Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | SO-8 |
Мікросхема IR2184S , so-8
101,05 ₴
14 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
14 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
IR2184S – мікросхема, драйвер напівмосту для потужних MOSFET та IGBT в корпусі SO-8. Верхній канал працює до 600 В.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | SO-8 |
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Корпус | SO-8 |
| Робоча напруга плаваючого каналу | 600 В |
| Абсолютний максимум VB | 625 В |
| Напруга живлення драйвера | 10–20 В |
| Струм виходу (втікає/витікає) | 1.4 / 1.8 А |
| Мертвий час | внутрішній 500 нс |
| Затримка вмикання / вимикання (typ) | 680 / 270 нс |
| Час наростання (typ / max) | 40 / 60 нс |
| Час спаду (typ / max) | 20 / 35 нс |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Робоча температура середовища | -40…125 °C |
IR2184S – драйвер напівмосту (half-bridge) виробництва Infineon (International Rectifier) в корпусі 8-Lead SOIC (SO-8). Він керує затворами двох транзисторів: верхнього та нижнього плеча, канали незалежні. Верхній канал повністю працює до 600 В (абсолютний максимум VB – 625 В). Напруга живлення драйвера – 10–20 В. Струм виходу – 1.4 А (втікає) та 1.8 А (витікає). Входи IN та SD сумісні з логікою 3.3 В і 5 В: рівень лог. 1 від 2.7 В, лог. 0 до 0.8 В при VCC 10–20 В. Мертвий час внутрішній, фіксований, 500 нс. Є захист від наскрізного струму (cross-conduction prevention logic). Затримка вмикання / вимикання (typ) – 680 / 270 нс; при VBIAS 15 В, CL 1000 пФ, TA 25 °C затримка вмикання (max) – 900 нс.
При виборі заміни звіряйте корпус, напругу верхнього каналу та тип мертвого часу: у IR2184 він фіксований, а у варіанта IR21844 програмується. У документації Infineon також згадані споріднені мікросхеми IR2181 та IR2183; зворотна сумісність не гарантована, тому порівнюйте datasheet перед заміною. Доставка по Україні Новою Поштою, відправка в день оплати або наступного дня. Магазин у Запоріжжі.
Де застосовують
- Драйвер потужних MOSFET та IGBT з незалежними каналами верхнього та нижнього плеча
Чим замінити IR2184S?
Шукайте драйвер напівмосту в тому самому корпусі SO-8 з таким самим верхнім каналом і фіксованим мертвим часом. Виробник у документації згадує IR2181 та IR2183; перед заміною порівняйте datasheet.
Чи підходить IR2184S для керування з мікроконтролера на 3.3 В?
Так, входи IN та SD сумісні з логікою 3.3 В і 5 В: лог. 1 від 2.7 В, лог. 0 до 0.8 В при VCC 10–20 В.
Яка напруга живлення потрібна драйверу?
Напруга живлення драйвера – 10–20 В. Верхній канал працює до 600 В.
Чи можна налаштувати мертвий час?
Ні. У IR2184 мертвий час внутрішній, фіксований, 500 нс. Програмований мертвий час є у варіанта IR21844.
Документація виробника: IR2184(4)(S) & (PbF), Data Sheet No. PD60174 revG.
Параметри наведено за datasheet виробника: IR2184(4)(S) & (PbF), Data Sheet No. PD60174 rev G.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Транзистор FSW25N50A оригінал, TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 500 В (Tj 25 °C) |
| Струм стоку Id | 25 А (Tc 25 °C) |
| Rds(on) | 0,18 Ом тип., 0,26 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 10 А, Tj 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 96 нКл тип. (Vdd 250 В, Id 20 А, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 4900 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Vgs(th) | 2,0–4,0 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА, Tj 25 °C) |
| Потужність Pd | 230 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. Tj | 150 °C |
| Vgs макс. | ±30 В |
| Захист ESD (HBM) | 6000 В |
| Корпус | TO-3P |
| Виробник | IPS (InPower Semiconductor) |
| Стан | Оригінал |
Схожі товари
Мікросхема 24C04WP ( ST24C04WP , 24C04WBN6 , AT24C04N ), DIP8
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Обсяг пам'яті | 4K (4096 біт) |
| Організація | 512 x 8 |
| Інтерфейс | I2C (двопровідний) |
| Напруга живлення | 2,7…5,5 В (версія 2,7 В); 1,8…5,5 В (версія 1,8 В) |
| Частота SCL | 100 кГц (1,8 В); 400 кГц (2,7 В, 5 В) |
| Розмір сторінки запису | 16 байт |
| Час циклу запису (макс.) | 5 мс |
| Циклів запису | 1 000 000 |
| Зберігання даних | 100 років |
| Робоча температура | -40…+85 °C |
| Корпус | DIP8 |
Мікросхема NSI6602AD оригінал ( NSI6602A-DSWR , NSI66 02AD , NS16602AD , NS166 02AD ), sow16
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | NOVOSENSE |
| Корпус | SOIC-16 (wide body) |
| Ізоляція | 5700 В (RMS), 1 хв, UL1577 |
| Піковий струм (джерело) | 4 А на кожен вихід |
| Піковий струм (стік) | 6 А на кожен вихід |
| Живлення VDDI | 3–5,5 В |
| Живлення VDDA/VDDB | 7–25 В |
| Затримка поширення | 25 нс (тип.) |
| CMTI | 150 кВ/мкс (тип.) |
| Робоча температура | -40…125 °C |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема NSI6602BD оригінал ( NSI6602B-DSWR , NSI66 02BD , NS16602BD , NS166 02BD ), sow16
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | NOVOSENSE |
| Призначення | Ізольований двоканальний драйвер затворів силових транзисторів |
| Піковий струм source | 4 А (на кожен канал; VDDA=VDDB=12 В, Ta –40…125 °C) |
| Піковий струм sink | 6 А (на кожен канал; VDDA=VDDB=12 В, Ta –40…125 °C) |
| Напруга VDDA, VDDB | 9,4–25 В (версія NSI6602B) |
| Напруга VDDI | 3–5,5 В |
| Затримка поширення | 25 нс (типово, VDDA=VDDB=12 В) |
| Напруга ізоляції | 5700 В (діюче), 1 хвилина, UL1577 |
| CMTI | 150 кВ/мкс (типово) |
| Температура | –40…125 °C |
| Корпус | SOIC-16 (wide body) |
| Стан | Оригінал |
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.