Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор YGW60N65F1 оригінал, TO247
117,50 ₴
67 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
67 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
IGBT-транзистор YGW60N65F1 у корпусі TO-247 – оригінал Lu-Semi для інверторів, ДБЖ і зварювальних перетворювачів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 120 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 60 А |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1,85 В тип. / 2,2 В макс. |
| Заряд затвора Qg | 158 нКл |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | Lu-Semi |
| Стан | Оригінал |
YGW60N65F1 – IGBT-транзистор Lu-Semi у корпусі TO-247, з вбудованим антипаралельним діодом. Напруга колектор-емітер Vces – 650 В (VGE=0 В, IC=250 мкА, Tj 25 °C). Струм колектора Ic – 120 А при TC 25 °C та 60 А при TC 100 °C. Напруга насичення Vce(sat) – 1,85 В тип. / 2,2 В макс. при VGE=15 В, IC=60 А, Tj=25 °C (при Tj 150 °C зростає до 2,25 В). Час зворотного відновлення вбудованого діода trr – 90 нс при IF=40 А, VR=300 В, di/dt=600 А/мкс, Tj=25 °C, заряд затвора Qg – 158 нКл при VCC=520 В, IC=60 А, VGE=15 В.
Транзистор – оригінал, новий, без демонтажу. Перед встановленням звірте параметри зі своєю схемою: напругу Vces, робочий струм Ic при потрібній температурі корпуса і напругу насичення Vce(sat) – від них залежить запас по напрузі й тепловій потужності. Для заміни підходить IGBT того самого класу, у корпусі TO-247, з Vces не нижче 650 В і не меншим струмом Ic при 100 °C, з вбудованим зворотним діодом, як у K50EEH5 (IKW50N65EH5) або KGF75N65KDF.
Де застосовують
- Джерела безперебійного живлення (ДБЖ)
- Інвертори
- Зварювальні перетворювачі
- Коректори коефіцієнта потужності (PFC)
- Перетворювачі з високою частотою перемикання
Заміни з нашого каталогу, підібрані за параметрами datasheet. Не впевнені – надішліть фото плати, підберемо.
| Модель | Чому підходить | Примітка | |
|---|---|---|---|
| K50EEH5 (IKW50N65EH5) | IGBT: той самий корпус TO-247, Vces 650 В ≥ 650 В, Ic(100°C) 50 А ≥ 0.8×60 А, Vce(sat) порівнянне (1,65/2,1 В проти 1,85/2,2 В), вбудований діод в обох | менший номінальний Ic (50 А проти 60 А) – перевірте запас за струмом для вашого навантаження | Купити |
| KGF75N65KDF (75N65KDF) | IGBT: той самий корпус TO-247, Vces 650 В ≥ 650 В, Ic(100°C) 75 А ≥ 0.8×60 А, Vce(sat) порівнянне (1,77/2,2 В проти 1,85/2,2 В), вбудований діод в обох | більший запас за струмом (75 А), підходить із запасом | Купити |
Вказаний перелік аналогів носить ознайомчий характер. Сумісність треба обов'язково перевіряти самостійно, порівнюючи параметри, вказані в datasheet.
Чим замінити YGW60N65F1?
У наявності є IGBT-транзистори K50EEH5 (IKW50N65EH5) та KGF75N65KDF (75N65KDF) – той самий корпус TO-247, Vces не нижче 650 В і порівнянна напруга насичення Vce(sat).
Як перевірити IGBT-транзистор перед встановленням?
Огляньте маркування на корпусі, перевірте цілісність виводів і заміряйте переходи мультиметром у режимі перевірки діодів – пробитий або обірваний перехід означає, що деталь несправна.
Для яких пристроїв підходить YGW60N65F1?
За даними виробника – для джерел безперебійного живлення, інверторів, зварювальних перетворювачів, коректорів PFC і перетворювачів з високою частотою перемикання.
Чи є в YGW60N65F1 вбудований зворотний діод?
Так, антипаралельний діод вбудований у корпус, час його зворотного відновлення trr – 90 нс при IF=40 А, VR=300 В, di/dt=600 А/мкс, Tj=25 °C.
Документація виробника: YGW60N65F1A1 datasheet, Rev3.5.
Другий незалежний перелік (LCSC) звірено для суміжного варіанту YGW60N65F1A2, не саме A1 – параметри серії збігаються, окремий datasheet для A1 з LCSC отримати не вдалося.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Транзистор FHP100N08 оригінал демонтаж(Заміна для CS100N08 , SSF7509 )(80V,100A) , TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Напруга Vds | 80 В |
| Струм Id (25 °C) | 100 А (TC 25 °C, обмеження температурою переходу) |
| Струм Id (100 °C) | 70 А (TC 100 °C) |
| Rds(on) | 6,5 мОм типово (VGS 10 В, ID 40 А) |
| Vgs(th) | 2,0–4,0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Qg | 75 нКл типово (VDS 64 В, ID 30 А, VGS 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 3200 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Pd | 200 Вт (TC 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор IRF1404 оригінал, TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 40 В |
| Струм ID (TC = 25 °C, VGS = 10 В) | 202 А |
| Струм ID (TC = 100 °C, VGS = 10 В) | 143 А |
| Імпульсний струм IDM | 808 А |
| RDS(on) макс. (VGS = 10 В, ID = 121 А) | 0,004 Ом (тип. 0,0035) |
| Порогова напруга VGS(th) | 2,0–4,0 В |
| Заряд затвора Qg | 131 нКл (макс. 196) |
| Вхідна ємність Ciss | 5669 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність PD (TC = 25 °C) | 333 Вт |
| Напруга затвор-витік VGS | ±20 В |
| Енергія лавини EAS | 620 мДж |
| Температура переходу | -55…+175 °C |
| Тепловий опір перехід-корпус макс. | 0,45 °C/Вт |
| Корпус | TO-220 |
| Тип | N-канал, HEXFET 7-го покоління |
| Стан | Оригінал |
Схожі товари
IGBT-транзистор FGH30S130P оригінал демонтаж б/в, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Напруга колектор–емітер Vces | 1300 В (Tc 25 °C) |
| Напруга затвор–емітер Vges | ±25 В |
| Струм колектора Ic | 60 А (Tc 25 °C); 30 А (Tc 100 °C) |
| Імпульсний струм Icm | 90 А (обмежено Tj max) |
| Потужність розсіювання Pd | 500 Вт (Tc 25 °C) |
| Vce(sat) | 1,75 В typ / 2,3 В max (Ic 30 А, Vge 15 В, Tc 25 °C) |
| Робоча температура переходу Tj | -55…+175 °C |
| Заряд затвора Qg | 372,3 нКл (Vce 600 В, Ic 30 А, Vge 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 3345 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор GW60H65DFB ( STGW60H65DFB ) оригінал демонтаж б/в, TO-247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга Vces | 650 В (VGE = 0 В) |
| Струм Ic (100 °C) | 60 А |
| Струм Ic (25 °C) | 80 А (обмежено виводами, кристал 60 А) |
| Імпульсний струм Icp | 240 А |
| Vce(sat) | 1,6 В typ, 2,0 В max (VGE = 15 В, Ic = 60 А, Tj = 25 °C) |
| Потужність Ptot | 375 Вт (TC = 25 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 7792 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Tj max | 175 °C |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор NCE40TD60BT оригінал, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Wuxi NCE Power |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм Ic (25 °C) | 80 А |
| Струм Ic (100 °C) | 40 А |
| Потужність Pd (25 °C) | 286 Вт |
| Vce(sat) (тип., IC = 40 А, VGE = 15 В, 25 °C) | 1.7 В |
| Заряд затвора Qg | 176 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 4894 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Vf діода (IF = 40 А, 25 °C) | 1.65 В |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.