Транзистори

Показано 1761–1782 із 1782

Показати 20 40 80

Транзистор R6015ANX оригінал , TO220F

Немає в наявності

164,50 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN
Напруга Vds600 В (VGS = 0 В)
Струм Id (Tc 25 °C)15 А
Струм Id (Tc 100 °C)7.0 А
Опір Rds(on) тип.0.23 Ом (VGS = 10 В, ID = 7.5 А, Tj 25 °C; макс. 0.3 Ом)
Поріг Vgs(th)2.5–4.5 В (VDS = 10 В, ID = 1 мА)
Потужність Pd77 Вт (Tc 25 °C)
Макс. температура переходу150 °C
КорпусTO-220F
СтанОригінал

Транзистор RU6888R ( RU6888 ) оригінал демонтаж, TO220

Немає в наявності

32,90 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал
Напруга Vds (VDSS)68 В
Струм стоку Id88 А (Tc 25 °C, Vgs 10 В; обмеження корпусом 75 А), 65 А (Tc 100 °C, Vgs 10 В)
Опір відкритого каналу Rds(on)6 мОм тип., 8 мОм макс. (Vgs 10 В, Ids 40 А)
Порогова напруга Vgs(th)2–4 В, тип. 3 В (Vds = Vgs, Ids 250 мкА)
Заряд затвора Qg65 нКл (Vds 54 В, Vgs 10 В, Ids 40 А)
Потужність розсіювання Pd120 Вт (Tc 25 °C), 60 Вт (Tc 100 °C)
Макс. температура переходу Tj175 °C
КорпусTO-220
ВиробникRuichips
СтанОригінал, демонтаж б/в

Транзистор SI7848BDP , PowerPAK so-8

Немає в наявності

84,60 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал, режим збагачення
Напруга Vds40 В (VGS 0 В, ID 250 мкА, мін.)
Струм стоку Id (25 °C)55 А (TC 25 °C, VGS 10 В)
Струм стоку Id (100 °C)41 А (TC 100 °C, VGS 10 В)
Опір Rds(on)7.5 мОм (VGS 10 В, ID 15 А)
Заряд затвора Qg19.7 нКл (тип.; VDS 20 В, VGS 10 В, ID 10 А)
Макс. температура переходу Tj175 °C
КорпусPowerPAK SO-8

Транзистор SP8K4 , so-8

Немає в наявності

45,59 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал, два транзистори в корпусі
Напруга Vds30 В (V(BR)DSS при ID 1 мА, VGS 0 В; Ta 25 °C)
Струм стоку Id9,0 А (безперервний, Ta 25 °C, на керамічній платі)
Опір Rds(on)12 мОм тип., 17 мОм макс. (ID 9,0 А, VGS 10 В; Ta 25 °C)
Опір Rds(on) при VGS 4,5 В16 мОм тип., 23 мОм макс. (ID 9,0 А, VGS 4,5 В)
Порогова напруга Vgs(th)1,0–2,5 В (VDS 10 В, ID 1 мА)
Заряд затвора Qg15 нКл тип., 21 нКл макс. (VDD 15 В, VGS 5 В, ID 9,0 А)
Потужність Pd2 Вт (на керамічній платі, Ta 25 °C)
Макс. температура каналу150 °C
КорпусSO-8

Транзистор SS8050C ( SS8050S , ST8050D , 2SC8050 ) ,to92

Немає в наявності

3,76 ₴
ПараметрЗначення
ТипNPN
КорпусTO-92
Виробникonsemi
Напруга Vceo25 В (Ic = 2 мА, Ib = 0, Ta 25 °C)
Напруга Vcbo40 В (Ta 25 °C)
Напруга Vebo6 В (Ta 25 °C)
Струм колектора Ic1,5 А (Ta 25 °C)
Потужність Pd1 Вт (Ta 25 °C, плата FR-4 76 x 114 x 1,57 мм)
Температура переходу Tj150 °C
hFE, клас C120 – 200 (Ic = 100 мА, Vce = 1 В)
Vce(sat)0,5 В макс. (Ic = 800 мА, Ib = 80 мА)
Vbe(sat)1,2 В макс. (Ic = 800 мА, Ib = 80 мА)
Гранична частота fT100 МГц мін. (Vce = 10 В, Ic = 50 мА)

Транзистор SS8550C (SS8550D ) , to92

Немає в наявності

3,76 ₴
ПараметрЗначення
ТипPNP
КорпусTO-92
Виробникonsemi
Напруга Vceo-25 В (TA 25 °C)
Напруга Vcbo-40 В (TA 25 °C)
Напруга Vebo-6 В (TA 25 °C)
Струм колектора Ic-1,5 А (TA 25 °C)
Потужність Pd1 Вт (TA 25 °C, плата FR-4 76 x 114 x 1,57 мм)
Температура переходу Tj150 °C
hFE, клас C120 – 200 (Ic = -100 мА, Vce = -1 В)
Vce(sat)-0,50 В макс. (Ic = -800 мА, Ib = -80 мА)
Vbe(sat)-1,20 В макс. (Ic = -800 мА, Ib = -80 мА)
Гранична частота fT100 МГц мін. (Vce = -10 В, Ic = -50 мА)

Транзистор ST18N60M2 ( STF18N60M2 , 18N60M2 ) оригінал (заміна для FQPF18N60 , FQPF18N60C , FDPF18N60 , FCPF18N60 , STF18NM60N , SVF18N60F ) , TO220F

Немає в наявності

141,00 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал
Напруга Vds600 В (ID = 1 мА, VGS = 0 В; 650 В при Tj max)
Струм стоку Id (25 °C)13 А (TC = 25 °C)
Струм стоку Id (100 °C)8 А (TC = 100 °C)
Імпульсний струм стоку52 А
Опір Rds(on)0,255 Ом тип., 0,280 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 6,5 А)
Порогова напруга Vgs(th)2–4 В, тип. 3 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА)
Заряд затвора Qg21,5 нКл (VDD = 480 В, ID = 13 А, VGS = 0–10 В)
Потужність Pd25 Вт (TC = 25 °C)
Макс. температура переходу150 °C
Ізоляція корпусу2,5 кВ ефект. (t = 1 с, TC = 25 °C)
КорпусTO-220F
СтанОригінал

Транзистор ST2001HI оригінал

Немає в наявності

81,78 ₴
ПараметрЗначення
ТипNPN
КорпусISOWATT218
ВиробникSTMicroelectronics
Напруга Vceo600 В (Ib = 0)
Напруга Vcbo1500 В (Ie = 0)
Напруга Vebo7 В (Ic = 0)
Струм колектора Ic10 А
Імпульсний струм Icm20 А (tp < 5 мс)
Струм бази Ib7 А
Потужність Ptot55 Вт (Tc 25 °C)
Температура переходу Tj150 °C
Vce(sat)1,5 В макс. (Ic = 5 А, Ib = 1,25 А)
Vbe(sat)1,2 В макс. (Ic = 5 А, Ib = 1,25 А)
Час спаду tf0,2 мкс тип. / 0,4 мкс макс. (Ic = 5 А)
Напруга ізоляції Visol2500 В
СтанОригінал

Транзистор STD12NM50N (550V,11A,0.38R) , D-PAK(Заміна для FDD8N50NZ )

Немає в наявності

94,00 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал, MDmesh II
Напруга Vds500 В (550 В при Tj max)
Струм стоку Id (TC 25 °C)11 А
Струм стоку Id (TC 100 °C)6,7 А
Опір Rds(on)0,29 Ом тип., 0,38 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 5,5 А; TC 25 °C)
Порогова напруга Vgs(th)2 / 3 / 4 В (мін. / тип. / макс.) (VDS = VGS, ID = 250 мкА)
Потужність Pd100 Вт (TC 25 °C)
Макс. температура переходу150 °C
Час зворотного відновлення діода trr340 нс (ISD = 11 А, di/dt = 100 А/мкс, VDD = 100 В)
КорпусTO-252 (D-PAK)

Транзистор STD14NM50N ( ST14NM50N ) оригінал (550V,12A,0.32R) , D-PAK(заміна для 50S500CE IPD50R500CE )

Немає в наявності

164,50 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал, MDmesh II
Напруга Vds500 В (ID = 1 мА, VGS = 0 В; TC 25 °C)
Струм стоку Id (TC 25 °C)12 А
Струм стоку Id (TC 100 °C)8 А
Опір Rds(on)285 мОм тип., 320 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 6 А; TC 25 °C)
Порогова напруга Vgs(th)2 / 3 / 4 В мін. / тип. / макс. (VDS = VGS, ID = 250 мкА)
Заряд затвора Qg27 нКл (VDD = 400 В, ID = 12 А, VGS 0–10 В)
Потужність Pd90 Вт (TC 25 °C)
Макс. температура переходу150 °C
Час зворотного відновлення діода trr252 нс (ISD = 12 А, di/dt = 100 А/мкс, VDD = 60 В)
КорпусTO-252 (D-PAK)
СтанОригінал

Транзистор STF24NM60N ( 24NM60N , ST24NM60N) оригінал, TO220F

Немає в наявності

127,84 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал
Напруга Vds600 В (VGS = 0 В)
Струм стоку Id (25 °C)17 А (Tc = 25 °C, корпус TO-220FP)
Струм стоку Id (100 °C)11 А (Tc = 100 °C, корпус TO-220FP)
Опір Rds(on)168 мОм тип., 190 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 8 А)
Порогова напруга Vgs(th)2–4 В, тип. 3 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА)
Заряд затвора Qg44 нКл тип. (VDD = 480 В, ID = 17 А, VGS = 0–10 В)
Потужність Pd30 Вт (Tc = 25 °C, корпус TO-220FP)
Макс. температура переходу150 °C
КорпусTO-220F
СтанОригінал

Транзистор STP14NK50ZFP оригінал демонтаж, TO-220F

Немає в наявності

94,00 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал
Напруга Vds500 В (ID = 1 мА, VGS = 0 В)
Струм стоку Id (25 °C)14 А (TC = 25 °C, TO-220FP, обмежено температурою переходу)
Струм стоку Id (100 °C)7,6 А (TC = 100 °C, TO-220FP)
Імпульсний струм стоку48 А (TO-220FP)
Опір Rds(on)0,340 Ом тип., 0,380 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 6 А)
Порогова напруга Vgs(th)3,00–4,50 В, тип. 3,75 В (VDS = VGS, ID = 100 мкА)
Заряд затвора Qg69 нКл тип., 92 нКл макс. (VDD = 400 В, ID = 12 А, VGS = 0–10 В)
Потужність Pd35 Вт (TC = 25 °C, TO-220FP)
Макс. температура переходу150 °C
Ізоляція корпусу2,5 кВ ефект. (TC = 25 °C, t = 1 с)
КорпусTO-220F
СтанОригінал, демонтаж б/в

Транзистор SVF18N50PN ( 18N50 ) оригінал (заміна для FDA18N50 , FQA18N50 ) , TO-3P

Немає в наявності

235,00 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал
Напруга Vds500 В (Vgs 0 В, Id 250 мкА)
Струм Id (25 °C)18 А (Tc 25 °C)
Струм Id (100 °C)11 А
Rds(on)0.31 Ом (макс.), 0.26 Ом (тип.) при Vgs 10 В, Id 9 А
Vgs(th)від 2.0 до 4.0 В при Vgs = Vds, Id 250 мкА
Qg38 нКл (тип.; Vds 400 В, Id 18 А, Vgs 10 В)
Потужність Pd240 Вт (Tc 25 °C)
Макс. температура переходу Tj150 °C
Вбудований діодє (Vsd макс. 1.3 В при Is 18 А)
КорпусTO-3P
ВиробникHangzhou Silan Microelectronics
СтанОригінал

Транзистор SVF4N65F оригінал (4A,650V), TO220F

Немає в наявності

47,00 ₴
ПараметрЗначення
Напруга Vds650 В (VGS = 0 В)
Струм стоку Id (25 °C)4.0 А (Tc = 25 °C)
Струм стоку Id (100 °C)2.5 А (Tc = 100 °C)
Опір відкритого каналу Rds(on)2.3 Ом тип., 2.7 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 2 А)
Порогова напруга Vgs(th)2.0–4.0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА)
Макс. температура переходу Tj150 °C
Тип каналуN
КорпусTO-220F
СтанОригінал

Транзистор TIP107 , TO220

Немає в наявності

37,60 ₴
ПараметрЗначення
ТипPNP, Дарлінгтон
Напруга колектор–емітер Vceo100 В (IB = 0)
Напруга колектор–база Vcbo100 В (IE = 0)
Струм колектора Ic8 А
Імпульсний струм колектора Icm15 А
Потужність розсіювання Ptot80 Вт (Tcase 25 °C)
Макс. температура переходу Tj150 °C
Коефіцієнт підсилення hFE (мін.)1000 (Ic 3 А, Vce 4 В)
Напруга насичення Vce(sat)2 В макс. (Ic 3 А, Ib 6 мА)
КорпусTO-220

Транзистор TK13A60D ( K13A60D ) оригінал , TO220F

Немає в наявності

173,90 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникToshiba
Тип каналуN-канал
Напруга Vds (VDSS)600 В
Струм стоку Id (DC)13 А (Ta 25 °C)
Опір відкритого каналу Rds(on)0,33 Ом тип., 0,43 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 6,5 А)
Порогова напруга Vgs(th)2,0–4,0 В (Vds 10 В, Id 1 мА)
Заряд затвора Qg40 нКл (Vdd ≈ 400 В, Vgs 10 В, Id 13 А)
Розсіювана потужність Pd52 Вт (Tc 25 °C)
Макс. температура каналу Tch150 °C
Час зворотного відновлення діода trr1600 нс (Idr 13 А, Vgs 0 В, dI/dt 100 А/мкс)
КорпусTO-220F
СтанОригінал

Транзистор TSF20N60MR ( заміна для TSF20N50MR , STP20NM60FP , FQPF20N60 , HM20N60F , SIHP15N60E , JS60R380F , 60S380CE , IPAW60R380CE , R6020ANX , SVF20N60F , K18A60V , TK18A60V , FCPF20N60 , FQPF20N60C ) оригінал , TO220F

Немає в наявності

173,90 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал
Напруга Vds600 В (Tc 25 °C)
Струм Id (25 °C)20 А (обмежено макс. температурою переходу)
Струм Id (100 °C)12 А
Rds(on)0.30 Ом (тип.), макс. 0.4 Ом при Vgs 10 В, Id 10 А
Vgs(th)3–5 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА
Qg57 нКл (тип., макс. 65) при Vds 480 В, Id 20 А, Vgs 10 В
Pd40 Вт (Tc 25 °C)
Tj макс.150 °C
Вбудований діодє: Vsd макс. 1.4 В, trr 435 нс (тип.)
КорпусTO-220F
ВиробникTruesemi
СтанОригінал

Транзистор TT2170 оригінал , TO220F

Немає в наявності

141,00 ₴
ПараметрЗначення
ТипNPN, вбудований демпферний діод
Напруга колектор–база Vcbo1500 В (Ta 25 °C)
Напруга колектор–емітер Vceo800 В (Ta 25 °C)
Напруга емітер–база Vebo5 В (Ta 25 °C)
Струм колектора Ic5 А (Ta 25 °C)
Імпульсний струм колектора Icp12 А (Ta 25 °C)
Потужність розсіювання Pc25 Вт (Tc 25 °C)
Макс. температура переходу Tj150 °C
Коефіцієнт підсилення hFE1 (мін.)10 (Vce 5 В, Ic 0,5 А)
Напруга насичення Vce(sat)3 В макс. (Ic 2,7 А, Ib 0,54 А)
Час спаду tf0,3 мкс макс. (Ic 1,8 А, Ib1 0,36 А, Ib2 –0,72 А)
КорпусTO-220F
СтанОригінал

Транзистор TT2202 , TO-3PMLH

Немає в наявності

98,70 ₴
ПараметрЗначення
ТипNPN, вбудований демпферний діод
Напруга колектор–база Vcbo1500 В (Ta 25 °C)
Напруга колектор–емітер Vceo800 В (Ta 25 °C)
Напруга емітер–база Vebo5 В (Ta 25 °C)
Струм колектора Ic10 А (Ta 25 °C)
Імпульсний струм колектора Icp25 А (Ta 25 °C)
Потужність розсіювання Pc80 Вт (Tc 25 °C)
Макс. температура переходу Tj150 °C
Коефіцієнт підсилення hFE1 (мін.)15 (Vce 5 В, Ic 1 А)
Напруга насичення Vce(sat)3 В макс. (Ic 7,2 А, Ib 1,44 А)
Час спаду tf0,3 мкс макс. (Ic 5 А, Ib1 1 А, Ib2 –2 А)
КорпусTO-3PMLH

Транзистор TT2222 , TO220F оригінал

Немає в наявності

173,90 ₴
ПараметрЗначення
КорпусTO-220F
СтанОригінал

Транзистор UTC UTC100N03L ( 100N03L , UT100N03 , 100N03 ) оригінал, TO220(заміна для MT3203 )

Немає в наявності

216,20 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал
Напруга Vds30 В (Vgs 0 В, Id 250 мкА)
Струм Id (25 °C)100 А (Tc 25 °C)
Rds(on)4.6 мОм (макс.), 3.6 мОм (тип.) при Vgs 10 В, Id 50 А
Vgs(th)від 1.0 до 3.0 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА
Qg81 нКл (Vds 15 В, Vgs 5 В, Id 16 А)
Потужність Pd100 Вт (Tc 25 °C)
Макс. температура переходу Tj150 °C
КорпусTO-220
ВиробникUTC (Unisonic Technologies)
СтанОригінал

Транзистор V5036S ( ISL9V5036S3S ) оригінал, D2PAK

Немає в наявності

200,22 ₴
ПараметрЗначення
Виробникonsemi
ТипIGBT запалювання N-канал (EcoSPARK)
КорпусD2PAK
Напруга пробою Vces360 В (Ic = 2 мА, Vge = 0)
Струм Ic46 А (Tc = 25 °C); 31 А (Tc = 110 °C)
Vce(sat)1,17 В (Ic = 10 А, Vge = 4 В, Tc = 25 °C)
Заряд затвора Qg(on)32 нКл (Ic = 10 А, Vce = 12 В, Vge = 5 В)
Потужність Pd250 Вт (Tc = 25 °C)
Макс. температура переходу175 °C
СтанОригінал