Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FQA24N50C оригінал , TO247
100,11 ₴
73 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
73 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
FQA24N50C – N-канальний польовий транзистор Fairchild Semiconductor в корпусі TO-247, оригінал. Використовують в імпульсних блоках живлення та PFC.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал |
| Виробник | Fairchild Semiconductor |
| Напруга Vds | 500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 24 А |
| Струм стоку Id (100 °C) | 15.2 А |
| Rds(on) | 0.156 Ом тип. (VGS = 10 В, ID = 12 А) |
| Заряд затвора Qg | 90 нКл тип., 120 нКл макс. (VDS = 400 В, ID = 24 А, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 3500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
FQA24N50C – N-канальний польовий транзистор (MOSFET) виробництва Fairchild Semiconductor в корпусі TO-247. За даташитом найближчої деталі FQA24N50 (Fairchild Semiconductor): напруга Vds 500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.), струм стоку Id 24 А при TC = 25 °C і 15.2 А при TC = 100 °C. Опір відкритого каналу Rds(on) – 0.156 Ом тип. (макс. 0,2 Ом) при VGS = 10 В, ID = 12 А. Заряд затвора Qg – 90 нКл тип., 120 нКл макс. (VDS = 400 В, ID = 24 А, VGS = 10 В), максимальна температура переходу 150 °C. Вхідна ємність Ciss типово 3500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц). Документ описує корпус TO-3PN, а товар у корпусі TO-247, тому потужність і тепловий опір, які залежать від корпусу, у картці не наводимо.
Оригінал, не демонтаж. Підбираючи заміну, порівнюйте напругу Vds, струм Id, Rds(on), заряд затвора Qg і корпус. Заряд затвора впливає на навантаження драйвера: у транзистора з більшим Qg драйвер може гріти сильніше. Параметри вище взято з документа на найближчу деталь, тому перед заміною звірте їх з маркуванням на корпусі та з даташитом. Відправка з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Імпульсні блоки живлення з високим ККД
- Корекція коефіцієнта потужності (PFC)
- Електронні баласти для ламп на напівмостовій схемі
Заміни з нашого каталогу, підібрані за параметрами datasheet. Не впевнені – надішліть фото плати, підберемо.
| Модель | Чому підходить | Примітка | |
|---|---|---|---|
| IRFP23N50L | канал N = N, Vds 500 ≥ 500, Id(25 °C) 23 ≥ 0.8×24=19.2, Rds(on) Vgs 10 В typ 0.19 ≤ 1.3×0.156=0.203, корпус TO-247 = TO-247 | Демонтаж; Qg макс. 150 нКл проти 90 нКл тип. у FQA24N50C – перевірте драйвер. | Купити |
| 60R060P7 | канал N = N, Vds 600 ≥ 500, Id(25 °C) 48 ≥ 0.8×24=19.2, Rds(on) Vgs 10 В typ 0.049 ≤ 1.3×0.156=0.203, корпус TO-247 = TO-247 | Демонтаж; умови вимірювання Rds(on) трохи інші (ID 15.9 А) – звірте з даташитом. | Купити |
Вказаний перелік аналогів носить ознайомчий характер. Сумісність треба обов'язково перевіряти самостійно, порівнюючи параметри, вказані в datasheet.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чим замінити FQA24N50C?
Дивіться на той самий канал N, Vds не нижче 500 В, струм Id не менше 0.8×24 А при 25 °C, Rds(on) не більше 1.3×0.156 Ом при VGS = 10 В і корпус TO-247. У каталозі це правило проходять IRFP23N50L (SiHFP23N50L) та 60R060P7 (IPW60R060P7), див. таблицю аналогів.
Чи підходить для блоків живлення та PFC?
За даташитом найближчої деталі FQA24N50 застосування – імпульсні блоки живлення з високим ККД та корекція коефіцієнта потужності (PFC). Збіг параметрів з вашою схемою перевіряйте за даташитом.
Який заряд затвора і чому це важливо?
Qg – 90 нКл тип., 120 нКл макс. (VDS = 400 В, ID = 24 А, VGS = 10 В). Чим більший заряд, тим більше струму потрібно драйверу для перемикання транзистора.
Найближчий datasheet: FQA24N50 (Fairchild Semiconductor).
Точного даташиту на FQA24N50C не знайдено. Параметри взято з даташиту на FQA24N50 (корпус TO-3PN); потужність і тепловий опір залежать від корпусу, тому їх не наведено.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
IGBT-транзистор YGW75N65HP оригінал , TO247(заміна для YGW75N65F1 , YGW75N65T1 , 75N65FL2 , NGTB75N65FL2WG )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Номер | YGW75N65HP |
| Виробник | Luxin Semiconductor (LU SEMI) |
| Тип | IGBT-транзистор Trench Field Stop з діодом |
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм Ic (25 °C) | 150 А |
| Струм Ic (100 °C) | 75 А |
| Vce(sat) | 1,65 В тип. (VGE = 15 В, IC = 75 А, Tj = 25 °C) |
| Потужність Pd (25 °C) | 375 Вт |
| Вхідна ємність Cies | 4700 пФ (Vce 25 В, f 100 кГц) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IRFZ44N оригінал (заміна для IRFZ42 , IRFZ40 ) , TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vdss | 55 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, Tj 25 °C) |
| Струм Id | 49 А (Tc = 25 °C, VGS = 10 В) |
| Струм Id (100 °C) | 35 А (Tc = 100 °C, VGS = 10 В) |
| Rds(on) | 17,5 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 25 А, Tj 25 °C) |
| Qg | 63 нКл макс. (ID = 25 А, VDS = 44 В, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 1470 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Температура переходу | -55…+175 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор S60N18R оригінал, TO220(60V,180A)
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | SI-TECH |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vds | 60 В (VGS=0 В, ID=250 мкА) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 180 А (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 114 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 2,8 мОм тип., 3,4 мОм макс. (VGS=10 В, ID=40 А) |
| Потужність Pd | 227 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 6647 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Стан | Оригінал |
Схожі товари
Транзистор 2SK2370 ( K2370 ) оригінал демонтаж(500V,20A), TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм стоку Id (постійний) | 20 А при Ta 25 °C |
| Rds(on) | 0.32 Ом (тип.), 0.40 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 10 А |
| Напруга відсічки Vgs(off) | 2.5–3.5 В при Vds 10 В, Id 1 мА |
| Заряд затвора Qg | 65 нКл (тип.) при Vdd 400 В, Id 20 А, Vgs 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 2400 пФ (Vds 10 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 140 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура каналу Tch | 150 °C |
| Вбудований діод | є: Vf 1.0 В, trr 500 нс, Qrr 3.5 мкКл (тип.) |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор FTP1404 оригінал(40V,202A), TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vdss | 40 В (Tc 25 °C) |
| Струм Id (25 °C) | 202 А |
| Струм Id (100 °C) | 143 А |
| Rds(on) | 3.5 мОм (тип.), 4.5 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 81 А |
| Vgs(th) | 2–4 В при Id 250 мкА |
| Qg | 103.6 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 5431 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Pd | 271 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | IPS |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IRFP23N50L ( SiHFP23N50L ) оригінал демонтаж, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал |
| Виробник | Vishay |
| Напруга Vds | 500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 23 А (VGS = 10 В) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 15 А (VGS = 10 В) |
| Rds(on) | 0.190 Ом тип. (VGS = 10 В, ID = 14 А) |
| Заряд затвора Qg | 150 нКл макс. |
| Вхідна ємність Ciss | 3600 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Розсіювана потужність Pd | 370 Вт (TC = 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Час відновлення діода trr | 170 нс тип. |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор STW12NK95Z оригінал демонтаж, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 950 В при Vgs 0 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 10 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 6.3 А |
| Опір Rds(on) (тип.) | 0.69 Ом при Vgs 10 В, Id 5 А, Tc 25 °C; макс. 0.9 Ом |
| Заряд затвора Qg (тип.) | 113 нКл при Vdd 760 В, Id 10 А, Vgs 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 3500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3–4.5 В при Vds = Vgs, Id 100 мкА |
| Потужність розсіювання Pd | 230 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.