Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Стан | Оригінал |
Транзистор FGD3040G2 оригінал, D-PAK
164,50 ₴
Немає в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Немає в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
FGD3040G2 – N-канальний IGBT запалювання onsemi (EcoSPARK 2) у корпусі D-PAK, драйвер котушок запалювання. Оригінал.
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга пробою BVCER | 400 В (Ice 2 мА, Vge = 0, Rge 1 кОм) |
| Струм Ic (Tc 25 °C) | 41 А (Vge 5 В) |
| Струм Ic (Tc 110 °C) | 25,6 А (Vge 5 В) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1,15 В (Ice 6 А, Vge 4 В, Tj 25 °C, типове) |
| Порогова напруга Vge(th) | 1,7 В (Ice 1 мА, Vce = Vge, Tj 25 °C) |
| Заряд затвора Qg(on) | 21 нКл (Ice 10 А, Vce 12 В, Vge 5 В) |
| Потужність Pd | 150 Вт (Tc 25 °C) |
| Енергія SCIS | 300 мДж (Tj 25 °C, L 3 мГн, Iscis 14,2 А, Vcc 100 В) |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Тип | N-канал, логічний рівень керування затвором |
| Корпус | D-PAK (DPAK3, TO-252) |
| Стан | Оригінал |
FGD3040G2 – N-канальний IGBT запалювання (Ignition IGBT, EcoSPARK 2) onsemi з логічним рівнем керування затвором, корпус D-PAK (DPAK3, TO-252). Напруга пробою колектор–емітер BVCER 400 В (Ice 2 мА, Vge = 0, Rge 1 кОм, типове значення). Струм колектора Ic 41 А при Vge 5 В, Tc 25 °C і 25,6 А при Tc 110 °C. Заряд затвора Qg(on) 21 нКл (Ice 10 А, Vce 12 В, Vge 5 В). Енергія SCIS 300 мДж (Tj 25 °C, L 3 мГн, Iscis 14,2 А, Vcc 100 В). Потужність розсіювання Pd 150 Вт при Tc 25 °C. Цифри наведено за документом на серію FGx3040G2-F085.
Оригінал, не демонтаж. Маркування на корпусі – FGD3040G2. За даними виробника, прямі заміни в інших корпусах – FGB3040G2-F085, FGP3040G2-F085 і FGI3040G2-F085; корпус у них інший, тому на плату під D-PAK вони не встануть. Відправка в день оплати або наступного дня, Нова Пошта, Запоріжжя.
Де застосовують
- Котушки запалювання автомобіля (драйвер)
- Системи Coil-On-Plug
Чим замінити FGD3040G2?
Виробник називає FGB3040G2-F085, FGP3040G2-F085 і FGI3040G2-F085, але вони в інших корпусах. Для D-PAK потрібен IGBT запалювання в тому самому корпусі, із порівнянними напругою й струмом.
Для чого потрібен FGD3040G2?
Це ключ у котушці запалювання автомобіля (драйвер), у тому числі в системах Coil-On-Plug.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чим керується затвор?
Це IGBT з логічним рівнем керування: порогова напруга Vge(th) 1,7 В (Ice 1 мА, Vce = Vge, Tj 25 °C).
Документація виробника: FGD3040G2 (onsemi).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
IGBT-транзистор H40R1203 ( IHW40N120R3 ) , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Номер | IHW40N120R3 |
| Маркування | H40R1203 |
| Виробник | Infineon |
| Тип | IGBT-транзистор зі зворотно-провідним діодом |
| Напруга Vces | 1200 В |
| Струм Ic (25 °C) | 80 А |
| Струм Ic (100 °C) | 40 А |
| Vce(sat) | 1,55 В тип. (VGE = 15 В, IC = 40 А, Tvj = 25 °C) |
| Потужність Pd (25 °C) | 429 Вт |
| Вхідна ємність Cies | 2708 пФ |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
IGBT-транзистор MGF65A4R оригінал демонтаж б/в , TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга колектор–емітер Vces | 650 В |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 65 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 40 А |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1,6 В (макс. 1,96 В) при Vge 15 В, Ic 40 А, Tj 25 °C |
| Вбудований швидкий діод | є |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Вхідна ємність Cies | 2300 пФ (Vce 20 В, f 1 МГц) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор YGP20N65T2 оригінал, TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Luxin Semiconductor (LU SEMI) |
| Тип | IGBT Trench Field Stop з діодом |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vces | 650 В (VGE = 0 В, IC = 1 мА) |
| Струм Ic (25 °C) | 40 А |
| Струм Ic (100 °C) | 20 А |
| Vce(sat) | 1,65 В тип., 2,05 В макс. (VGE = 15 В, IC = 20 А, Tj = 25 °C) |
| Vge(th) | 4,4 / 5,4 / 6,4 В (мін. / тип. / макс.; VGE = VCE, IC = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 45 нКл (VCC = 520 В, IC = 20 А, VGE = 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 1050 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 125 Вт (Tj = 25 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Діод | є, антипаралельний |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.