Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | D2PAK |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Знято з плати. Перевірено інженером: тестер на пробій та обрив виводів.
IGBT-транзистор RJP30H2A оригінал демонтаж б/в, D2PAK
188,00 ₴
60 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
60 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
RJP30H2A – N-канальний IGBT Renesas для швидкісних силових ключів. Оригінал, демонтаж б/в: знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | D2PAK |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Renesas |
| Напруга Vces | 360 В (Ta 25 °C) |
| Напруга Vges | ±30 В |
| Струм Ic | 35 А (Ta 25 °C) |
| Імпульсний струм Ic(peak) | 250 А (PW ≤ 10 мкс, шпаруватість ≤ 1 %) |
| Потужність Pc | 60 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Vce(sat) | 1,4 В тип., 1,9 В макс. (Ic 35 А, Vge 15 В) |
| Заряд затвора Qg | 37 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 1200 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Корпус | D2PAK |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
RJP30H2A (Renesas) – N-канальний IGBT-транзистор trench gate серії G6H-II у корпусі D2PAK. Напруга колектор–емітер Vces – 360 В, Vges – ±30 В (Ta 25 °C). Струм колектора Ic – 35 А при Ta 25 °C; імпульсний Ic(peak) – 250 А (PW ≤ 10 мкс, шпаруватість ≤ 1 %). Потужність Pc – 60 Вт при Tc 25 °C, максимальна температура переходу – 150 °C. Vce(sat) – 1,4 В тип., 1,9 В макс. при Ic 35 А, Vge 15 В. Заряд затвора Qg – 37 нКл (Vge 15 В, Vce 150 В, Ic 35 А). Вхідна ємність Cies типово 1200 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц). Час наростання tr – 100 нс, час спаду tf – 180 нс (Ic 35 А, RL 4,5 Ом, Vge 15 В, Rg 5 Ом).
Оригінал, демонтаж б/в – знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів. Підбираючи заміну, порівнюйте Vces, Ic, Vce(sat), Qg і корпус. Виробник називає у тому ж документі RJP30H2DPK-M0: це інша модифікація, перевіряйте її корпус за datasheet.
Де застосовують
- Швидкісні силові ключі (High speed power switching)
Заміни з нашого каталогу, підібрані за параметрами datasheet. Не впевнені – надішліть фото плати, підберемо.
| Модель | Чому підходить | Примітка | |
|---|---|---|---|
| RJP30H2A | той самий номер RJP30H2A і той самий корпус D2PAK | у назві тієї позиції не вказано демонтаж; стан дивіться на її сторінці | Купити |
Вказаний перелік аналогів носить ознайомчий характер. Сумісність треба обов'язково перевіряти самостійно, порівнюючи параметри, вказані в datasheet.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, демонтаж б/в. Деталь знята з плати; інженер перевіряє її тестером на пробій та обрив виводів.
Чим замінити RJP30H2A?
Порівняйте Vces, Ic, Vce(sat), Qg і корпус D2PAK. Якщо Qg у заміни значно більший, перевірте драйвер затвора. Взаємозамінність перевіряйте самостійно за datasheet.
Яка максимальна напруга у RJP30H2A?
Vces – 360 В при Ta 25 °C. Це невисока напруга, тож перед встановленням звірте її з вашою схемою.
Якою напругою керується затвор?
Допустима напруга затвор–емітер Vges – ±30 В, порогова Vge(off) – 2,5–5 В при Vce 10 В, Ic 1 мА, Ta 25 °C. Vce(sat) наведено при Vge 15 В.
Документація виробника: RJP30H2A (Renesas).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
IGBT-транзистор RJP63K2 оригінал , D2PAK
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Renesas |
| Корпус | D2PAK |
| Напруга Vces | 630 В (Ta 25 °C) |
| Напруга Vges | ±30 В (Ta 25 °C) |
| Струм колектора Ic | 35 А (Ta 25 °C) |
| Імпульсний струм Ic(peak) | 200 А (PW ≤ 10 мкс, шпаруватість ≤ 1 %) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1,9 В тип., 2,4 В макс. (Ic 35 А, Vge 15 В, Ta 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 20 нКл (Vge 15 В, Vce 300 В, Ic 35 А) |
| Вхідна ємність Cies | 620 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SVF7N60F оригінал (заміна для FQPF7N60C , FDPF7N60NZ , HM7N60F , SSS7N60A , FQF7N60C ) , TO220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | Hangzhou Silan Microelectronics |
| Напруга Vds | 600 В (TC 25 °C) |
| Струм Id (25 °C) | 7,0 А |
| Струм Id (100 °C) | 4,0 А |
| Rds(on) | 0,96 Ом типово (Vgs 10 В, Id 3,5 А) |
| Vgs(th) | 2,0–4,0 В |
| Pd | 45 Вт (TC 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 770 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Схожі товари
IGBT-транзистор KGF75N65KDF ( 75N65KDF ) оригінал, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 100 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 75 А |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1,77 В тип. / 2,2 В макс. (Ic 75 А, Vge 15 В, Tc 25 °C) |
| Розсіювана потужність Pd | 484 Вт (Tc 25 °C) |
| Максимальна температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Вбудований діод | так (co-pack) |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор YGW75N65HP оригінал , TO247(заміна для YGW75N65F1 , YGW75N65T1 , 75N65FL2 , NGTB75N65FL2WG )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Номер | YGW75N65HP |
| Виробник | Luxin Semiconductor (LU SEMI) |
| Тип | IGBT-транзистор Trench Field Stop з діодом |
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм Ic (25 °C) | 150 А |
| Струм Ic (100 °C) | 75 А |
| Vce(sat) | 1,65 В тип. (VGE = 15 В, IC = 75 А, Tj = 25 °C) |
| Потужність Pd (25 °C) | 375 Вт |
| Вхідна ємність Cies | 4700 пФ (Vce 25 В, f 100 кГц) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.