Транзистори
Транзистор 2SC1008Y , to92
Немає в наявності
6,58 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга колектор–емітер Vceo | 60 В (Ta 25 °C; Ic 10 мА, Ib 0) |
| Напруга колектор–база Vcbo | 80 В (Ta 25 °C; Ic 10 мкА, Ie 0) |
| Струм колектора Icm | 700 мА (Ta 25 °C) |
| Потужність розсіювання Pc | 800 мВт (Ta 25 °C) |
| Коефіцієнт підсилення hFE (група Y) | 120–240 |
| Напруга насичення Vce(sat) | 0,4 В (макс.; Ic 500 мА, Ib 50 мА) |
| Гранична частота fT | 30 МГц (мін.; Vce 10 В, Ib 50 мА, f 100 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-92 |
Транзистор 2SC1027
Немає в наявності
16,45 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга колектор–емітер Vceo | 80 В (база розімкнена) |
| Напруга колектор–база Vcbo | 250 В (емітер розімкнений) |
| Напруга емітер–база Vebo | 5 В (колектор розімкнений) |
| Струм колектора Ic | 6 А |
| Потужність розсіювання Pc | 50 Вт (Tc 25 °C) |
| Коефіцієнт підсилення hFE | 10 (мін.; Ic 5 А, Vce 2 В) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1.0 В (макс.; Ic 5 А, Ib 0,5 А, Tj 25 °C) |
| Напруга насичення Vbe(sat) | 1.5 В (макс.; Ic 5 А, Ib 0,5 А, Tj 25 °C) |
| Зворотний струм колектора Icbo | 0.1 мА (макс.; Vcb 250 В, Ie 0) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-3 |
Транзистор 2SC1473
Немає в наявності
3,76 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга колектор–емітер Vceo | 200 В (база розімкнена) |
| Напруга колектор–база Vcbo | 250 В (емітер розімкнений) |
| Напруга емітер–база Vebo | 7 В (колектор розімкнений) |
| Струм колектора Ic | 70 мА (Ta 25 °C) |
| Імпульсний струм колектора Icp | 100 мА (Ta 25 °C) |
| Потужність розсіювання Pc | 750 мВт (Ta 25 °C) |
| Коефіцієнт підсилення hFE | 60–220 (Vce 10 В, Ic 5 мА) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1.2 В (макс.; Ic 50 мА, Ib 5 мА) |
| Гранична частота fT | 80 МГц (тип., мін. 50; Vcb 10 В, Ie −10 мА, f 200 МГц) |
| Вихідна ємність Cob | 10 пФ (макс.; Vcb 10 В, Ie 0, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-92 (TO-92-B1, EIAJ SC-43A) |
Транзистор 2SC2001
Немає в наявності
6,58 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга колектор–емітер Vceo | 25 В (Ta 25 °C) |
| Напруга колектор–база Vcbo | 30 В (Ta 25 °C) |
| Напруга емітер–база Vebo | 5 В (Ta 25 °C) |
| Струм колектора Ic | 700 мА (постійний, Ta 25 °C) |
| Потужність розсіювання Pc | 600 мВт (Ta 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Коефіцієнт підсилення hFE | 90–400 (Vce 1 В, Ic 100 мА; ранги M 90–180, L 135–270, K 200–400) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 0.6 В (макс., Ic 700 мА, Ib 70 мА) |
| Гранична частота fT | 50 МГц (мін., Vce 6 В, Ic 10 мА, f 30 МГц) |
| Корпус | TO-92 |
Транзистор 2SC2061
Немає в наявності
31,49 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга колектор–емітер Vceo | 80 В (Ta 25 °C) |
| Напруга колектор–база Vcbo | 80 В (Ta 25 °C) |
| Напруга емітер–база Vebo | 5 В (Ta 25 °C) |
| Струм колектора Ic | 700 мА (Ta 25 °C; імпульсний 1 А, Pw 20 мс, скважність 1/2) |
| Потужність розсіювання Pc | 750 мВт (Ta 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 125 °C |
| Коефіцієнт підсилення hFE | 82–390 (Vce 3 В, Ic 100 мА; ранги P 82–180, Q 120–270, R 180–390) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 0.4 В (макс., тип. 0,2 В, Ic 500 мА, Ib 50 мА) |
| Гранична частота fT | 120 МГц (тип., Vce 10 В, Ie −50 мА) |
| Вихідна ємність Cob | 10 пФ (тип., макс. 15, Vcb 10 В, Ie 0, f 1 МГц) |
| Корпус | TO-92L |
Транзистор 2SC2073
Немає в наявності
35,25 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга колектор–емітер Vceo | 150 В (Ta 25 °C) |
| Напруга колектор–база Vcbo | 150 В (Ta 25 °C) |
| Напруга емітер–база Vebo | 5.0 В (Ta 25 °C) |
| Струм колектора Ic | 1.5 А (постійний, Ta 25 °C) |
| Потужність розсіювання Pc | 25 Вт (Tc 25 °C; 2,0 Вт при Ta 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Коефіцієнт підсилення hFE | 40–140 (тип. 75, Vce 10 В, Ic 500 мА) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1.5 В (макс., Ic 500 мА, Ib 50 мА) |
| Гранична частота fT | 4.0 МГц (тип., Vce 10 В, Ic 500 мА) |
| Вихідна ємність Cob | 35 пФ (тип., Vcb 10 В, Ie 0, f 1 МГц) |
| Корпус | TO-220 |
Транзистор 2SC2073 оригінал
Немає в наявності
58,75 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN, кремнієвий |
| Напруга колектор–база Vcbo | 150 В (Ta 25 °C) |
| Напруга колектор–емітер Vceo | 150 В (Ta 25 °C) |
| Напруга емітер–база Vebo | 5,0 В (Ta 25 °C) |
| Струм колектора Ic | 1,5 А (Ta 25 °C) |
| Струм бази Ib | 0,5 А (Ta 25 °C) |
| Потужність розсіювання Pc | 2,0 Вт (Ta 25 °C); 25 Вт (Tc 25 °C) |
| Коефіцієнт підсилення hFE | 40–140, тип. 75 (Vce 10 В, Ic 500 мА) |
| Напруга насичення Vce(sat) | макс. 1,5 В (Ic 500 мА, Ib 50 мА) |
| Гранична частота fT | тип. 4,0 МГц (Vce 10 В, Ic 500 мА) |
| Вихідна ємність Cob | тип. 35 пФ (Vcb 10 В, Ie 0, f 1,0 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор 2SC2078
Немає в наявності
21,62 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга колектор–база Vcbo | 80 В (Ta 25 °C) |
| Напруга колектор–емітер Vcer | 75 В (Rbe 150 Ом, Ta 25 °C) |
| Напруга емітер–база Vebo | 5 В (Ta 25 °C) |
| Струм колектора Ic | 3 А (постійний, Ta 25 °C) |
| Імпульсний струм колектора Icm | 5 А |
| Потужність розсіювання Pc | 1.2 Вт (Ta 25 °C); 10 Вт (Tc 50 °C) |
| Температура переходу Tj max | 150 °C |
| Напруга насичення Vce(sat) | 0.6 В макс. (Ic 1 А, Ib 0.1 А) |
| Коефіцієнт підсилення hFE | 25–200 (Ic 500 мА, Vce 5 В; групи B/C/D/E) |
| Гранична частота fT | 100 МГц мін. (Ic 500 мА, Vce 10 В) |
| Вихідна ємність Cob | 60 пФ макс. (Vcb 10 В, f 1 МГц) |
| Вихідна потужність Po | 4.0 Вт мін. (Vcc 12 В, Pin 0.2 Вт, f 27 МГц) |
Транзистор 2SC2229
Немає в наявності
11,75 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Корпус | TO-92MOD |
| Напруга колектор–база Vcbo | 200 В (Ta 25 °C) |
| Напруга колектор–емітер Vceo | 150 В мін. (Ta 25 °C) |
| Напруга емітер–база Vebo | 5 В (Ta 25 °C) |
| Струм колектора Ic | 50 мА (Ta 25 °C) |
| Струм бази Ib | 20 мА (Ta 25 °C) |
| Потужність розсіювання Pc | 800 мВт (Ta 25 °C) |
| Температура переходу Tj max | 150 °C |
| Коефіцієнт підсилення hFE | 70–240 (Vce 5 В, Ic 10 мА; O 70–140, Y 120–240) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 0.5 В макс. (Ic 10 мА, Ib 1 мА) |
| Гранична частота fT | 120 МГц тип. (Vce 30 В, Ic 10 мА) |
| Вихідна ємність Cob | 5 пФ макс. (тип. 3.5; Vcb 10 В, f 1 МГц) |
Транзистор 2SC2240
Немає в наявності
16,45 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Корпус | TO-92 |
| Напруга колектор–база Vcbo | 120 В (Ta 25 °C) |
| Напруга колектор–емітер Vceo | 120 В (Ta 25 °C) |
| Напруга емітер–база Vebo | 5.0 В (Ta 25 °C) |
| Струм колектора Ic | 100 мА (постійний, Ta 25 °C) |
| Потужність розсіювання Pc | 300 мВт (Ta 25 °C) |
| Температура переходу Tj max | 150 °C |
| Коефіцієнт підсилення hFE | 200–700 (Vce 6 В, Ic 2 мА; GR 200–400, BL 350–700) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 0.1 В (Ic 10 мА, Ib 1 мА) |
Транзистор 2SC2335 (400V,7A,40W) , TO220 ( 2SC3309 , 2SC4160 , 2SC4161 )
Немає в наявності
33,84 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN, кремнієвий потужний |
| Напруга колектор–емітер Vceo | 400 В (Ta 25 °C) |
| Напруга колектор–база Vcbo | 500 В (Ta 25 °C) |
| Напруга емітер–база Vebo | 7.0 В (Ta 25 °C) |
| Струм колектора Ic | 7.0 А (постійний, Ta 25 °C) |
| Імпульсний струм колектора Icm | 15 А |
| Струм бази Ib | 3.5 А (постійний) |
| Потужність розсіювання Pc | 40 Вт (Tc 25 °C) |
| Температура переходу Tj max | 150 °C |
| Тепловий опір перехід–корпус | 3.125 °C/Вт (макс.) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1.0 В (макс., Ic 3 А, Ib 0.6 А) |
| Коефіцієнт підсилення hFE | 20–80 (Ic 1 А, Vce 5 В; групи M 20–40, L 30–60, K 40–80) |
| Час спаду tf | 1.0 мкс (макс., Ic 3 А, Rl 50 Ом, Ib1 = –Ib2 = 0.6 А, Vcc 150 В) |
| Корпус | TO-220 |
Транзистор 2SC2688 (300V-0,2A-10W)
Немає в наявності
21,15 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга колектор–емітер Vceo | 300 В (Ta 25 °C) |
| Напруга колектор–база Vcbo | 300 В (Ta 25 °C) |
| Напруга емітер–база Vebo | 5 В (Ta 25 °C) |
| Струм колектора Ic | 200 мА (постійний, Ta 25 °C) |
| Потужність розсіювання Pc | 1.25 Вт (Ta 25 °C) |
| Температура переходу Tj max | 150 °C |
| Коефіцієнт підсилення hFE | 40–250 (Vce 10 В, Ic 10 мА; N 40–80, M 60–120, L 100–200, K 160–250) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 0.5 В (макс., Ic 50 мА, Ib 5 мА) |
| Гранична частота fT | 50 МГц (мін., Vce 30 В, Ic 10 мА) |
| Корпус | SOT-32 (TO-126) |
Транзистор 2SC3203 (KTC3203)
Немає в наявності
11,28 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN, епітаксіально-планарний, кремній |
| Напруга колектор–емітер Vceo | 30 В (Ta 25 °C) |
| Напруга колектор–база Vcbo | 35 В (Ta 25 °C) |
| Напруга емітер–база Vebo | 5 В (Ta 25 °C) |
| Струм колектора Ic | 800 мА (Ta 25 °C) |
| Потужність розсіювання Ptot | 600 мВт (Ta 25 °C) |
| Температура переходу Tj max | 150 °C |
| Коефіцієнт підсилення hFE | 100–200 (O); 160–320 (Y) (Vce 1 В, Ic 100 мА) |
| hFE (мінімум) | 35 (Vce 1 В, Ic 700 мА) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 0.5 В (макс., Ic 500 мА, Ib 20 мА) |
| Гранична частота fT | 120 МГц (typ, Vce 5 В, Ic 10 мА) |
| Вихідна ємність Cob | 13 пФ (typ, Vcb 10 В, f 1 МГц) |
| Корпус | TO-92 |
Транзистор 2SC3320 оригінал , TO-3P
Немає в наявності
85,54 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Виробник | OSEN |
| Напруга колектор–емітер Vceo | 400 В (Tc 25 °C) |
| Напруга колектор–база Vcbo | 700 В (Tc 25 °C) |
| Напруга емітер–база Vebo | 9 В (Tc 25 °C) |
| Струм колектора Ic | 15 А (Tc 25 °C) |
| Потужність розсіювання Pc | 80 Вт (Tc 25 °C) |
| Температура переходу Tj | 150 °C |
| hFE | 20–35 (Ic 2 А, Vce 5 В) |
| Vce(sat) | 0.3 В typ, 1.0 В макс. (Ic 5 А, Ib 1 А) |
| Гранична частота fT | від 4 МГц (Vce 10 В, Ic 0.5 А, f 1 МГц) |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
Транзистор 2SC3866
Немає в наявності
68,62 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Виробник | SPTECH |
| Напруга колектор–емітер Vceo | 800 В (Ta 25 °C) |
| Напруга колектор–база Vcbo | 900 В (Ta 25 °C) |
| Напруга емітер–база Vebo | 10 В (Ta 25 °C) |
| Струм колектора Ic | 3 А (Ta 25 °C) |
| Потужність розсіювання Pc | 40 Вт (Tc 25 °C) |
| Температура переходу Tj | 150 °C |
| hFE | не менше 10 (Ic 1 А, Vce 5 В) |
| Vce(sat) | не більше 1.0 В (Ic 1 А, Ib 0.2 А) |
| Корпус | TO-220F |
Транзистор 2SC4204
Немає в наявності
18,80 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Виробник | Sanyo |
| Напруга колектор–емітер Vceo | 25 В (Ta 25 °C) |
| Напруга колектор–база Vcbo | 30 В (Ta 25 °C) |
| Напруга емітер–база Vebo | 15 В (Ta 25 °C) |
| Струм колектора Ic | 0.7 А (Ta 25 °C) |
| Імпульсний струм колектора Icp | 1.5 А (Ta 25 °C) |
| Потужність розсіювання Pc | 0.6 Вт (Ta 25 °C) |
| Температура переходу Tj | 150 °C |
| hFE1 | 800–3200, typ 1500 (Vce 5 В, Ic 50 мА) |
| hFE2 | від 600 (Vce 5 В, Ic 500 мА) |
| Vce(sat) | 0.15 В typ, 0.50 В макс. (Ic 500 мА, Ib 10 мА) |
| Гранична частота fT | 270 МГц typ (Vce 10 В, Ic 50 мА) |
| Вихідна ємність Cob | 9 пФ typ (Vcb 10 В, f 1 МГц) |
| Корпус | TO-92 |
Транзистор 2SC4458 , TO-3PML оригінал
Немає в наявності
47,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга Vceo | 500 В (Ta 25 °C) |
| Напруга Vcbo | 800 В (Ta 25 °C) |
| Напруга Vebo | 7 В (Ta 25 °C) |
| Струм колектора Ic | 7 А (Ta 25 °C) |
| Імпульсний струм Icp | 14 А (PW ≤ 300 мкс, шпаруватість ≤ 10 %) |
| Потужність Pc | 45 Вт (Tc 25 °C) |
| Температура переходу Tj | 150 °C |
| Коефіцієнт підсилення hFE1 | 15–50 (Vce 5 В, Ic 0.6 А) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1 В макс. (Ic 3 А, Ib 0.6 А) |
| Гранична частота fT | 18 МГц (Vce 10 В, Ic 0.6 А) |
| Корпус | TO-3PML |
| Виробник | Sanyo |
| Стан | Оригінал |
Транзистор 2SC4804
Немає в наявності
70,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга Vcbo | 900 В (емітер розімкнений, Ta 25 °C) |
| Напруга Vceo | 600 В (база розімкнена, Ta 25 °C) |
| Напруга Vebo | 7 В (колектор розімкнений) |
| Струм колектора Ic | 3 А (постійний) |
| Імпульсний струм Icm | 5 А |
| Потужність Pd | 30 Вт (Tc 25 °C) |
| Температура переходу Tj max | 150 °C |
| Коефіцієнт підсилення hFE | 10 мін. (Ic 0,8 А, Vce 5 В) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 0,6 В макс. (Ic 0,8 А, Ib 0,16 А, Tj 25 °C) |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | SavantIC |
Транзистор 2SC5144 , TO264
Немає в наявності
62,98 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга Vcbo | 1700 В (Ta 25 °C) |
| Напруга Vceo | 600 В (Ta 25 °C) |
| Напруга Vebo | 5 В |
| Струм колектора Ic | 20 А (постійний) |
| Імпульсний струм Icm | 40 А |
| Потужність Pc | 200 Вт (Tc 25 °C) |
| Температура переходу Tj max | 150 °C |
| Коефіцієнт підсилення hFE | 10–30 (Ic 2 А, Vce 5 В) |
| hFE при великому струмі | 4,5 мін. (Ic 11 А, Vce 5 В) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 3,0 В макс. (Ic 11 А, Ib 2,75 А, Tc 25 °C) |
| Корпус | TO-264 |
Транзистор 2SC5253, TO220F
Немає в наявності
98,23 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220F |
| Тип | Біполярний транзистор |
Транзистор 2SC5386 оригінал (без R и без VD)
Немає в наявності
78,49 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Виробник | Toshiba |
| Напруга колектор–база Vcbo | 1500 В (Tc 25 °C) |
| Напруга колектор–емітер Vceo | 600 В (Tc 25 °C) |
| Напруга емітер–база Vebo | 5 В |
| Струм колектора Ic | 8 А (постійний) |
| Імпульсний струм колектора Icp | 16 А |
| Потужність розсіювання Pc | 50 Вт (Tc 25 °C) |
| Температура переходу Tj max | 150 °C |
| Коефіцієнт підсилення hFE | 15–35 (Ic 1 А, Vce 5 В) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 3 В (максимум, Ic 6 А, Ib 1,5 А) |
| Гранична частота fT | 1,7 МГц (Vce 10 В, Ic 0,1 А) |
| Вихідна ємність Cob | 105 пФ (Vcb 10 В, f 1 МГц) |
| Корпус | TOSHIBA 2-16E3A |
| Стан | Оригінал |
Транзистор 2SC5411 оригінал
Немає в наявності
72,85 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Виробник | Toshiba |
| Напруга колектор–база Vcbo | 1500 В (Tc 25 °C) |
| Напруга колектор–емітер Vceo | 600 В (Tc 25 °C) |
| Напруга емітер–база Vebo | 5 В |
| Струм колектора Ic | 14 А (постійний) |
| Імпульсний струм колектора Icp | 28 А |
| Потужність розсіювання Pc | 60 Вт (Tc 25 °C) |
| Температура переходу Tj max | 150 °C |
| Коефіцієнт підсилення hFE | 10–40 (Ic 2 А, Vce 5 В) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 3 В (максимум, Ic 11 А, Ib 2,75 А) |
| Гранична частота fT | 2 МГц (Vce 10 В, Ic 0,1 А) |
| Вихідна ємність Cob | 190 пФ (Vcb 10 В, f 1 МГц) |
| Корпус | TOSHIBA 2-16E3A |
| Стан | Оригінал |
Транзистор 2SC5696
Немає в наявності
63,92 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга Vceo | 800 В (Ta 25 °C) |
| Напруга Vcbo | 1600 В (Ta 25 °C) |
| Напруга Vebo | 5 В (Ta 25 °C) |
| Струм колектора Ic | 12 А (постійний, Ta 25 °C) |
| Потужність Pd | 85 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Напруга насичення Vce(sat) | макс. 3 В (Ic 7.2 А, Ib 1.8 А, Tc 25 °C) |
| Напруга Vbe(sat) | макс. 1.8 В (Ic 7.2 А, Ib 1.8 А, Tc 25 °C) |
| Коефіцієнт hFE | 3–11 (Ic 1 А, Vce 5 В, Tc 25 °C) |
| Коефіцієнт hFE (друга точка) | 4–7 (Ic 8 А, Vce 5 В, Tc 25 °C) |
| Струм Icbo | макс. 100 мкА (Vcb 1500 В, Ie 0, Tc 25 °C) |
| Вбудований демпферний діод | є |
Транзистор 2SC5698
Немає в наявності
139,12 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга Vceo | 800 В (Ta 25 °C) |
| Напруга Vcbo | 1500 В (Ta 25 °C) |
| Напруга Vebo | 5 В (Ta 25 °C) |
| Струм колектора Ic | 8 А (постійний, Ta 25 °C) |
| Потужність Pd | 65 Вт (Tc 25 °C; 3 Вт при Ta 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Напруга насичення Vce(sat) | макс. 3 В (Ic 4.5 А, Ib 1.13 А, Ta 25 °C) |
| Напруга Vbe(sat) | макс. 1.5 В (Ic 4.5 А, Ib 1.13 А, Ta 25 °C) |
| Коефіцієнт hFE | 4–7 (Ic 5 А, Vce 5 В, Ta 25 °C) |
| Час розсмоктування tstg | 3.0 мкс (Ic 3 А, Ib1 0.6 А, Ib2 –1.2 А) |
| Час спаду tf | 0.2 мкс (Ic 3 А, Ib1 0.6 А, Ib2 –1.2 А) |
| Пряма напруга демпферного діода Vf | макс. 2 В (Iec 6.5 А) |
| Вбудований демпферний діод | є |
| Корпус | TO-3PMLH |
Транзистор 2SC5793 оригінал , TO-3PML
Немає в наявності
244,87 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга колектор–база Vcbo | 1600 В (Ta 25 °C) |
| Напруга колектор–емітер Vceo | 800 В (Ta 25 °C) |
| Напруга емітер–база Vebo | 5 В (Ta 25 °C) |
| Струм колектора Ic | 20 А (Ta 25 °C) |
| Імпульсний струм колектора Icp | 40 А (Ta 25 °C) |
| Потужність розсіювання Pc | 95 Вт (Tc 25 °C) |
| Коефіцієнт підсилення hFE1 | мін. 10 (Vce 5 В, Ic 1 А) |
| Напруга насичення Vce(sat) | макс. 3 В (Ic 13,5 А, Ib 3,4 А) |
| Час спаду tf | макс. 0,2 мкс (Ic 10 А, Ib1 1,6 А, Ib2 –5 А) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-3PML |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор 2SC5905 оригінал демонтаж
Немає в наявності
106,22 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга Vceo | 600 В (база розімкнена, Tc 25 °C) |
| Напруга Vces | 1700 В (E-B закорочені, Tc 25 °C) |
| Напруга Vcbo | 1700 В (Tc 25 °C) |
| Напруга Vebo | 7 В (Tc 25 °C) |
| Струм колектора Ic | 20 А (постійний, Tc 25 °C) |
| Потужність Pd | 70 Вт (Tc 25 °C; 3.5 Вт при Ta 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Коефіцієнт hFE | 5–12 (Ic 10 А, Vce 5 В) |
| Напруга насичення Vce(sat) | макс. 3 В (Ic 10 А, Ib 2.5 А) |
| Напруга Vbe(sat) | макс. 1.5 В (Ic 10 А, Ib 2.5 А) |
| Гранична частота fT | мін. 3 МГц (Vce 10 В, Ic 0.1 А, f 0.5 МГц) |
| Час розсмоктування tstg | макс. 3.0 мкс (Ic 10 А, Ib1 2.5 А, Ib2 –5.0 А, резистивне навантаження) |
| Час спаду tf | макс. 0.2 мкс (Ic 10 А, Ib1 2.5 А, Ib2 –5.0 А) |
| Корпус | TOP-3E-A1 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор 2SD1175 оригінал демонтаж
Немає в наявності
94,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга Vcbo | 1500 В (Ta 25 °C) |
| Напруга Vces | 1500 В (Vbe 0, Ta 25 °C) |
| Напруга Vebo | 5 В (Ta 25 °C) |
| Струм колектора Ic | 5 А (постійний, Ta 25 °C) |
| Потужність Pd | 100 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 130 °C |
| Напруга насичення Vce(sat) | макс. 6,0 В (Ic 5,0 А; Ib 1,0 А; Tc 25 °C) |
| Напруга Vbe(sat) | макс. 1,5 В (Ic 5,0 А; Ib 1,0 А; Tc 25 °C) |
| Коефіцієнт hFE | 6–20 (Ic 5 А; Vce 10 В; Tc 25 °C) |
| Пряма напруга діода C-E | макс. 2,5 В (If 5 А; Tc 25 °C) |
| Час розсмоктування tstg | макс. 12 мкс (Ic 5 А; Ib1 = Ib2 = 1 А) |
| Час спаду tf | макс. 0,7 мкс (Ic 5 А; Ib1 = Ib2 = 1 А) |
| Вбудований демпферний діод | є |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор 2SD1616 ( 2SD1616A ) , to92
Немає в наявності
10,34 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга Vcbo | 120 В (Ta 25 °C) |
| Напруга Vceo | 60 В (Ta 25 °C) |
| Напруга Vebo | 6 В (Ta 25 °C) |
| Струм колектора Ic | 1 А (постійний, Ta 25 °C) |
| Потужність Pd | 750 мВт (Ta 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Коефіцієнт hFE | 135–600 (Ic 100 мА; Vce 2 В; групи L 135–270, K 200–400, U 300–600) |
| Коефіцієнт hFE (Ic 1 А) | мін. 81 (Vce 2 В) |
| Напруга насичення Vce(sat) | макс. 0,3 В (Ic 1 А; Ib 50 мА) |
| Напруга Vbe(sat) | макс. 1,2 В (Ic 1 А; Ib 50 мА) |
| Гранична частота fT | мін. 100 МГц (Vce 2 В; Ic 100 мА) |
| Вихідна ємність Cob | макс. 19 пФ (Vcb 10 В; Ie 0; f 1 МГц) |
| Корпус | TO-92 |
Транзистор 2SD1651 (2SD1651C) оригінал
Немає в наявності
72,38 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN (кремнієвий, вбудований демпферний діод) |
| Напруга колектор–база Vcbo | 1500 В (емітер відкритий) |
| Напруга колектор–емітер Vceo | 800 В (база відкрита) |
| Напруга емітер–база Vebo | 6 В (колектор відкритий) |
| Струм колектора Ic | 5 А (Tc 25 °C) |
| Потужність розсіювання Pc | 60 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Напруга насичення Vbe(sat) | макс. 1,5 В (Ic 4 А, Ib 0,8 А; Tj 25 °C) |
| Коефіцієнт підсилення hFE | мін. 8 (Ic 1 А, Vce 5 В) |
| Пряма напруга демпферного діода Vf | 2,0 В (If 5 А) |
| Корпус | TO-3PML |
| Стан | Оригінал |
Транзистор 2SD1804 (50V,8A,20W) , D-Pak
Немає в наявності
26,32 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга колектор–база Vcbo | 60 В (Tc 25 °C) |
| Напруга колектор–емітер Vceo | 50 В (Tc 25 °C) |
| Напруга емітер–база Vebo | 6 В (Tc 25 °C) |
| Струм колектора Ic | 5 А (постійний; Tc 25 °C) |
| Імпульсний струм колектора Icp | 8 А (Tc 25 °C) |
| Потужність розсіювання Pc | 20 Вт (Tc 25 °C; у повітрі 1,0 Вт) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Коефіцієнт підсилення hFE | 70–400 (Vce 2 В, Ic 0,5 А) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 0,4 В макс. (Ic 3 А, Ib 0,15 А) |
| Напруга насичення Vbe(sat) | 1,3 В макс. (Ic 3 А, Ib 0,15 А) |
| Гранична частота fT | 180 МГц (Vce 5 В, Ic 1 А) |
| Вихідна ємність Cob | 40 пФ (Vcb 10 В, f 1 МГц) |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
Транзистор 2SD1853
Немає в наявності
32,90 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN, Дарлінгтон |
| Виробник | Sanyo |
| Напруга колектор–база Vcbo | 80 В (Ta 25 °C) |
| Напруга колектор–емітер Vceo | 60 В (Ta 25 °C) |
| Напруга емітер–база Vebo | 6 В (Ta 25 °C) |
| Струм колектора Ic | 1,5 А (Ta 25 °C) |
| Імпульсний струм колектора Icp | 3 А (Ta 25 °C) |
| Потужність розсіювання Pc | 0,7 Вт (Ta 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Коефіцієнт підсилення hFE | 1000 мін. (Vce 2 В, Ic 0,5 А) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1,5 В макс. (Ic 1 А, Ib 2 мА) |
| Напруга насичення Vbe(sat) | 2,0 В макс. (Ic 1 А, Ib 2 мА) |
| Корпус | TO-92 |
Транзистор 2SD1878 оригінал
Немає в наявності
45,59 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN, вбудований демпферний діод |
| Виробник | Sanyo |
| Напруга колектор–база Vcbo | 1500 В (Ta 25 °C) |
| Напруга колектор–емітер Vceo | 800 В (Ta 25 °C) |
| Напруга емітер–база Vebo | 6 В (Ta 25 °C) |
| Струм колектора Ic | 5 А (Ta 25 °C) |
| Імпульсний струм колектора Icp | 20 А (Ta 25 °C) |
| Потужність розсіювання Pc | 60 Вт (Ta 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Напруга насичення Vce(sat) | 5 В макс. (Ic 4 А, Ib 0.8 А) |
| Напруга насичення Vbe(sat) | 1.5 В макс. (Ic 4 А, Ib 0.8 А) |
| Коефіцієнт підсилення hFE | 8 мін. (Vce 5 В, Ic 1 А) |
| Пряма напруга демпферного діода Vf | 2.0 В (If 5 А) |
| Час спаду tf | 0.1 мкс тип. (Ic 4 А, Ib1 0.8 А, Ib2 –1.6 А) |
| Корпус | TO-3PML |
| Стан | Оригінал |
Транзистор 2SD1880
Немає в наявності
65,33 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Виробник | Sanyo |
| Корпус | TO-3PML |
| Напруга Vcbo | 1500 В (Ta 25 °C) |
| Напруга Vceo | 800 В (Ta 25 °C) |
| Напруга Vebo | 6 В (Ta 25 °C) |
| Струм колектора Ic | 8 А (Ta 25 °C) |
| Імпульсний струм Icp | 30 А (Ta 25 °C) |
| Потужність Pc | 70 Вт (Ta 25 °C) |
| Температура переходу Tj | 150 °C |
| Vce(sat) | 5 В макс. (Ic 6 А, Ib 1.2 А) |
| Vbe(sat) | 1.5 В макс. (Ic 6 А, Ib 1.2 А) |
| hFE | 8 мін. (Vce 5 В, Ic 1 А) |
| Vf демпферного діода | 2.0 В (If 8 А) |
| Час спаду tf | 0.1 мкс тип. (макс. 0.3 мкс) |
Транзистор 2SD1886 оригінал
Немає в наявності
55,46 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Корпус | TO-3PML |
| Напруга Vcbo | 1500 В (емітер розімкнений) |
| Напруга Vceo | 800 В (база розімкнена) |
| Напруга Vebo | 6 В (колектор розімкнений) |
| Струм колектора Ic | 8 А |
| Імпульсний струм Icm | 30 А |
| Потужність Pc | 70 Вт (Tc 25 °C) |
| Температура переходу Tj | 150 °C |
| Vce(sat) | 5 В макс. (Ic 6 А, Ib 1,2 А, Tj 25 °C) |
| hFE (1) | 8 мін. (Ic 1 А, Vce 5 В) |
| hFE (2) | 5–10 (Ic 6 А, Vce 5 В) |
| Час спаду tf | 0,3 мкс макс. (тип. 0,1 мкс) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор 2SD2058 (60V,3A,25W) , TO220F
Немає в наявності
32,90 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Корпус | TO-220F |
| Напруга Vcbo | 60 В (емітер розімкнений) |
| Напруга Vceo | 60 В (база розімкнена) |
| Напруга Vebo | 7 В (колектор розімкнений) |
| Струм колектора Ic | 3 А |
| Струм бази Ib | 0,5 А |
| Потужність Pc | 25 Вт (Tc 25 °C) |
| Потужність Pc (Ta) | 1,5 Вт (Ta 25 °C) |
| Температура переходу Tj | 150 °C |
| Vce(sat) | 1,5 В макс. (Ic 2 А, Ib 0,2 А, Tj 25 °C) |
| hFE | 60 мін. (Ic 0,5 А, Vce 5 В) |
| Гранична частота fT | 3,0 МГц (Ic 0,5 А, Vce 5 В) |
| Вихідна ємність Cob | 35 пФ (f 1 МГц, Vcb 10 В) |
Демонтаж
Транзистор 2SD2058 (60V,3A,25W) , TO220F демонтаж
Немає в наявності
25,85 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга колектор–база Vcbo | 60 В (емітер розімкнений) |
| Напруга колектор–емітер Vceo | 60 В (база розімкнена) |
| Напруга емітер–база Vebo | 7 В (колектор розімкнений) |
| Струм колектора Ic | 3 А |
| Струм бази Ib | 0,5 А |
| Потужність розсіювання Pc | 25 Вт (Tc 25 °C) |
| Потужність розсіювання Pc (на повітрі) | 1,5 Вт (Ta 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Коефіцієнт підсилення hFE | мін. 60 (Ic 0,5 А, Vce 5 В) |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Демонтаж б/в |
Транзистор 2SD2092 оригінал
Немає в наявності
34,78 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN, епітаксіальний кремнієвий |
| Напруга колектор–база Vcbo | 100 В (Tc 25 °C) |
| Напруга колектор–емітер Vceo | 100 В (Tc 25 °C) |
| Напруга емітер–база Vebo | 7 В (Tc 25 °C) |
| Струм колектора Ic | 3 А (постійний, Tc 25 °C) |
| Імпульсний струм колектора Icp | 5 А (Tc 25 °C) |
| Струм бази Ib | 1 А (Tc 25 °C) |
| Потужність розсіювання Pc | 25 Вт (Tc 25 °C) |
| Потужність розсіювання Pc (на повітрі) | 2,0 Вт (Ta 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Коефіцієнт підсилення hFE | 500–1500 (Vce 1 В, Ic 0,5 А) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 0,3 В макс. (Ic 1 А, Ib 10 мА) |
| Напруга насичення Vbe(sat) | 1,2 В макс. (Ic 1 А, Ib 10 мА) |
| Гранична частота fT | 140 МГц тип. (Vce 5 В, Ic 0,5 А) |
| Вихідна ємність Cob | 30 пФ тип. (Vcb 10 В, f 1 МГц) |
| Корпус | SC-67 (TOSHIBA 2-10R1A) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор 2SD2333
Немає в наявності
71,91 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга колектор–база Vcbo | 1500 В |
| Напруга колектор–емітер Vceo | 600 В |
| Напруга емітер–база Vebo | 5 В |
| Струм колектора Ic | 5 А (постійний) |
| Струм бази Ib | 2,5 А (постійний) |
| Потужність розсіювання Pc | 80 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Напруга насичення Vce(sat) | 5,0 В макс. (Ic 4 А, Ib 0,8 А, Tc 25 °C) |
| Напруга насичення Vbe(sat) | 1,5 В макс. (Ic 4 А, Ib 0,8 А) |
| Коефіцієнт підсилення hFE | 8–30 (Ic 0,5 А, Vce 5 В) |
| Пряма напруга демпферного діода Vecf | 2,0 В макс. (If 5 А) |
| Час спаду tf | 1,0 мкс макс. (Icp 4 А, Ib1(end) 0,8 А) |
| Вбудований демпферний діод | є |
Транзистор 2SD2396 (60V,3A),TO220F
Немає в наявності
48,41 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN, Дарлінгтон |
| Напруга колектор-емітер Vceo | 60 В (Ic 1 мА, Ib 0) |
| Напруга колектор-база Vcbo | 80 В (Ta 25 °C) |
| Напруга емітер-база Vebo | 6 В (Ta 25 °C) |
| Струм колектора Ic | 3 А (Ta 25 °C) |
| Коефіцієнт підсилення hFE | 400–2000 (Vce 4 В, Ic 0,5 А) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 0,8 В макс. (Ic 2 А, Ib 50 мА) |
| Напруга насичення Vbe(sat) | 1,5 В макс. (Ic 2 А, Ib 50 мА) |
| Потужність розсіювання Pd | 2 Вт (Ta 25 °C) |
| Гранична частота fT | 40 МГц (Vce 5 В, Ic 0,2 А, f 10 МГц) |
| Вихідна ємність Cob | 55 пФ (Vcb 10 В, Ie 0, f 1 МГц) |
| Температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
Демонтаж
Транзистор 2SD2499 оригінал демонтаж
Немає в наявності
64,39 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Виробник | Toshiba |
| Напруга колектор-емітер Vceo | 600 В (Tc 25 °C) |
| Напруга колектор-база Vcbo | 1500 В (Tc 25 °C) |
| Напруга емітер-база Vebo | 5 В (Tc 25 °C) |
| Струм колектора Ic | 6 А (DC, Tc 25 °C; імпульсний Icp 12 А) |
| Коефіцієнт підсилення hFE | 8–25 (Vce 5 В, Ic 1 А) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 5 В макс. (Ic 4 А, Ib 0,8 А) |
| Напруга насичення Vbe(sat) | 1,3 В макс. (Ic 4 А, Ib 0,8 А) |
| Пряма напруга демпферного діода Vf | 2,0 В макс. (If 6 А) |
| Потужність розсіювання Pd | 50 Вт (Tc 25 °C) |
| Гранична частота fT | 2 МГц (Vce 10 В, Ic 0,1 А) |
| Вихідна ємність Cob | 95 пФ (Vcb 10 В, Ie 0, f 1 МГц) |
| Температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TOSHIBA 2-16E3A |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |