Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор GW38IH130D ( STGW38IH130D ) оригінал, TO-247 (заміна для 20N120CND , 30N140IHR , NGTB30N140IHR3 , IRG4PH50S , AUIRG4PH50S )
250,04 ₴
Немає в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Немає в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
GW38IH130D (STGW38IH130D) – IGBT-транзистор STMicroelectronics на 1300 В з діодом, для індукційних плит і мікрохвильових печей. Оригінал.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга колектор–емітер Vces | 1300 В (VGE = 0) |
| Струм колектора Ic (Tc 100 °C) | 33 А |
| Струм колектора Ic (Tc 25 °C) | 63 А |
| Напруга насичення Vce(sat) | 2,1 В (VGE 15 В, Ic 20 А, Tj 25 °C, типово) |
| Заряд затвора Qg | 127 нКл (VCE 960 В, Ic 20 А, VGE 15 В) |
| Потужність розсіювання Ptot | 250 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Вбудований діод | є |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Стан | Оригінал |
GW38IH130D – IGBT-транзистор STMicroelectronics з вбудованим антипаралельним діодом, корпус TO-247 long leads. Напруга колектор–емітер Vces 1300 В (VGE = 0). Струм колектора Ic 33 А при Tc 100 °C і 63 А при Tc 25 °C. Напруга насичення Vce(sat) типово 2,1 В (VGE 15 В, Ic 20 А, Tj 25 °C; макс. 2,8 В). Заряд затвора Qg 127 нКл (VCE 960 В, Ic 20 А, VGE 15 В). Потужність розсіювання Ptot 250 Вт при Tc 25 °C, максимальна температура переходу 150 °C.
Деталь оригінал, не демонтаж. GW38IH130D може замінити 20N120CND, 30N140IHR, NGTB30N140IHR3, IRG4PH50S, AUIRG4PH50S; зворотна заміна не завжди можлива, взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet. Прямі заміни за даними виробника: STGWT38IH130D, STGWS38IH130D. Відправка в день оплати або наступного дня, Нова Пошта, Запоріжжя.
Де застосовують
- Індукційні плити, мікрохвильові печі
- Резонансні та м'яко-комутовані схеми
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чим замінити GW38IH130D?
За даними виробника, прямі заміни – STGWT38IH130D і STGWS38IH130D. Інші номери з назви товару порівнюйте за datasheet самостійно.
Як перевірити IGBT мультиметром?
Зніміть транзистор зі схеми. Режим перевірки діодів: діод між колектором і емітером має мати пряму напругу в одному напрямку, у зворотному – обрив. Між затвором і рештою виводів не має бути провідності.
Чи підходить GW38IH130D для індукційної плити?
За даними виробника – так: індукційні плити, мікрохвильові печі, резонансні та м'яко-комутовані схеми.
Чи випускається GW38IH130D зараз?
Документ виробника позначає цю деталь як зняту з виробництва (Obsolete).
Документація виробника: STGW38IH130D (STMicroelectronics).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
IGBT-транзистор GW60H65DFB ( STGW60H65DFB ) оригінал демонтаж б/в, TO-247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга Vces | 650 В (VGE = 0 В) |
| Струм Ic (100 °C) | 60 А |
| Струм Ic (25 °C) | 80 А (обмежено виводами, кристал 60 А) |
| Імпульсний струм Icp | 240 А |
| Vce(sat) | 1,6 В typ, 2,0 В max (VGE = 15 В, Ic = 60 А, Tj = 25 °C) |
| Потужність Ptot | 375 Вт (TC = 25 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 7792 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Tj max | 175 °C |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор MGF65A4R оригінал демонтаж б/в , TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга колектор–емітер Vces | 650 В |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 65 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 40 А |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1,6 В (макс. 1,96 В) при Vge 15 В, Ic 40 А, Tj 25 °C |
| Вбудований швидкий діод | є |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Вхідна ємність Cies | 2300 пФ (Vce 20 В, f 1 МГц) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.