Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | D2PAK |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Знято з плати. Перевірено інженером: тестер на пробій та обрив виводів.
IGBT-транзистор GT30F131 ( 30F131 ) оригінал демонтаж б/в, D2PAK (TO-263)
188,00 ₴
63 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
63 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
GT30F131 (30F131) – IGBT-транзистор 360 В у корпусі D2PAK (TO-263). Оригінал, демонтаж б/в – знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | D2PAK |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | IGBT-транзистор |
| Напруга Vces | 360 В |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1,9 В (тип.) |
| Корпус | D2PAK |
| Маркування | 30F131 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
GT30F131 (маркування 30F131) – IGBT-транзистор у корпусі D2PAK (TO-263) для поверхневого монтажу. Окремого даташиту з повною таблицею немає, тому параметри наведено за каталогом Toshiba Discrete IGBTs: напруга колектор–емітер Vces 360 В, напруга насичення Vce(sat) 1,9 В (тип.) при струмі 120 А. У каталозі ця деталь стоїть у розділі для плазмових панелей (PDP). Каталог описує GT30F131 у корпусі TO-220SM(MXN), тому потужність і імпульсний струм з нього не наводимо.
Деталь знята з плати; інженер перевіряє її тестером на пробій та обрив виводів. Це оригінальний транзистор, не копія, але вживаний, тому на виводах можуть бути сліди пайки. Заміну підбирайте за корпусом D2PAK (TO-263) і напругою не нижче 360 В; струм звіряйте з документацією на ваш пристрій. Відправляємо Новою Поштою по всій Україні в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- схеми плазмових панелей (PDP)
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, демонтаж б/в: деталь знята з плати, інженер перевіряє її тестером на пробій та обрив виводів.
Чим замінити GT30F131?
Шукайте IGBT у корпусі D2PAK (TO-263) з напругою колектор–емітер не нижче 360 В. Струм і потужність звіряйте з документацією на ваш пристрій: у каталозі їх наведено для іншого корпусу.
Як перевірити IGBT-транзистор перед встановленням?
Мультиметром у режимі прозвонки перевірте, що між виводами немає пробою. Перед встановленням також перевірте драйвер затвора, щоб причина виходу з ладу не повторилась.
Звідки параметри GT30F131?
З каталогу Toshiba Discrete IGBTs (2011). Там на GT30F131 тільки один рядок, тому в картці лише напруга Vces і напруга насичення.
Документація виробника: Discrete IGBTs Product Guide 2011-3 (Toshiba).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
IGBT-транзистор RJP30H2A оригінал демонтаж б/в, D2PAK
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Renesas |
| Напруга Vces | 360 В (Ta 25 °C) |
| Напруга Vges | ±30 В |
| Струм Ic | 35 А (Ta 25 °C) |
| Імпульсний струм Ic(peak) | 250 А (PW ≤ 10 мкс, шпаруватість ≤ 1 %) |
| Потужність Pc | 60 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Vce(sat) | 1,4 В тип., 1,9 В макс. (Ic 35 А, Vge 15 В) |
| Заряд затвора Qg | 37 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 1200 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Корпус | D2PAK |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Схожі товари
IGBT-транзистор AUPS4067D оригінал демонтаж б/в ( AUPS4067D1 , AUPS4067D2 , AUPS4067D6-G , AUPS4067D6-H , AUPS4067D1-B , AUPS4067D2-B , AUPS4067D3-B , AUPS4067D2-C , AUPS4067D1-C , AUPS4067D4-G , AUIRGPS4067D1 , IRGPS4067D , IRGPS4067DPbF , GPS4067D ), Super-247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 240 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 160 А |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1,7 В тип. / 2,05 В макс. (Ic 120 А, Vge 15 В, Tj 25 °C) |
| Час відновлення діода trr | 360 нс (Tj 175 °C) |
| Розсіювана потужність Pd | 750 Вт (Tc 25 °C) |
| Максимальна температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | Super-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор GW60H65DFB ( STGW60H65DFB ) оригінал демонтаж б/в, TO-247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга Vces | 650 В (VGE = 0 В) |
| Струм Ic (100 °C) | 60 А |
| Струм Ic (25 °C) | 80 А (обмежено виводами, кристал 60 А) |
| Імпульсний струм Icp | 240 А |
| Vce(sat) | 1,6 В typ, 2,0 В max (VGE = 15 В, Ic = 60 А, Tj = 25 °C) |
| Потужність Ptot | 375 Вт (TC = 25 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 7792 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Tj max | 175 °C |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.