Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор GT50JR22 ( 50JR22 ) оригінал , TO-3P
165,44 ₴
8 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
8 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
IGBT-транзистор GT50JR22 (50JR22) від Toshiba – RC-IGBT з вбудованим швидким діодом у корпусі TO-3P, оригінал.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-3P |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Toshiba |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм Ic (25 °C) | 50 А |
| Струм Ic (100 °C) | 44 А |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1.55 В тип. / 2.2 В макс. |
| Вбудований діод | так (RC-IGBT) |
| Розсіювана потужність Pc | 230 Вт (Tc 25 °C) |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
GT50JR22 (50JR22) – IGBT-транзистор виробництва Toshiba в корпусі TO-3P(N), з вбудованим швидким діодом на тому самому кристалі (RC-IGBT). Максимальна напруга колектор-емітер Vces – 600 В при Tc 25 °C. Струм колектора Ic – 50 А при Tc 25 °C і 44 А при Tc 100 °C. Напруга насичення Vce(sat) – 1.55 В типова (2.2 В максимальна) при струмі 50 А, напрузі затвора Vge 15 В і температурі 25 °C. Час спаду tf – 0.05 мкс типовий при Ic 50 А. Вбудований діод має типову пряму напругу VF 2.1 В при струмі 15 А і час відновлення trr 0.35 мкс типовий (той самий струм 15 А, di/dt −20 А/мкс). Максимальна розсіювана потужність Pc – 230 Вт при Tc 25 °C, гранична температура переходу Tj – 175 °C.
Транзистор оригінал (не демонтаж), перевіряється перед відправкою. Перед монтажем перевірте мультиметром у режимі діодного тесту перехід колектор-емітер і вбудований діод, звірте маркування на корпусі з номером GT50JR22 / 50JR22. Для заміни підбирайте IGBT з тим самим корпусом TO-3P, напругою Vces від 600 В, струмом Ic при 100 °C не нижче 44 А і вбудованим діодом – у нашому каталозі це 50T65FD1 та FGA60N65SMD.
Де застосовують
- Резонансні інверторні схеми перемикання (наприклад, приводи компресорів кондиціонерів)
Заміни з нашого каталогу, підібрані за параметрами datasheet. Не впевнені – надішліть фото плати, підберемо.
| Модель | Чому підходить | Примітка | |
|---|---|---|---|
| 50T65FD1 (SGT50T65FD1, SGT50T65FD1PN) | IGBT, той самий корпус TO-3P, Vces 650 В ≥ 600 В, Ic(100 °C) 50 А ≥ 0.8×44 А, вбудований діод в обох | Vce(sat) сусіда в фактах не наведено – пряме порівняння втрат провідності неможливе. | Купити |
| FGA60N65SMD | IGBT, той самий корпус TO-3P, Vces 650 В ≥ 600 В, Ic(100 °C) 60 А ≥ 0.8×44 А, вбудований діод в обох | Vce(sat) у сусіда вище (1.9/2.5 В проти 1.55/2.2 В) – трохи більші втрати провідності. | Купити |
Вказаний перелік аналогів носить ознайомчий характер. Сумісність треба обов'язково перевіряти самостійно, порівнюючи параметри, вказані в datasheet.
Чим замінити GT50JR22 (50JR22)?
IGBT з тим самим корпусом TO-3P, напругою Vces від 600 В, струмом Ic при 100 °C не нижче 44 А і вбудованим діодом – у нашому каталозі це 50T65FD1 і FGA60N65SMD.
Як перевірити IGBT-транзистор перед встановленням?
Мультиметром у режимі перевірки діодів виміряти перехід колектор-емітер і вбудований діод, звірити маркування на корпусі з номером GT50JR22.
Для яких схем підходить GT50JR22?
Для резонансних інверторних схем перемикання, зокрема приводів компресорів кондиціонерів – таке призначення вказує виробник.
Чому в GT50JR22 вбудований діод?
Це RC-IGBT (Reverse-Conducting) – транзистор і зворотний діод виготовлені на одному кристалі, окремий діод для комутації індуктивного навантаження не потрібен.
Документація виробника: GT50JR22, Rev.2.0.
Заряд затвора Qg, точні часи turn-on/turn-off і струми Icp/IFP діода в datasheet не вдалося однозначно розібрати через зсув колонок при витягуванні PDF – ці цифри не наводимо. Є розбіжність потужності Pc між datasheet (230 Вт) і LCSC (250 Вт), у тексті використано значення з datasheet виробника.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
IGBT-транзистор FGH30S130P оригінал демонтаж б/в, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Напруга колектор–емітер Vces | 1300 В (Tc 25 °C) |
| Напруга затвор–емітер Vges | ±25 В |
| Струм колектора Ic | 60 А (Tc 25 °C); 30 А (Tc 100 °C) |
| Імпульсний струм Icm | 90 А (обмежено Tj max) |
| Потужність розсіювання Pd | 500 Вт (Tc 25 °C) |
| Vce(sat) | 1,75 В typ / 2,3 В max (Ic 30 А, Vge 15 В, Tc 25 °C) |
| Робоча температура переходу Tj | -55…+175 °C |
| Заряд затвора Qg | 372,3 нКл (Vce 600 В, Ic 30 А, Vge 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 3345 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор H25R1202 ( IHW25N120R2 ) оригінал демонтаж б/в, TO-247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Тип | Зворотно-провідний IGBT (soft switching) |
| Напруга Vce | 1200 В |
| Струм Ic (25 °C) | 50 А |
| Струм Ic (100 °C) | 25 А |
| Потужність Ptot (25 °C) | 365 Вт |
| Vce(sat) (тип., IC = 25 А, VGE = 15 В, 25 °C) | 1.6 В |
| Заряд затвора Qg | 60.7 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 2342 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Vf діода (IF = 25 А, 25 °C) | 1.5 В |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор KGF75N65KDF ( 75N65KDF ) оригінал, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 100 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 75 А |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1,77 В тип. / 2,2 В макс. (Ic 75 А, Vge 15 В, Tc 25 °C) |
| Розсіювана потужність Pd | 484 Вт (Tc 25 °C) |
| Максимальна температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Вбудований діод | так (co-pack) |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор YGP20N65T2 оригінал, TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Luxin Semiconductor (LU SEMI) |
| Тип | IGBT Trench Field Stop з діодом |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vces | 650 В (VGE = 0 В, IC = 1 мА) |
| Струм Ic (25 °C) | 40 А |
| Струм Ic (100 °C) | 20 А |
| Vce(sat) | 1,65 В тип., 2,05 В макс. (VGE = 15 В, IC = 20 А, Tj = 25 °C) |
| Vge(th) | 4,4 / 5,4 / 6,4 В (мін. / тип. / макс.; VGE = VCE, IC = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 45 нКл (VCC = 520 В, IC = 20 А, VGE = 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 1050 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 125 Вт (Tj = 25 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Діод | є, антипаралельний |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.