Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Знято з плати. Перевірено інженером: тестер на пробій та обрив виводів.
IGBT-транзистор RJP30K3 оригінал демонтаж б/в, TO220F
141,00 ₴
6 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
6 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
IGBT-транзистор RJP30K3 (Renesas) у корпусі TO-220F для швидкісного силового перемикання. Оригінал, демонтаж б/в – знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220F |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Renesas |
| Тип | N-канальний IGBT |
| Серія | G6H-II, trench gate |
| Напруга Vces | 360 В |
| Струм колектора Ic | 40 А (Ta 25 °C) |
| Розсіювана потужність Pc | 30 Вт (Tc 25 °C) |
| Vce(sat) | 1.1 В тип., 1.6 В макс. (Ic 40 А, Vge 15 В) |
| Заряд затвора Qg | 49 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 1700 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
RJP30K3 (в документації Renesas – RJP30K3DPP-M0) – N-канальний IGBT-транзистор серії G6H-II з ізольованим корпусом TO-220FL. Серія виконана за технологією trench gate на тонкій пластині. Datasheet призначає його для швидкісного силового перемикання. Напруга Vces – 360 В (ліміт, Ta 25 °C), струм колектора Ic – 40 А (Ta 25 °C), розсіювана потужність Pc – 30 Вт (Tc 25 °C), Tj макс. – 150 °C. Vce(sat) – 1.1 В типово і 1.6 В макс. при Ic 40 А і Vge 15 В (імпульсний тест). Заряд затвора Qg – 49 нКл при Vge 15 В, Vce 150 В, Ic 40 А. Вхідна ємність Cies типово 1700 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц).
Оригінал, демонтаж б/в – деталь знята з плати; інженер перевіряє її тестером на пробій та обрив виводів. Якщо підбираєте заміну, порівнюйте корпус і розпіновку, Vces, струм колектора, Vce(sat) та заряд затвора при однакових умовах вимірювання за datasheet. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Швидкісне силове перемикання (High Speed Power Switching)
Чим замінити RJP30K3?
Потрібен IGBT з тим самим корпусом і розпіновкою, напругою Vces не нижче 360 В і струмом колектора не менше 40 А. Порівнюйте Vce(sat) і заряд затвора Qg при тих самих умовах, бо від них залежить нагрів і навантаження на драйвер.
Яка напруга керування затвором?
Максимальна напруга затвор-емітер Vges – ±30 В (Ta 25 °C). Значення Vce(sat) у datasheet наведено при Vge 15 В.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, демонтаж б/в – знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів.
Чи є в RJP30K3 вбудований діод?
У datasheet це не описано, тому діод не заявляємо. Якщо він потрібен у схемі, ставте зовнішній або звіряйтеся з документацією Renesas.
Документація виробника: RJP30K3DPP-M0, Preliminary Datasheet R07DS0501EJ0100 Rev.1.00.
Datasheet Renesas у редакції Preliminary (копія); наявність вбудованого діода не описана.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
IGBT-транзистор 50T65FD1 оригінал ( SGT50T65FD1 , SGT50T65FD1PN )(Заміна для TGAN50N60SFD , 50N60SFD ) , TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 100 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 50 А |
| Імпульсний струм колектора Icm | 150 А |
| Розсіювана потужність Pd (25 °C) | 235 Вт |
| Напруга насичення Vce(sat) | 2.2 В тип. (Ic=50 А, Vge=15 В, Tc=25 °C) |
| Корпус | TO-3P |
| Вбудований діод | Vf 1.95 В (If=25 А), trr 33 нс |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор AUPS4067D оригінал демонтаж б/в ( AUPS4067D1 , AUPS4067D2 , AUPS4067D6-G , AUPS4067D6-H , AUPS4067D1-B , AUPS4067D2-B , AUPS4067D3-B , AUPS4067D2-C , AUPS4067D1-C , AUPS4067D4-G , AUIRGPS4067D1 , IRGPS4067D , IRGPS4067DPbF , GPS4067D ), Super-247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 240 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 160 А |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1,7 В тип. / 2,05 В макс. (Ic 120 А, Vge 15 В, Tj 25 °C) |
| Час відновлення діода trr | 360 нс (Tj 175 °C) |
| Розсіювана потужність Pd | 750 Вт (Tc 25 °C) |
| Максимальна температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | Super-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор MGF65A4R оригінал демонтаж б/в , TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга колектор–емітер Vces | 650 В |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 65 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 40 А |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1,6 В (макс. 1,96 В) при Vge 15 В, Ic 40 А, Tj 25 °C |
| Вбудований швидкий діод | є |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Вхідна ємність Cies | 2300 пФ (Vce 20 В, f 1 МГц) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.