Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SVF18N50PN ( 18N50 ) оригінал (заміна для FDA18N50 , FQA18N50 ) , TO-3P
235,00 ₴
Немає в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Немає в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
SVF18N50PN (18N50) – N-канальний польовий транзистор Silan у корпусі TO-3P на 500 В, 18 А при Tc 25 °C. Оригінал; може замінити FDA18N50 і FQA18N50.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-3P |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 500 В (Vgs 0 В, Id 250 мкА) |
| Струм Id (25 °C) | 18 А (Tc 25 °C) |
| Струм Id (100 °C) | 11 А |
| Rds(on) | 0.31 Ом (макс.), 0.26 Ом (тип.) при Vgs 10 В, Id 9 А |
| Vgs(th) | від 2.0 до 4.0 В при Vgs = Vds, Id 250 мкА |
| Qg | 38 нКл (тип.; Vds 400 В, Id 18 А, Vgs 10 В) |
| Потужність Pd | 240 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Вбудований діод | є (Vsd макс. 1.3 В при Is 18 А) |
| Корпус | TO-3P |
| Виробник | Hangzhou Silan Microelectronics |
| Стан | Оригінал |
SVF18N50PN (маркування 18N50) – N-канальний MOSFET (планарна VDMOS, режим збагачення) виробника Hangzhou Silan Microelectronics у корпусі TO-3P. Напруга стік–витік Vds – 500 В при Vgs 0 В, Id 250 мкА. Струм стоку Id – 18 А при Tc 25 °C і 11 А при Tc 100 °C. Опір відкритого каналу Rds(on) – 0.31 Ом (макс.), 0.26 Ом (тип.) при Vgs 10 В, Id 9 А. Порогова напруга Vgs(th) – від 2.0 до 4.0 В при Vgs = Vds, Id 250 мкА. Заряд затвора Qg – 38 нКл (тип.) при Vds 400 В, Id 18 А, Vgs 10 В. Потужність розсіювання – 240 Вт при Tc 25 °C, максимальна температура переходу – 150 °C. Вбудований діод є: Vsd до 1.3 В при Is 18 А, trr 583 нс, Qrr 7.1 мкКл при dI/dt 100 А/мкс.
Оригінал, не демонтаж. SVF18N50PN може замінити FDA18N50 і FQA18N50, але зворотна заміна не завжди можлива; взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet. Підбираючи іншу заміну, порівняйте тип каналу, Vds, Id, Rds(on) при Vgs 10 В, заряд затвора Qg і розпіновку корпусу TO-3P. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Джерела живлення AC-DC
- Перетворювачі DC-DC
- Драйвери двигунів у H-мості з ШІМ
Заміни з нашого каталогу, підібрані за параметрами datasheet. Не впевнені – надішліть фото плати, підберемо.
| Модель | Чому підходить | Примітка | |
|---|---|---|---|
| FQA16N50 | Vds 500 ≥ 500; Id(25 °C) 16.5 ≥ 0.8×18; Rds(on) макс. 0.38 при Vgs 10 В, корпус TO-3P, канал N | Id при Tc 100 °C 9.9 А проти 11 А; Qg 45 нКл (макс.) | Купити |
| FHA20N60 | Vds 600 ≥ 500; Id(25 °C) 20 ≥ 0.8×18; Id(100 °C) 14 ≥ 11; Rds(on) макс. 0.4 при Vgs 10 В, корпус TO-3P, канал N | Qg 60 нКл (тип.) – вищий; перевірте драйвер затвора | Купити |
| CS2837 | Vds 500 ≥ 500; Id(25 °C) 20 ≥ 0.8×18; Rds(on) макс. 0.26 при Vgs 10 В, корпус TO-3P, канал N | Qg 96 нКл – більш ніж удвічі більший; драйвер затвора | Купити |
| FSW25N50A | Vds 500 ≥ 500; Id(25 °C) 25 ≥ 0.8×18; Rds(on) макс. 0.26 при Vgs 10 В, корпус TO-3P, канал N | Qg 96 нКл – більш ніж удвічі більший; драйвер затвора | Купити |
Вказаний перелік аналогів носить ознайомчий характер. Сумісність треба обов'язково перевіряти самостійно, порівнюючи параметри, вказані в datasheet.
Чим замінити SVF18N50PN?
З нашого каталогу в корпусі TO-3P за напругою, струмом і опором відкритого каналу підходять FQA16N50 і FHA20N60. Перед заміною порівняйте datasheet.
Чи можна SVF18N50PN поставити замість FDA18N50 або FQA18N50?
SVF18N50PN може замінити FDA18N50 і FQA18N50, але зворотна заміна не завжди можлива; взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Який у SVF18N50PN вбудований діод?
Вбудований діод є: Vsd до 1.3 В при Is 18 А; trr 583 нс, Qrr 7.1 мкКл при dI/dt 100 А/мкс.
Документація виробника: SVF18N50PN (Hangzhou Silan Microelectronics).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор FDPF16N50 ( FDPF16N50T , FDPF16N50UT ) оригінал ( заміна для FQPF16N50 , WFF16N50N , KIA16N50H , 15N50CF ) , TO220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi (Fairchild) |
| Тип каналу | N (UniFET) |
| Напруга Vds | 500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id | 16 А (температура не вказана) |
| Rds(on) | 0.31 Ом тип., 0.38 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 8 А) |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 32 нКл тип., 45 нКл макс. (VDS = 400 В, ID = 16 А, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 1495 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FHA20N60 оригінал ( заміна для FCA20N60 , FCA20N60S , FCA20N60F , FQA20N60C ), TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 600 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 20 А при Tc 25 °C; 14 А при Tc 100 °C |
| Rds(on) | 0.32 Ом (тип.), 0.4 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 10 А |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА |
| Потужність Pd | 272 Вт при Tc 25 °C |
| Вхідна ємність Ciss | 2847 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Вбудований діод | є: Vsd макс. 1.5 В |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FQA24N50C оригінал , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал |
| Виробник | Fairchild Semiconductor |
| Напруга Vds | 500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 24 А |
| Струм стоку Id (100 °C) | 15.2 А |
| Rds(on) | 0.156 Ом тип. (VGS = 10 В, ID = 12 А) |
| Заряд затвора Qg | 90 нКл тип., 120 нКл макс. (VDS = 400 В, ID = 24 А, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 3500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.