Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FGA20S120M ( FGA20S 120M ) оригінал, TO-3P
229,36 ₴
Немає в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Немає в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
FGA20S120M (FGA20S 120M) – IGBT-транзистор onsemi з вбудованим діодом у корпусі TO-3P, для індукційного нагріву. Оригінал.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-3P |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 1200 В (VGE = 0 В, Ic 2 мА) |
| Струм Ic (Tc 25 °C) | 40 А |
| Струм Ic (Tc 100 °C) | 20 А |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1,55 В (Ic 20 А, VGE 15 В, Tc 25 °C, типово) |
| Напруга Vce(sat) при 175 °C | 1,85 В (Ic 20 А, VGE 15 В, Tc 175 °C, типово) |
| Заряд затвора Qg | 208 нКл (VCE 600 В, Ic 20 А, VGE 15 В) |
| Потужність Pd | 348 Вт (Tc 25 °C) |
| Енергія вимкнення Eoff | 1,43 мДж (VCC 600 В, Ic 20 А, Rg 10 Ом, VGE 15 В, Tc 25 °C) |
| Час спаду tf | 320 нс (VCC 600 В, Ic 20 А, Rg 10 Ом, VGE 15 В, Tc 25 °C) |
| Вбудований діод | є |
| Пряма напруга діода Vf | 1,7 В (If 20 А, Tc 25 °C, типово) |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
FGA20S120M – IGBT-транзистор onsemi (раніше Fairchild) зі структурою shorted-anode і вбудованим діодом, корпус TO-3P. Напруга колектор–емітер Vces 1200 В (VGE = 0 В, Ic 2 мА). Струм колектора Ic 40 А при Tc 25 °C і 20 А при Tc 100 °C. Vce(sat) 1,55 В при Ic 20 А, VGE 15 В, Tc 25 °C, типово. Заряд затвора Qg 208 нКл (VCE 600 В, Ic 20 А, VGE 15 В). Потужність розсіювання Pd 348 Вт при Tc 25 °C, максимальна температура переходу Tj 175 °C.
Оригінал, не демонтаж. У документі корпус названо TO-3PN, у назві товару – TO-3P; розміри й розпіновку звіряйте з вашою платою. Підбираючи заміну, порівнюйте Vces, Ic при Tc 100 °C, Vce(sat), наявність діода і корпус. Відправка в день оплати або наступного дня, Нова Пошта, Запоріжжя.
Де застосовують
- Індукційний нагрів, мікрохвильові печі
- М'яко-комутовані схеми, паралельна робота завдяки лавинній стійкості
Чим замінити FGA20S120M?
Підходить IGBT з тим самим корпусом, Vces не нижче 1200 В, діодом у корпусі та Ic при Tc 100 °C, близьким до 20 А. Порівнюйте також Vce(sat) і драйвер затвора.
Чи підходить FGA20S120M для індукційної плити?
Так, індукційний нагрів і мікрохвильові печі – основне застосування за документом onsemi. Перед заміною порівняйте схему керування затвором.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Яка максимальна температура переходу?
Tj 175 °C, робочий діапазон від –55 °C.
Документація виробника: FGA20S120M (onsemi).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
IGBT-транзистор KGF75N65KDF ( 75N65KDF ) оригінал, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 100 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 75 А |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1,77 В тип. / 2,2 В макс. (Ic 75 А, Vge 15 В, Tc 25 °C) |
| Розсіювана потужність Pd | 484 Вт (Tc 25 °C) |
| Максимальна температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Вбудований діод | так (co-pack) |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор NCE60TD60BT оригінал, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Wuxi NCE Power |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм Ic (25 °C) | 120 А |
| Струм Ic (100 °C) | 60 А |
| Потужність Pd (25 °C) | 316 Вт |
| Vce(sat) (тип., IC = 60 А, VGE = 15 В, 25 °C) | 1.7 В |
| Заряд затвора Qg | 262 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 7018 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Vf діода (IF = 60 А, 25 °C) | 1.7 В |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор K50EEH5 ( IKW50N65EH5 ) оригінал демонтаж б/в, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 650 В (Tvj ≥25 °C) |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 80 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 50 А |
| Розсіювана потужність Pd (25 °C) | 275 Вт |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1.65 В тип. / 2.1 В макс. (Ic=50 А, Vge=15 В, Tvj=25 °C) |
| Корпус | TO-247 |
| Вбудований діод | Vrrm 650 В, If 50 А при 100 °C, trr 81 нс |
| Максимальна температура переходу Tj | 175 °C |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.