ( GB10NC60KDSF , STGB10NC60KD , GB10NC60KD , STGB10NC60KDT4 ) оригінал , D2PAK(Заміна для STGB10NC60HD , GB10NC60HD )
160,27 ₴
22 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
22 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
STGB10NC60KDSF (GB10NC60KD, STGB10NC60KDT4) – IGBT STMicroelectronics з вбудованим діодом у корпусі D2PAK. Стан: оригінал.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | D2PAK |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Напруга Vces | 600 В (VGE = 0 В) |
| Струм Ic | 20 А (Tc 25 °C), 10 А (Tc 100 °C) |
| Vce(sat) тип. | 2,2 В (VGE 15 В, Ic 5 А, Tc 25 °C) |
| Vge(th) | 4,5–6,5 В |
| Діод | антипаралельний, м’який ультрашвидкий, trr 22 нс |
| Час спаду tf тип. | 33 нс (Tc 25 °C) |
| Eoff тип. | 55 мкДж (Tc 25 °C) |
| Потужність | 65 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 380 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Tj | -55…150 °C |
| Корпус | D2PAK |
| Стан | Оригінал |
STGB10NC60KDSF – IGBT STMicroelectronics у корпусі D2PAK; цифри нижче – за документом на STGB10NC60KDT4. Напруга Vces – 600 В при VGE = 0 В. Струм колектора Ic – 20 А при Tc 25 °C і 10 А при Tc 100 °C. Vce(sat) типово 2,2 В (максимум 2,5 В) при VGE 15 В, Ic 5 А, Tc 25 °C; при Tj 150 °C – 1,8 В. Вбудований антипаралельний діод м'який ультрашвидкий, trr – 22 нс при IF 5 А, VR 40 В, di/dt 100 А/мкс. Eoff типово 55 мкДж, tf – 33 нс (VCE 390 В, Ic 5 А, RG 10 Ом, VGE 15 В, Tc 25 °C). Вхідна ємність Cies типово 380 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц). Потужність розсіювання – 65 Вт при Tc 25 °C. Витримка короткого замикання – 10 мкс (VCE 0,5·VCES, Tj 125 °C, RG 10 Ом, VGE 12 В).
Стан: оригінал, не демонтаж. STGB10NC60KDSF може замінити STGB10NC60HD (GB10NC60HD); зворотна заміна не завжди можлива, взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet. Прямі заміни за даними виробника: STGD10NC60KDT4, STGF10NC60KD, STGP10NC60KD. Відправка з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Високочастотні керування двигунами
- SMPS і PFC у схемах з жорстким перемиканням і резонансних
- Приводи двигунів
Чим замінити STGB10NC60KDSF?
За даними виробника, прямі заміни – STGD10NC60KDT4, STGF10NC60KD, STGP10NC60KD. Звіряйте корпус і розпіновку з вашою платою.
Чи може він замінити STGB10NC60HD?
STGB10NC60KDSF може замінити STGB10NC60HD (GB10NC60HD). Зворотна заміна не завжди можлива; взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Який у нього вбудований діод?
Антипаралельний, м'який ультрашвидкий, trr – 22 нс при IF 5 А, VR 40 В, di/dt 100 А/мкс.
Документація виробника: STGB10NC60KDT4 (DS4320 Rev 9).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
IGBT-транзистор YGP20N65T2 оригінал, TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Luxin Semiconductor (LU SEMI) |
| Тип | IGBT Trench Field Stop з діодом |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vces | 650 В (VGE = 0 В, IC = 1 мА) |
| Струм Ic (25 °C) | 40 А |
| Струм Ic (100 °C) | 20 А |
| Vce(sat) | 1,65 В тип., 2,05 В макс. (VGE = 15 В, IC = 20 А, Tj = 25 °C) |
| Vge(th) | 4,4 / 5,4 / 6,4 В (мін. / тип. / макс.; VGE = VCE, IC = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 45 нКл (VCC = 520 В, IC = 20 А, VGE = 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 1050 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 125 Вт (Tj = 25 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Діод | є, антипаралельний |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.