Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FSW25N50A оригінал, TO-3P
100,11 ₴
45 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
45 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
FSW25N50A – N-канальний польовий транзистор IPS на 500 В і 25 А в корпусі TO-3P. Оригінал.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-3P |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 500 В (Tj 25 °C) |
| Струм стоку Id | 25 А (Tc 25 °C) |
| Rds(on) | 0,18 Ом тип., 0,26 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 10 А, Tj 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 96 нКл тип. (Vdd 250 В, Id 20 А, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 4900 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Vgs(th) | 2,0–4,0 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА, Tj 25 °C) |
| Потужність Pd | 230 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. Tj | 150 °C |
| Vgs макс. | ±30 В |
| Захист ESD (HBM) | 6000 В |
| Корпус | TO-3P |
| Виробник | IPS (InPower Semiconductor) |
| Стан | Оригінал |
FSW25N50A – N-канальний MOSFET виробництва IPS (InPower Semiconductor) в корпусі TO-3P. Напруга Vds – 500 В (Tj 25 °C), струм стоку Id – 25 А (Tc 25 °C), потужність розсіювання Pd – 230 Вт (Tc 25 °C). Опір відкритого каналу Rds(on) – 0,18 Ом типове і 0,26 Ом максимальне (Vgs 10 В, Id 10 А, Tj 25 °C). Заряд затвора Qg – 96 нКл типове (Vdd 250 В, Id 20 А, Vgs 10 В). Вхідна ємність Ciss типово 4900 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц). Порогова напруга Vgs(th) – 2,0–4,0 В, максимальна напруга затвор–витік Vgs – ±30 В. Затвор захищений від ESD: 6000 В за моделлю HBM. Робочий діапазон температури переходу – від -55 до 150 °C.
Стан – оригінал, не демонтаж. Щоб підібрати заміну, порівняйте з вашою деталлю канал (тут N), Vds, Id при тій самій температурі корпусу, Rds(on) при тій самій Vgs і корпус. Якщо Qg у заміни значно більший, перевірте, чи впорається драйвер затвора. Відправка Новою поштою з Запоріжжя в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Джерела безперебійного живлення (UPS)
- Живлення LCD-панелей
- Імпульсні блоки живлення (SMPS)
- Інвертори DC-AC
Заміни з нашого каталогу, підібрані за параметрами datasheet. Не впевнені – надішліть фото плати, підберемо.
| Модель | Чому підходить | Примітка | |
|---|---|---|---|
| FHA24N50 | канал N = N, Vds 500 ≥ 500, Id(25 °C) 24 ≥ 0.8×25=20, Rds(on) Vgs 10 В typ 0.17 ≤ 1.3×0.18=0.234, корпус TO-3P = TO-3P | перевірте драйвер затвора за Qg з datasheet | Купити |
| CS2837 | канал N = N, Vds 500 ≥ 500, Id(25 °C) 20 ≥ 0.8×25=20, Rds(on) Vgs 10 В max 0.18 ≤ 1.3×0.26=0.338, корпус TO-3P = TO-3P | Id на межі правила, при великому струмі запас менший | Купити |
| 2SK2837 | канал N = N, Vds 500 ≥ 500, Id(25 °C) 20 ≥ 0.8×25=20, Rds(on) Vgs 10 В typ 0.21 ≤ 1.3×0.18=0.234, корпус TO-3P = TO-3P | демонтаж; Id на межі правила | Купити |
Вказаний перелік аналогів носить ознайомчий характер. Сумісність треба обов'язково перевіряти самостійно, порівнюючи параметри, вказані в datasheet.
Чим замінити FSW25N50A?
У каталозі є FHA24N50 і CS2837 в тому ж корпусі TO-3P, у них той самий канал, така сама або вища Vds, а струм і опір відкритого каналу близькі. Остаточно звіряйте з datasheet під вашу схему.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Як перевірити транзистор перед встановленням?
Мультиметром у режимі діода перевірте, що між затвором і рештою виводів немає пробою, а канал не замкнений в обох напрямках. У схемі спершу розпаяйте виводи.
Чи є у FSW25N50A захист затвора?
Так, у документі вказано захист від ESD: 6000 В за моделлю HBM (C 100 пФ, R 1,5 кОм). Максимальна напруга затвор–витік – ±30 В.
Документація виробника: FSW25N50A (IPS).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Мікросхема IR2184S , so-8
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Корпус | SO-8 |
| Робоча напруга плаваючого каналу | 600 В |
| Абсолютний максимум VB | 625 В |
| Напруга живлення драйвера | 10–20 В |
| Струм виходу (втікає/витікає) | 1.4 / 1.8 А |
| Мертвий час | внутрішній 500 нс |
| Затримка вмикання / вимикання (typ) | 680 / 270 нс |
| Час наростання (typ / max) | 40 / 60 нс |
| Час спаду (typ / max) | 20 / 35 нс |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Робоча температура середовища | -40…125 °C |
Транзистор FTP08N06A оригінал, TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | IPS (InPower Semiconductor) |
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 55 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм стоку Id | 120 А (TC = 25 °C; обмежено корпусом до 75 А) |
| Опір Rds(on) | 8.0 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 62 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В |
| Заряд затвора Qg | 76 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 4440 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання Pd | 230 Вт (TC = 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Схожі товари
Транзистор HY4008P ( HY4008 , HY4008NA2P ) оригінал (80V,200A), TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | HUAYI |
| Тип каналу | N (режим збагачення) |
| Напруга Vds | 80 В (TC 25 °C) |
| Струм стоку Id | 200 А (TC 25 °C), 144 А (TC 100 °C) |
| Rds(on) | 2.9 мОм тип., 3.5 мОм макс. (VGS = 10 В, IDS = 100 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (VDS = VGS, IDS = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 197 нКл (VDS = 64 В, VGS = 10 В, IDS = 100 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 8154 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 345 Вт (TC 25 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Корпус | TO-220FB-3L |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IRFB3206 ( IRFB3206G ) оригінал демонтаж, TO220(60V,210A,2.4mR)
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N (HEXFET) |
| Напруга Vds | 60 В |
| Струм стоку Id | 210 А (Tc 25 °C, Vgs 10 В, обмеження кремнієм; корпус – 120 А) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 150 А (Tc 100 °C, Vgs 10 В) |
| Rds(on) | 2.4 мОм тип., 3.0 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 75 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds = Vgs, Id 150 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 120 нКл тип. (Id 75 А, Vds 30 В, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 6540 пФ |
| Потужність Pd | 300 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор NCEP85T16 оригінал, TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, Super Trench |
| Напруга Vds | 85 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 160 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 112 А |
| Опір Rds(on) (тип.) | 3.1 мОм при Vgs 10 В, Id 80 А, Tc 25 °C; макс. 3.8 мОм |
| Заряд затвора Qg | 105 нКл при Vdd 40 В, Id 80 А, Vgs 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 8500 пФ (Vds 40 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.5–4.5 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА |
| Потужність розсіювання Pd | 220 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | NCE Power |
| Стан | Оригінал |
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.