Транзистори
Транзистор BC337-25 , to92
Немає в наявності
3,76 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга Vcbo | 50 В (BC337, Ta 25 °C) |
| Напруга Vceo | 45 В (BC337, Ta 25 °C) |
| Напруга Vebo | 5 В (Ta 25 °C) |
| Струм колектора Ic | 800 мА (постійний, Ta 25 °C) |
| Потужність Pd | 625 мВт (Ta 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Коефіцієнт підсилення hFE (група -25) | 160–400 (Vce 1 В, Ic 100 мА, Ta 25 °C) |
| hFE (2) | 60 мін. (Vce 1 В, Ic 300 мА, Ta 25 °C) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 0.7 В макс. (Ic 500 мА, Ib 50 мА, Ta 25 °C) |
| Гранична частота fT | 210 МГц мін. (Vce 5 В, Ic 10 мА, f 100 МГц, Ta 25 °C) |
| Вихідна ємність Cob | 15 пФ тип. (Vcb 10 В, Ie 0, f 1 МГц, Ta 25 °C) |
| Корпус | TO-92 |
Транзистор BC337-40 , to92
Немає в наявності
3,76 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга Vceo | 45 В (Ic 10 мА, Ib 0; для BC337) |
| Напруга Vcbo | 50 В (Ic 100 мкА, Ie 0; для BC337) |
| Струм колектора Ic | 800 мА (постійний, Tamb 25 °C) |
| Потужність Pd | 625 мВт (Tamb 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Коефіцієнт підсилення hFE (група -40) | 250–630 (Vce 1 В, Ic 100 мА) |
| hFE (2) | 60 мін. (Vce 1 В, Ic 300 мА) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 0,7 В макс. (Ic 500 мА, Ib 50 мА) |
| Напруга насичення Vbe(sat) | 1,2 В макс. (Ic 500 мА, Ib 50 мА) |
| Гранична частота fT | 210 МГц мін. (Vce 5 В, Ic 10 мА, f 100 МГц) |
| Вихідна ємність Cob | 15 пФ макс. (Vcb 10 В, f 1 МГц) |
| Корпус | TO-92 |
Транзистор BC368
Немає в наявності
5,17 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга Vceo | 20 В (Ic 10 мА, Ib 0) |
| Напруга Vcbo | 25 В (Ic 0,1 мА, Ie 0) |
| Струм колектора Ic | 1 А (постійний, Ta 25 °C) |
| Потужність Pc | 0,625 Вт (Ta 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Коефіцієнт підсилення hFE (1) | 85–375 (Vce 1 В, Ic 0,5 А) |
| hFE (3) | 60 мін. (Vce 1 В, Ic 1 А) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 0,5 В макс. (Ic 1 А, Ib 0,1 А) |
| Гранична частота fT | 65 МГц мін. (Vce 5 В, Ic 10 мА, f 35 МГц) |
| Корпус | TO-92 |
Транзистор BC547C , to92
Немає в наявності
5,17 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга колектор–емітер Vceo | 45 В (Ic 1 мА, Ib 0; для BC547) |
| Напруга колектор–база Vcbo | 50 В (Ic 100 мкА, Ie 0; для BC547) |
| Струм колектора Ic (постійний) | 100 мА (Tamb 25 °C) |
| Коефіцієнт підсилення hFE (група C) | 420–800 (Vce 5 В, Ic 2 мА) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 0,3 В макс. (Ic 100 мА, Ib 5 мА) |
| Напруга насичення Vbe(sat) | 1,1 В макс. (Ic 100 мА, Ib 5 мА) |
| Потужність розсіювання Pd | 625 мВт (Tamb 25 °C) |
| Гранична частота fT | 150 МГц мін. (Vce 5 В, Ic 10 мА, f 100 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-92 |
Транзистор BC557C (45V,0.1A,0.5W,p-n-p) , to92
Немає в наявності
5,17 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | PNP |
| Напруга колектор–емітер Vceo | -45 В (Ic -2 мА, Ib 0; для BC557) |
| Напруга колектор–база Vcbo | -50 В (Ic -100 мкА, Ie 0; для BC557) |
| Струм колектора Ic (постійний) | -100 мА (Tamb 25 °C) |
| Коефіцієнт підсилення hFE (група C) | 420–800 (Vce -5 В, Ic -2 мА) |
| Напруга насичення Vce(sat) | -0,65 В макс. (Ic -100 мА, Ib -5 мА) |
| Напруга насичення Vbe(sat) | -1 В макс. (Ic -100 мА, Ib -5 мА) |
| Потужність розсіювання Pc | 625 мВт (Tamb 25 °C) |
| Гранична частота fT | 150 МГц мін. (Vce -5 В, Ic -10 мА, f 100 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-92 |
Транзистор BC560C , to92
Немає в наявності
1,88 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | PNP |
| Напруга колектор–емітер Vceo | -45 В (для BC557/560) |
| Напруга колектор–база Vcbo | -50 В (для BC557/560) |
| Струм колектора Ic (постійний) | -100 мА (Ta 25 °C) |
| Коефіцієнт підсилення hFE (група C) | 420–800 (Vce -5 В, Ic 2 мА) |
| Напруга насичення Vce(sat) | -250 мВ тип., -650 мВ макс. (Ic -100 мА, Ib -5 мА) |
| Напруга насичення Vbe(sat) | -900 мВ тип. (Ic -100 мА, Ib -5 мА) |
| Потужність розсіювання Pc | 500 мВт (Ta 25 °C) |
| Гранична частота fT | 150 МГц тип. (Vce -5 В, Ic -10 мА, f 10 МГц) |
| Вихідна ємність Cob | 6 пФ тип. (Vcb -10 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-92 |
Транзистор BC807-40 (45V,0.8A,0.35W) pnp , sot23
Немає в наявності
2,82 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | PNP |
| Напруга Vceo | -45 В (Ta 25 °C) |
| Напруга Vcbo | -50 В (Ta 25 °C) |
| Напруга Vebo | -5 В (Ta 25 °C) |
| Струм колектора Ic | -800 мА (Ta 25 °C) |
| Потужність Pc | 350 мВт (Ta 25 °C, корпус на кераміці Al2O3 10×8×0,6 мм) |
| Температура переходу Tj | 150 °C |
| Коефіцієнт підсилення hFE (група -40) | 250–630 (Vce -1 В, Ic -100 мА) |
| Напруга насичення Vce(sat) | -0,7 В макс. (Ic -500 мА, Ib -50 мА) |
| Гранична частота fT | 80 МГц мін. (Vce -5 В, Ic -10 мА, f 100 МГц) |
| Вихідна ємність Cob | 9 пФ тип. (Vcb -10 В, Ie 0, f 1 МГц) |
| Корпус | SOT-23 |
Транзистор BC848B (30V,0.1A,0.31W , n-p-n) , sot23
Немає в наявності
2,82 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга Vceo | 30 В (BC848, Ta 25 °C) |
| Напруга Vcbo | 30 В (BC848, Ta 25 °C) |
| Напруга Vebo | 5 В (BC848, Ta 25 °C) |
| Струм колектора Ic | 100 мА (DC; імпульс Icp 200 мА; Ta 25 °C) |
| Температура переходу Tj | 150 °C |
| Коефіцієнт підсилення hFE (група B) | 200–450 (Vce 5 В, Ic 2 мА) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 0,25 В макс. (Ic 10 мА, Ib 0,5 мА) |
| Гранична частота fT | 300 МГц тип. (Vce 5 В, Ic 10 мА, f 100 МГц) |
| Вихідна ємність Cob | 2,5 пФ тип. (Vcb 10 В, Ie 0, f 1 МГц) |
| Коефіцієнт шуму NF | 1,0 дБ тип. (Vce 6 В, Ic 0,1 мА, Rg 10 кОм, f 1 кГц) |
| Корпус | SOT-23 |
Транзистор BC857C , sot23
Немає в наявності
1,88 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | PNP |
| Напруга Vceo | -45 В (BC857, Ta 25 °C) |
| Напруга Vcbo | -50 В (BC857, Ta 25 °C) |
| Напруга Vebo | -5 В (BC857, Ta 25 °C) |
| Струм колектора Ic | -100 мА (Ta 25 °C) |
| Потужність Pc | 350 мВт (Ta 25 °C, корпус на кераміці Al2O3 10×8×0,6 мм) |
| Температура переходу Tj | 150 °C |
| Коефіцієнт підсилення hFE (група C) | 420–800 (Vce -5 В, Ic -2 мА) |
| Напруга насичення Vce(sat) | -0,3 В макс. (Ic -10 мА, Ib -0,5 мА) |
| Гранична частота fT | 150 МГц тип. (Vce -5 В, Ic -10 мА, f 100 МГц) |
| Вихідна ємність Cob | 4,5 пФ тип. (Vcb -10 В, Ie 0, f 1 МГц) |
| Коефіцієнт шуму NF | 2,0 дБ тип. (Vce -6 В, Ic -0,2 мА, Rg 2 кОм, f 1 кГц) |
| Корпус | SOT-23 |
Транзистор BD237
Немає в наявності
9,87 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Корпус | SOT-32 (TO-126) |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Напруга колектор–емітер Vceo | 80 В (Ib = 0) |
| Напруга колектор–база Vcbo | 100 В (Ie = 0) |
| Напруга емітер–база Vebo | 5 В (Ic = 0) |
| Струм колектора Ic | 2 А (постійний) |
| Потужність розсіювання Ptot | 25 Вт (Tcase 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Коефіцієнт підсилення hFE | мін. 40 (Ic 150 мА, Vce 2 В) |
| Напруга насичення Vce(sat) | макс. 0,6 В (Ic 1 А, Ib 0,1 А) |
| Напруга база–емітер Vbe(on) | макс. 1,3 В (Ic 1 А, Vce 2 В) |
Транзистор BD243C , TO220
Немає в наявності
39,95 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | SPTECH |
| Напруга колектор–емітер Vceo | 100 В (мін., Ic 30 мА, Ib = 0) |
| Напруга колектор–база Vcbo | 110 В |
| Напруга емітер–база Vebo | 5 В |
| Струм колектора Ic | 6 А (постійний; імпульс Icm 10 А) |
| Потужність розсіювання Pc | 65 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Коефіцієнт підсилення hFE | мін. 30 (Ic 0,3 А, Vce 4 В) |
| Напруга насичення Vce(sat) | макс. 1,5 В (Ic 6 А, Ib 1 А) |
| Напруга база–емітер Vbe(on) | макс. 2,0 В (Ic 6 А, Vce 4 В) |
| Гранична частота fT | мін. 3,0 МГц (Ic 0,5 А, Vce 10 В, f 1 МГц) |
| Тепловий опір перехід–корпус | макс. 1,92 °C/Вт |
Транзистор BD438 (p-n-p 45V,4A,36W)
Немає в наявності
18,80 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | PNP |
| Корпус | SOT-32 (TO-126) |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Напруга колектор–емітер Vceo | -45 В (IB = 0) |
| Напруга колектор–база Vcbo | -45 В (IE = 0) |
| Струм колектора Ic | -4 А (постійний) |
| Імпульсний струм колектора Icm | -7 А (t ≤ 10 мс) |
| Потужність розсіювання Pd | 36 Вт (Tc ≤ 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Напруга насичення Vce(sat) | макс. -0.6 В (Ic = -2 А, Ib = -0.2 А) |
| Гранична частота fT | мін. 3 МГц (Ic = -250 мА, Vce = -1 В) |
Транзистор BD647F (n-p-n,сост-й,80V,8A,62.5W)
Немає в наявності
32,90 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN Дарлінгтон (комплементарний до BD648F) |
| Напруга Vceo | 80 В (IB = 0) |
| Напруга Vcbo | 100 В |
| Струм колектора Ic | 8 А (постійний) |
| Імпульсний струм колектора | 12 А |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Коефіцієнт підсилення hFE | 750 (мін., Ic 3 А, Vce 3 В) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 2.0 В (макс., Ic 3 А, Ib 12 мА) |
Транзистор BD675A
Немає в наявності
16,92 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN Дарлінгтон |
| Напруга Vceo(sus) | 45 В (Ic 50 мА, Ib = 0) |
| Струм колектора Ic | 4 А (постійний) |
| Потужність розсіювання Pd | 40 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Коефіцієнт підсилення hFE | 750 (мін., Ic 2 А, Vce 3 В) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 2.8 В (макс., Ic 2 А, Ib 40 мА) |
| Корпус | SOT-32 (TO-126) |
Транзистор BD679A (n-p-n 80V,4A,40W)
Немає в наявності
13,63 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN Дарлінгтон (з вбудованим зустрічно-паралельним діодом колектор–емітер) |
| Напруга Vceo(sus) | 80 В (Ic 50 мА, Ib = 0) |
| Напруга Vcbo | 80 В (IE = 0) |
| Струм колектора Ic | 4 А (постійний) |
| Імпульсний струм колектора Icm | 6 А |
| Потужність розсіювання Pd | 40 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Коефіцієнт підсилення hFE | 750 (мін., Ic 2 А, Vce 3 В) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 2.8 В (макс., Ic 2 А, Ib 40 мА) |
| Корпус | SOT-32 (TO-126) |
Транзистор BDW93C (n-p-n 100V,12A,80W,составний) , TO220 ( 2N6488 )
Немає в наявності
38,54 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN Дарлінгтон (з вбудованим діодом колектор–емітер) |
| Напруга колектор–емітер Vceo | 100 В (IB = 0) |
| Напруга колектор–база Vcbo | 100 В (IE = 0) |
| Струм колектора Ic | 12 А (постійний) |
| Імпульсний струм колектора Icm | 15 А |
| Потужність розсіювання Pd | 80 Вт (Tc = 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Тепловий опір перехід–корпус | 1.56 °C/Вт (макс.) |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | STMicroelectronics |
Транзистор BDX54C
Немає в наявності
23,03 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | PNP, складений транзистор Дарлінгтона |
| Напруга колектор-емітер Vceo | -100 В (Ib = 0) |
| Напруга колектор-база Vcbo | -100 В (Ic = 0) |
| Напруга емітер-база Vebo | -5 В |
| Струм колектора Ic | -8 А (постійний) |
| Імпульсний струм колектора Icm | -12 А |
| Струм бази Ib | -0.2 А |
| Потужність розсіювання Ptot | 60 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Тепловий опір перехід-корпус | 2.08 °C/Вт |
| Напруга насичення Vce(sat) | -2 В макс. (Ic = 3 А, Ib = 12 мА, Tc 25 °C) |
| Коефіцієнт підсилення hFE | 750 мін. (Ic = 3 А, Vce = 3 В) |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | STMicroelectronics |
Транзистор BF245A
Немає в наявності
28,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канал, JFET |
| Напруга стік–затвор Vdg | 30 В |
| Прямий струм затвора Igf | 10 мА |
| Початковий струм стоку Idss | 2–6,5 мА (VDS=15 В, VGS=0) |
| Крутизна gfs | 3–6,5 мСм (VDS=15 В, VGS=0, f=1 кГц) |
| Потужність розсіювання Pd | 350 мВт (TA=25 °C, зниження 2,8 мВт/°C) |
| Робочий діапазон температур | -55…150 °C |
| Корпус | TO-92 |
Транзистор BF420 , to92
Немає в наявності
4,70 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга колектор-емітер Vceo | 300 В (Ta 25 °C) |
| Напруга колектор-база Vcbo | 300 В (Ta 25 °C) |
| Напруга емітер-база Vebo | 5 В (Ta 25 °C) |
| Струм колектора Ic | 50 мА (постійний, Ta 25 °C) |
| Імпульсний струм колектора Icp | 100 мА (Ta 25 °C) |
| Потужність розсіювання Pc | 625 мВт (Ta 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Коефіцієнт підсилення hFE | 50 мін. (Vce 20 В, Ic 25 мА) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 0.6 В макс. (Ic 30 мА, Ib 5 мА) |
| Напруга база-емітер Vbe | 0.75 В тип. (Vce 20 В, Ic 25 мА) |
| Гранична частота fT | 60 МГц мін. (Vce 10 В, Ic 10 мА) |
| Прохідна ємність Cre | 1.6 пФ макс. (Vcb 30 В, f 1 МГц) |
| Корпус | TO-92 |
| Виробник | KEC |
Транзистор BF422 , to92
Немає в наявності
4,70 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга Vceo | 250 В (Ta 25 °C) |
| Напруга Vcbo | 250 В (Ta 25 °C) |
| Напруга Vebo | 5 В (Ta 25 °C) |
| Струм колектора Ic | 50 мА (Ta 25 °C) |
| Струм колектора імпульсний Icp | 100 мА (Ta 25 °C) |
| Потужність розсіювання Pc | 625 мВт (Ta 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| hFE (мін.) | 50 (Vce 20 В, Ic 25 мА) |
| Vce(sat) (макс.) | 0.6 В (Ic 30 мА, Ib 5 мА) |
| Vbe (тип.) | 0.75 В (Vce 20 В, Ic 25 мА) |
| Гранична частота fT (мін.) | 60 МГц (Vce 10 В, Ic 10 мА) |
| Прохідна ємність Cre (макс.) | 1.6 пФ (Vcb 30 В, f 1 МГц) |
| Корпус | TO-92 |
| Виробник | KEC |
Транзистор BF423 , to92
Немає в наявності
2,82 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | PNP |
| Напруга Vceo | -250 В (Ta 25 °C) |
| Напруга Vcbo | -250 В (Ta 25 °C) |
| Напруга Vebo | -5 В (Ta 25 °C) |
| Струм колектора Ic | -50 мА (Ta 25 °C) |
| Струм колектора імпульсний Icp | -100 мА (Ta 25 °C) |
| Потужність розсіювання Pc | 625 мВт (Ta 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| hFE (мін.) | 50 (Vce -20 В, Ic -25 мА) |
| Vce(sat) (макс.) | -0.6 В (Ic -30 мА, Ib -5 мА) |
| Vbe (тип.) | -0.75 В (Vce -20 В, Ic -25 мА) |
| Гранична частота fT (мін.) | 60 МГц (Vce -10 В, Ic -10 мА) |
| Прохідна ємність Cre (макс.) | 1.6 пФ (Vcb -30 В, f 1 МГц) |
| Корпус | TO-92 |
| Виробник | KEC |
Транзистор BT15N120 оригінал, TO3P
Немає в наявності
282,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга колектор–емітер Vces | 1200 В |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 15 А (Tc 100 °C) |
| Порогова напруга затвора Vge(th) | 5,3 В (Ic 15 мА, Vce = Vge, типове) |
| Заряд затвора Qg | 127 нКл (Vce 600 В, Ic 15 А, Vge 15 В, типове) |
| Вбудований діод | так |
| Пряма напруга діода Vf | 1,2 В (If 15 А, Tc 25 °C, типове) |
| Час відновлення діода trr | 326 нс (If 15 А, di/dt 200 А/мкс, Tc 25 °C, типове) |
| Потужність розсіювання Pd | 186 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
Транзистор BTS112A , D2PAK
Немає в наявності
188,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Тип каналу | N-канал, режим збагачення (TEMPFET) |
| Напруга Vds | 60 В |
| Струм стоку Id | 12 А (Tc 33 °C) |
| Опір відкритого каналу Rds(on) | 0,12 Ом тип., 0,15 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 7,5 А, Tj 25 °C) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2,5–3,5 В (тип. 3,0 В; Vgs = Vds, Id 1 мА) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Пряма напруга діода Vsd | 1,3 В тип., 1,6 В макс. (If 12 А, Vgs 0 В) |
| Корпус | D2PAK |
Транзистор BU2508AF оригінал ( BU508AF )
Немає в наявності
57,34 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга Vces | 1500 В (Vbe = 0, Ta 25 °C) |
| Напруга Vceo | 700 В (Ta 25 °C) |
| Напруга Vebo | 7.5 В |
| Струм колектора Ic | 8 А |
| Струм колектора імпульсний Icm | 15 А |
| Струм бази Ib | 4 А |
| Потужність розсіювання Pc | 45 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Тепловий опір перехід-корпус | 2.5 °C/Вт (макс.) |
| Vce(sat) (макс.) | 1.0 В (Ic = 4.5 А, Ib = 1.1 А) |
| Vbe(sat) (макс.) | 1.1 В (Ic = 4.5 А, Ib = 1.7 А) |
| Струм відсічки Ices (макс.) | 1.0 мА (Vce 1500 В, Vbe 0; 2.0 мА при Tc 125 °C) |
| Вихідна ємність Cob | 80 пФ (Vcb 10 В, f 1 МГц) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор BU2525AF оригінал
Немає в наявності
94,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга Vcesm | 1500 В (VBE = 0 В) |
| Напруга Vceo | 800 В (база розімкнена) |
| Струм Ic | 12 А (усереднений за 20 мс) |
| Струм Icm | 30 А (Ths 25 °C) |
| Потужність Ptot | 45 Вт (Ths 25 °C) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 5.0 В макс. (Ic = 8 А; Ib = 1,6 А) |
| Час спаду tf | 0.2 мкс тип., 0.35 мкс макс. |
| Ізоляційна напруга Visol | 2500 В (повторювана, RH ≤ 65 %) |
| Температура переходу Tj max | 150 °C |
| Корпус | SOT199 |
| Виробник | Philips Semiconductors (NXP) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор BU4508DX оригінал
Немає в наявності
54,05 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга Vces | 1500 В (VBE = 0) |
| Напруга Vceo | 800 В |
| Струм Ic | 8 А (Ta = 25 °C) |
| Струм Icm | 15 А (Ta = 25 °C) |
| Потужність Pc | 45 Вт (Tc = 25 °C) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 3.0 В макс. (Ic = 5 А; Ib = 1,25 А; Tc = 25 °C) |
| Коефіцієнт підсилення hFE | 7 мін. (Ic = 0,5 А; Vce = 5 В), 4.2 мін. (Ic = 5 А; Vce = 5 В) |
| Пряма напруга діода Vf | 2.2 В макс. (If = 5 А) |
| Час спаду tf | 0.4 мкс макс. (Ic = 5 А; Ib1 = 1,0 А; Ib2 = –2,5 А) |
| Температура переходу Tj max | 150 °C |
| Вбудований демпферний діод | є |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор BU931P ( BU931 ) оригінал демонтаж, TO247
Немає в наявності
216,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN Дарлінгтон (AEC-Q101) |
| Напруга Vces | 500 В (VBE = 0) |
| Напруга Vceo | 400 В (IB = 0) |
| Струм Ic | 15 А |
| Струм Icm | 30 А |
| Потужність Ptot | 135 Вт (Tc = 25 °C) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1.6 В макс. (Ic = 7 А; Ib = 70 мА; Tc = 25 °C) |
| Коефіцієнт підсилення hFE | 300 мін. (Ic = 5 А; Vce = 10 В) |
| Пряма напруга діода Vf | 2.5 В макс. (If = 10 А) |
| Час спаду tf | 0.5 мкс тип. |
| Час розсмоктування ts | 15 мкс тип. |
| Температура переходу | –65…175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор BU941P ( BU941ZP , BU941 ) оригінал демонтаж, TO218
Немає в наявності
216,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN Дарлінгтон |
| Напруга колектор–база Vcbo | 500 В |
| Напруга колектор–емітер Vceo | 400 В (Vceo(sus) мін. при Ib = 50 мА) |
| Струм колектора Ic (постійний) | 15 А |
| Струм колектора, пік Icm | 30 А |
| Потужність розсіювання Pc | 155 Вт (Tc = 25 °C) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1.6 В макс. (Ic = 8 А; Ib = 100 мА) |
| Коефіцієнт підсилення hFE | 300 мін. (Ic = 5 А; Vce = 10 В) |
| Пряма напруга вбудованого діода Vecf | 2.5 В макс. (If = 10 А) |
| Температура переходу Tj max | 150 °C |
| Корпус | TO-218 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор BUT11APX , TO220F
Немає в наявності
63,45 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга колектор–емітер Vceo | 450 В (база розімкнена) |
| Напруга колектор–емітер, пікова Vcesm | 1000 В (VBE = 0 В) |
| Напруга колектор–база Vcbo | 1000 В (емітер розімкнений) |
| Струм колектора Ic (постійний) | 5 А |
| Струм колектора, пік Icm | 10 А |
| Потужність розсіювання Ptot | 32 Вт (Ths 25 °C) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1.5 В макс. (Ic = 3,0 А; Ib = 0,6 А) |
| Час спаду tf | 160 нс макс. / 145 нс тип. (Icsat = 2,5 А; Ib1 = 0,5 А; Ib2 = 0,8 А) |
| Температура переходу Tj max | 150 °C |
| Ізоляційна напруга Visol | 2500 В (RMS, 50–60 Гц) |
| Корпус | SOT186A (TO-220F, ізольований) |
| Виробник | Philips Semiconductors (NXP) |
Транзистор BUZ11 , TO220
Немає в наявності
22,09 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канал, підвищення |
| Напруга Vds | 50 В (TJ 25–125 °C) |
| Струм Id | 30 А (TC=30 °C) |
| Імпульсний струм Idm | 120 А |
| Rds(on) | 0,03 Ом тип., 0,04 Ом макс. (ID=15 А, VGS=10 В) |
| Vgs(th) | 2,1–4 В, тип. 3 В (VGS=VDS, ID=1 мА) |
| Напруга затвор–витік Vgs | ±20 В |
| Потужність розсіювання Pd | 75 Вт (TC=25 °C, зниження 0,6 Вт/°C) |
| Крутизна gfs | 8 См тип., 4 См мін. (VDS=25 В, ID=15 А) |
| Діапазон температур | -55…150 °C |
| Корпус | TO-220 |
Транзистор BUZ90AF оригінал
Немає в наявності
94,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга стік–витік Vdss | 600 В (Vgs 0 В, Id 0.25 мА, Tc 25 °C, мін.) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 4.0 А (Tc 25 °C) |
| Опір відкритого каналу Rds(on) | 2.0 Ом (макс.; Vgs 10 В, Id 2.8 А, Tc 25 °C) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.1–4.0 В (Vds 10 В, Id 1.0 мА, Tc 25 °C) |
| Розсіювана потужність Pd | 75 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C (робочий діапазон -55~150 °C) |
| Пряма напруга вбудованого діода Vsd | 1.2 В (макс.; Is 2.8 А, Vgs 0 В) |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор F13N65A ( JMPF13N65A , STF13N65 , MDF13N65B ) оригінал демонтаж , TO220F
Немає в наявності
173,90 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга стік–витік Vds | 650 В (Vgs 0 В, Id 1 мА) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 10 А (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 6.3 А (Tc 100 °C) |
| Опір відкритого каналу Rds(on) | 370 мОм тип., 430 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 5 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2 / 3 / 4 В (мін. / тип. / макс.; Vds = Vgs, Id 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 17 нКл тип. (Vdd 520 В, Id 10 А, Vgs 0…10 В) |
| Розсіювана потужність Pd | 25 Вт (Tc 25 °C) |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор FGA20S120M ( FGA20S 120M ) оригінал, TO-3P
Немає в наявності
229,36 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 1200 В (VGE = 0 В, Ic 2 мА) |
| Струм Ic (Tc 25 °C) | 40 А |
| Струм Ic (Tc 100 °C) | 20 А |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1,55 В (Ic 20 А, VGE 15 В, Tc 25 °C, типово) |
| Напруга Vce(sat) при 175 °C | 1,85 В (Ic 20 А, VGE 15 В, Tc 175 °C, типово) |
| Заряд затвора Qg | 208 нКл (VCE 600 В, Ic 20 А, VGE 15 В) |
| Потужність Pd | 348 Вт (Tc 25 °C) |
| Енергія вимкнення Eoff | 1,43 мДж (VCC 600 В, Ic 20 А, Rg 10 Ом, VGE 15 В, Tc 25 °C) |
| Час спаду tf | 320 нс (VCC 600 В, Ic 20 А, Rg 10 Ом, VGE 15 В, Tc 25 °C) |
| Вбудований діод | є |
| Пряма напруга діода Vf | 1,7 В (If 20 А, Tc 25 °C, типово) |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FGD3040G2 оригінал, D-PAK
Немає в наявності
164,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга пробою BVCER | 400 В (Ice 2 мА, Vge = 0, Rge 1 кОм) |
| Струм Ic (Tc 25 °C) | 41 А (Vge 5 В) |
| Струм Ic (Tc 110 °C) | 25,6 А (Vge 5 В) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1,15 В (Ice 6 А, Vge 4 В, Tj 25 °C, типове) |
| Порогова напруга Vge(th) | 1,7 В (Ice 1 мА, Vce = Vge, Tj 25 °C) |
| Заряд затвора Qg(on) | 21 нКл (Ice 10 А, Vce 12 В, Vge 5 В) |
| Потужність Pd | 150 Вт (Tc 25 °C) |
| Енергія SCIS | 300 мДж (Tj 25 °C, L 3 мГн, Iscis 14,2 А, Vcc 100 В) |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Тип | N-канал, логічний рівень керування затвором |
| Корпус | D-PAK (DPAK3, TO-252) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FGP15N60UNDF ( FGP15N60 ) оригінал, TO220
Немає в наявності
201,63 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга колектор–емітер Vces | 600 В (VGE = 0 В) |
| Струм колектора Ic (Tc 100 °C) | 15 А |
| Струм колектора Ic (Tc 25 °C) | 30 А |
| Напруга насичення Vce(sat) | 2,2 В (Ic 15 А, VGE 15 В, Tc 25 °C, типово) |
| Заряд затвора Qg | 43 нКл (VCE 400 В, Ic 15 А, VGE 15 В) |
| Потужність розсіювання Pd | 178 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Вбудований діод | є |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | onsemi |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FHA13009 оригінал ( заміна для MJE13009 , MJE13009L , J13009 , E13009L , KSH13009AL , KSE13009L , 3DD13009H , 3DD13009 , KSH13009H ), TO-3P
Немає в наявності
69,09 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vcbo | 700 В (IE = 0; Tc 25 °C) |
| Напруга Vceo | 400 В (IB = 0) |
| Напруга Vebo | 9 В (IC = 0) |
| Струм колектора Ic | 12 А (DC) |
| Потужність Pc | 100 Вт (Tc 25 °C) |
| hFE | 8–40 (VCE 5 В, IC 3 А) |
| Vce(sat) | 1.0 В макс. (IC 5 А, IB 1 А) |
| Гранична частота fT | 4 МГц (VCE 10 В, IC 0,5 А) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FHP100N03 оригінал, TO220
Немає в наявності
54,99 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 30 В (ID = 250 мкА, VGS = 0 В) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 100 А (TC = 25 °C, обмежено температурою переходу) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 68 А (TC = 100 °C) |
| Імпульсний струм стоку | 400 А |
| Опір Rds(on) при 10 В | 3,7 мОм тип., 4,8 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 20 А) |
| Опір Rds(on) при 4,5 В | 5,1 мОм тип., 7,2 мОм макс. (VGS = 4,5 В, ID = 16 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 1,0–3,0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 26 нКл (VDS = 15 В, ID = 20 А, VGS = 10 В) |
| Потужність Pd | 44,6 Вт (TC = 25 °C) |
| Напруга затвор–витік | ±20 В |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FQPF8N60C ( HM8N60F ) , TO220F
Немає в наявності
79,90 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 600 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 7.5 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 4.6 А |
| Опір Rds(on) | 1.0 Ом typ. (макс. 1.2 Ом), Vgs 10 В, Id 3.75 А |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 28 нКл typ. (Vds 480 В, Id 7.5 А, Vgs 10 В) |
| Потужність розсіювання Pd | 48 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Тип каналу | N |
| Корпус | TO-220F |
| Вбудований діод | є, Vsd макс. 1.4 В (Is 7.5 А, Vgs 0 В) |
Транзистор G80H65DFB ( GWA80H65DFB , STGWA80H65DFB ) оригінал, TO247
Немає в наявності
423,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга колектор–емітер Vces | 650 В (VGE = 0 В) |
| Струм колектора Ic (Tc 100 °C) | 80 А |
| Струм колектора Ic (Tc 25 °C) | 120 А (обмежено корпусом) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1,65 В (VGE 15 В, Ic 80 А, Tj 25 °C, типово) |
| Заряд затвора Qg | 453 нКл (VCC 520 В, Ic 80 А, VGE 0–15 В) |
| Потужність розсіювання Ptot | 535 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Вбудований діод | є, швидкий м’який |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Стан | Оригінал |
Транзистор GW38IH130D ( STGW38IH130D ) оригінал, TO-247 (заміна для 20N120CND , 30N140IHR , NGTB30N140IHR3 , IRG4PH50S , AUIRG4PH50S )
Немає в наявності
250,04 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга колектор–емітер Vces | 1300 В (VGE = 0) |
| Струм колектора Ic (Tc 100 °C) | 33 А |
| Струм колектора Ic (Tc 25 °C) | 63 А |
| Напруга насичення Vce(sat) | 2,1 В (VGE 15 В, Ic 20 А, Tj 25 °C, типово) |
| Заряд затвора Qg | 127 нКл (VCE 960 В, Ic 20 А, VGE 15 В) |
| Потужність розсіювання Ptot | 250 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Вбудований діод | є |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Стан | Оригінал |