Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор G80H65DFB ( GWA80H65DFB , STGWA80H65DFB ) оригінал, TO247
423,00 ₴
Немає в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Немає в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
G80H65DFB (GWA80H65DFB, STGWA80H65DFB) – IGBT-транзистор STMicroelectronics на 650 В зі швидким діодом, для PFC та високочастотних перетворювачів. Оригінал.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга колектор–емітер Vces | 650 В (VGE = 0 В) |
| Струм колектора Ic (Tc 100 °C) | 80 А |
| Струм колектора Ic (Tc 25 °C) | 120 А (обмежено корпусом) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1,65 В (VGE 15 В, Ic 80 А, Tj 25 °C, типово) |
| Заряд затвора Qg | 453 нКл (VCC 520 В, Ic 80 А, VGE 0–15 В) |
| Потужність розсіювання Ptot | 535 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Вбудований діод | є, швидкий м’який |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Стан | Оригінал |
G80H65DFB – IGBT-транзистор STMicroelectronics з вбудованим антипаралельним швидким м'яким діодом, корпус TO-247 long leads. Напруга колектор–емітер Vces 650 В (VGE = 0 В). Струм колектора Ic 80 А при Tc 100 °C; при Tc 25 °C – 120 А, обмежено корпусом. Напруга насичення Vce(sat) типово 1,65 В (VGE 15 В, Ic 80 А, Tj 25 °C; макс. 2,0 В). Заряд затвора Qg 453 нКл (VCC 520 В, Ic 80 А, VGE 0–15 В). Потужність розсіювання 535 Вт при Tc 25 °C, максимальна температура переходу 175 °C.
Деталь оригінал, не демонтаж. Параметри наведені за документом на STGWA80H65DFBAG (STMicroelectronics). Підбираючи заміну, порівнюйте напругу Vces, струм Ic при 100 °C, Vce(sat), наявність діода та корпус, а також заряд затвора: від нього залежить навантаження на драйвер. У каталозі є IGBT YGW75N65HP, який проходить за цими параметрами. Відправка в день оплати або наступного дня, Нова Пошта, Запоріжжя.
Де застосовують
- PFC
- Високочастотні перетворювачі
Заміни з нашого каталогу, підібрані за параметрами datasheet. Не впевнені – надішліть фото плати, підберемо.
| Модель | Чому підходить | Примітка | |
|---|---|---|---|
| YGW75N65HP | Vces 650 ≥ 650, Ic(100 °C) 75 ≥ 0.8×80 = 64, Vce(sat) 25 °C (typ) 1,65 ≤ 1.3×1,65 = 2,15, діод є в обох, корпус TO-247 = TO-247 | перевірте драйвер: заряд затвора може відрізнятися | Купити |
Вказаний перелік аналогів носить ознайомчий характер. Сумісність треба обов'язково перевіряти самостійно, порівнюючи параметри, вказані в datasheet.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чим замінити G80H65DFB?
Підбирайте IGBT з Vces не нижче 650 В, струмом при 100 °C не нижчим за наш, порівнянним Vce(sat), діодом і корпусом TO-247. У каталозі за цими правилами проходить YGW75N65HP.
Як перевірити IGBT мультиметром?
Зніміть транзистор зі схеми. Режим перевірки діодів: діод між колектором і емітером має мати пряму напругу в одному напрямку, у зворотному – обрив. Між затвором і рештою виводів не має бути провідності.
Для чого підходить G80H65DFB?
За даними виробника – для PFC та високочастотних перетворювачів.
Чи враховувати заряд затвора при заміні?
Так. У G80H65DFB Qg 453 нКл (VCC 520 В, Ic 80 А, VGE 0–15 В); якщо у заміни заряд удвічі більший, перевірте, чи впорається драйвер.
Документація виробника: STGWA80H65DFBAG (STMicroelectronics), DS14160 Rev 1.
Документ на автомобільну версію STGWA80H65DFBAG; цифри для варіанта без AG у ньому не підтверджені.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
IGBT-транзистор H40R1203 ( IHW40N120R3 ) , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Номер | IHW40N120R3 |
| Маркування | H40R1203 |
| Виробник | Infineon |
| Тип | IGBT-транзистор зі зворотно-провідним діодом |
| Напруга Vces | 1200 В |
| Струм Ic (25 °C) | 80 А |
| Струм Ic (100 °C) | 40 А |
| Vce(sat) | 1,55 В тип. (VGE = 15 В, IC = 40 А, Tvj = 25 °C) |
| Потужність Pd (25 °C) | 429 Вт |
| Вхідна ємність Cies | 2708 пФ |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
IGBT-транзистор KGF75N65KDF ( 75N65KDF ) оригінал, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 100 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 75 А |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1,77 В тип. / 2,2 В макс. (Ic 75 А, Vge 15 В, Tc 25 °C) |
| Розсіювана потужність Pd | 484 Вт (Tc 25 °C) |
| Максимальна температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Вбудований діод | так (co-pack) |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.