Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.

ПараметрЗначення
КорпусTO-3P
СтанОригінал

Транзистор CS2837 ( CS2837AND ) оригінал, TO-3P

188,00 ₴

44 в наявності

Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня

Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

44 в наявності

Нова Пошта по всій Україні

Відправка в день оплати або наступного дня

Оплата

На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем

Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.

CS2837 (CS2837AND) – N-канальний польовий транзистор Wuxi China Resources Huajing Microelectronics у корпусі TO-3P. Оригінал. Для керування двигунами, підсилювачів класу D та силових ключів.

ПараметрЗначення
КорпусTO-3P

Гарантія оригінальності

Перевірка перед відправкою

Datasheet PDF

Консультація інженера

Додаткова інформація
ПараметрЗначення
Тип каналуN
Напруга Vds500 В (TC 25 °C)
Струм Id20 А (TC 25 °C)
Імпульсний струм Idm80 А (TC 25 °C)
Rds(on)0,18 Ом, макс. 0,26 Ом (VGS 10 В, ID 10 А, TC 25 °C)
Vgs(th)2–4 В (TC 25 °C)
Заряд затвора Qg96 нКл (ID 20 А, VDD 250 В, VGS 10 В)
Вхідна ємність Ciss4900 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Потужність Pd230 Вт (TC 25 °C)
Температура переходу Tjвід –55 до 150 °C
КорпусTO-3P
Корпус (докладно)TO-3P(N)
СтанОригінал
Опис

CS2837 – N-канальний кремнієвий VDMOSFET режиму збагачення, виробник Wuxi China Resources Huajing Microelectronics, корпус TO-3P(N). Напруга стік–витік Vds – 500 В (TC 25 °C), струм стоку Id – 20 А, імпульсний струм Idm – 80 А (TC 25 °C). Опір відкритого каналу Rds(on) – 0,18 Ом, максимум 0,26 Ом (VGS 10 В, ID 10 А, TC 25 °C). Потужність розсіювання – 230 Вт (TC 25 °C), заряд затвора Qg – 96 нКл (ID 20 А, VDD 250 В, VGS 10 В). Вхідна ємність Ciss типово 4900 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц). Затвор захищений вбудованими зустрічно-паралельними стабілітронами затвор–витік, ESD 6000 В (HBM). Робоча температура переходу – від –55 до 150 °C.

Стан: оригінал, не демонтаж. Заміну підбирайте за каналом (N), напругою Vds не нижче 500 В, струмом Id, опором Rds(on) при VGS 10 В, а також за корпусом TO-3P і розпіновкою.

Де застосовують

  • Автомобільне керування двигунами постійного струму (Automotive DC Motor Control)
  • Підсилювачі класу D (Class D Amplifier)
  • Силові ключові схеми
Часто питають
Чим замінити CS2837?

Потрібен N-канальний MOSFET у TO-3P з Vds не нижче 500 В, Id не менше 20 А і Rds(on) не гірше за 0,18 Ом при VGS 10 В. Порівнюйте за datasheet.

Це оригінальна деталь чи демонтаж?

Оригінал, не демонтаж.

Чи є захист затвора?

Так, вбудовані зустрічно-паралельні стабілітрони затвор–витік, ESD 6000 В (HBM). Максимальна напруга Vgs – ±30 В.

Яка напруга керування потрібна?

Rds(on) 0,18 Ом наведено при VGS 10 В, порогова напруга Vgs(th) – від 2 до 4 В (TC 25 °C).

Datasheet

Документація виробника: CS2837AND (Wuxi China Resources Huajing Microelectronics).

Доставка й оплата

Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.

Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.

CS2837AND (Wuxi China Resources Huajing Microelectronics) Відкрити datasheet

Не впевнені, чи підійде?

Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.

Запитати інженера

З цим товаром купляють

Схожі товари

Транзистор FQA16N50 ( Заміна для FSA16N50 , FDA16N50 , 16N50 ) оригінал демонтаж, TO-3P

В наявності

235,00 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал
Напруга Vds500 В
Струм Id (Tc 25 °C)16.5 А
Струм Id (Tc 100 °C)9.9 А
Rds(on)0.31 Ом (тип.), 0.38 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 8.3 А
Vgs(th)3.0–5.0 В
Потужність розсіювання205 Вт
Вхідна ємність Ciss1495 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Макс. температура переходу150 °C
КорпусTO-3P
СтанОригінал, демонтаж б/в

Транзистор NCE40H21 оригінал, TO220

В наявності

117,50 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал
Напруга Vdss40 В
Струм Id (25 °C)210 А
Струм Id (100 °C)148 А
Rds(on)2.3 мОм (тип.), 3.2 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 20 А
Vgs(th)1.3–2.5 В при Id 250 мкА
Заряд затвора Qg239 нКл (тип.)
Вхідна ємність Ciss10331 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Потужність розсіювання310 Вт
Макс. температура переходу175 °C
КорпусTO-220
СтанОригінал

Транзистор STW12NK95Z оригінал демонтаж, TO247

В наявності

129,72 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал
Напруга Vds950 В при Vgs 0 В
Струм стоку Id (Tc 25 °C)10 А
Струм стоку Id (Tc 100 °C)6.3 А
Опір Rds(on) (тип.)0.69 Ом при Vgs 10 В, Id 5 А, Tc 25 °C; макс. 0.9 Ом
Заряд затвора Qg (тип.)113 нКл при Vdd 760 В, Id 10 А, Vgs 10 В
Вхідна ємність Ciss3500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Порогова напруга Vgs(th)3–4.5 В при Vds = Vgs, Id 100 мкА
Потужність розсіювання Pd230 Вт при Tc 25 °C
Макс. температура переходу Tj150 °C
КорпусTO-247
ВиробникSTMicroelectronics
СтанОригінал, демонтаж б/в

Транзистор SVF12N60F оригінал (заміна для FQPF12N60C , 12N60 , FDPF12N60 , FDPF12N60NZ , ITA12N60R ), TO220F

В наявності

107,16 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал, режим збагачення
Напруга Vds600 В
Струм стоку Id (Tc 25 °C)12 А
Струм стоку Id (Tc 100 °C)7.6 А
Опір Rds(on) (тип.)0.58 Ом при Vgs 10 В, Id 6 А, Tc 25 °C; макс. 0.75 Ом
Заряд затвора Qg (тип.)34 нКл при Vds 480 В, Id 12 А, Vgs 10 В
Вхідна ємність Ciss1367 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Порогова напруга Vgs(th)2.0–4.0 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА
Потужність розсіювання Pd51 Вт при Tc 25 °C, корпус TO-220F
Макс. температура переходу Tj150 °C
КорпусTO-220F
ВиробникSilan
СтанОригінал

Відгуки (0)

0 відгуків на цей товар
0
0
0
0
0

Відгуків немає, поки що.

Залишити відгук

Ваша e-mail адреса не буде опублікована. Обов’язкові поля позначені *

1 2 3 4 5
1 2 3 4 5
1 2 3 4 5