Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FGP15N60UNDF ( FGP15N60 ) оригінал, TO220
201,63 ₴
Немає в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Немає в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
FGP15N60UNDF (FGP15N60) – IGBT-транзистор onsemi на 600 В, 15 А зі вбудованим діодом, для керування двигунами та інверторів малої потужності. Оригінал.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга колектор–емітер Vces | 600 В (VGE = 0 В) |
| Струм колектора Ic (Tc 100 °C) | 15 А |
| Струм колектора Ic (Tc 25 °C) | 30 А |
| Напруга насичення Vce(sat) | 2,2 В (Ic 15 А, VGE 15 В, Tc 25 °C, типово) |
| Заряд затвора Qg | 43 нКл (VCE 400 В, Ic 15 А, VGE 15 В) |
| Потужність розсіювання Pd | 178 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Вбудований діод | є |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | onsemi |
| Стан | Оригінал |
FGP15N60UNDF – IGBT-транзистор onsemi (Fairchild) з вбудованим антипаралельним діодом, корпус TO-220. Напруга колектор–емітер Vces 600 В (VGE = 0 В). Струм колектора Ic 15 А при Tc 100 °C і 30 А при Tc 25 °C. Напруга насичення Vce(sat) типово 2,2 В (Ic 15 А, VGE 15 В, Tc 25 °C; макс. 2,7 В). Заряд затвора Qg 43 нКл (VCE 400 В, Ic 15 А, VGE 15 В). Потужність розсіювання Pd 178 Вт при Tc 25 °C, максимальна температура переходу 150 °C.
Деталь оригінал, не демонтаж. Підбираючи заміну, порівнюйте напругу Vces, струм Ic при 100 °C, Vce(sat), наявність діода, корпус і заряд затвора. У каталозі є IGBT YGP20N65T2, який проходить за цими параметрами. Відправка в день оплати або наступного дня, Нова Пошта, Запоріжжя.
Де застосовують
- Швацькі машини, CNC, побутова техніка, керування двигунами
- Інвертори малої потужності зі стійкістю до короткого замикання (10 мкс)
Заміни з нашого каталогу, підібрані за параметрами datasheet. Не впевнені – надішліть фото плати, підберемо.
| Модель | Чому підходить | Примітка | |
|---|---|---|---|
| YGP20N65T2 | Vces 650 ≥ 600, Ic(100 °C) 20 ≥ 0.8×15 = 12, Vce(sat) 25 °C (typ) 1,65 ≤ 1.3×2,2 = 2,86, діод є в обох, корпус TO-220 = TO-220 | перевірте драйвер: заряд затвора може відрізнятися | Купити |
Вказаний перелік аналогів носить ознайомчий характер. Сумісність треба обов'язково перевіряти самостійно, порівнюючи параметри, вказані в datasheet.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чим замінити FGP15N60UNDF?
Підбирайте IGBT з Vces не нижче 600 В, струмом при 100 °C не нижчим за наш, порівнянним Vce(sat), діодом і корпусом TO-220. У каталозі за цими правилами проходить YGP20N65T2.
Як перевірити IGBT мультиметром?
Зніміть транзистор зі схеми. Режим перевірки діодів: діод між колектором і емітером має мати пряму напругу в одному напрямку, у зворотному – обрив. Між затвором і рештою виводів не має бути провідності.
Чи підходить FGP15N60UNDF для керування двигунами?
За даними виробника – так: швацькі машини, CNC, побутова техніка, керування двигунами.
Чи є в IGBT вбудований діод?
Так, антипаралельний діод: Vf 1,6 В при If 15 А, Tc 25 °C (типово), trr 82,4 нс (If 15 А, dIf/dt 200 А/мкс).
Документація виробника: FGP15N60UNDF (onsemi).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
IGBT-транзистор FGH30S130P оригінал демонтаж б/в, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Напруга колектор–емітер Vces | 1300 В (Tc 25 °C) |
| Напруга затвор–емітер Vges | ±25 В |
| Струм колектора Ic | 60 А (Tc 25 °C); 30 А (Tc 100 °C) |
| Імпульсний струм Icm | 90 А (обмежено Tj max) |
| Потужність розсіювання Pd | 500 Вт (Tc 25 °C) |
| Vce(sat) | 1,75 В typ / 2,3 В max (Ic 30 А, Vge 15 В, Tc 25 °C) |
| Робоча температура переходу Tj | -55…+175 °C |
| Заряд затвора Qg | 372,3 нКл (Vce 600 В, Ic 30 А, Vge 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 3345 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор JT050N065WED ( 050N065WED ) оригінал, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Jilin Sino-Microelectronics (JSMC) |
| Тип | IGBT Trench FS з діодом |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга Vces | 650 В (IC = 250 мкА, VGE = 0 В) |
| Струм Ic (25 °C) | 100 А |
| Струм Ic (100 °C) | 50 А |
| Vce(sat) | 1,6 В тип., 2,2 В макс. (VGE = 15 В, IC = 50 А, Tc = 25 °C) |
| Vge(th) | 4,5 В мін., 6,5 В макс. (VCE = VGE, IC = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 121 нКл (VCC = 520 В, IC = 50 А, VGE = 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 3435 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 437 Вт (Tc = 25 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Діод | є, антипаралельний |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор YGP20N65T2 оригінал, TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Luxin Semiconductor (LU SEMI) |
| Тип | IGBT Trench Field Stop з діодом |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vces | 650 В (VGE = 0 В, IC = 1 мА) |
| Струм Ic (25 °C) | 40 А |
| Струм Ic (100 °C) | 20 А |
| Vce(sat) | 1,65 В тип., 2,05 В макс. (VGE = 15 В, IC = 20 А, Tj = 25 °C) |
| Vge(th) | 4,4 / 5,4 / 6,4 В (мін. / тип. / макс.; VGE = VCE, IC = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 45 нКл (VCC = 520 В, IC = 20 А, VGE = 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 1050 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 125 Вт (Tj = 25 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Діод | є, антипаралельний |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.