Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | D2PAK |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор DG302 ( DG3C3020CL ) оригінал ( 300V,250A ) , D2PAK
150,40 ₴
4996 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
4996 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
DG302 (DG3C3020CL) – IGBT-транзистор у корпусі D2PAK, оригінал. За каталогом DG3C302: 330 В, 45 А, імпульсний струм 250 А.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | D2PAK |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | IGBT-транзистор |
| Напруга Vces | 330 В |
| Струм колектора Ic | 45 А |
| Імпульсний струм Icp | 250 А |
| Корпус | D2PAK |
| Стан | Оригінал |
DG302 (DG3C3020CL) – IGBT-транзистор (біполярний транзистор з ізольованим затвором) у корпусі D2PAK, оригінал. Точного даташиту на DG3C3020CL не знайшли. Параметри наведено за найближчим схожим документом – сторінкою каталогу IGBT для плазмових панелей з рядком DG3C302; виробник у каталозі не вказаний. За каталогом: напруга колектор–емітер Vces 330 В, струм колектора Ic 45 А, імпульсний струм Icp 250 А. У назві товару вказано 300 В і 250 А: 250 А – це імпульсний струм за каталогом. Напругу насичення і час спаду каталог дає без умов вимірювання, тому їх не наводимо.
За каталогом такі IGBT ставлять у схеми керування плазмовими панелями (PDP). Корпус D2PAK для поверхневого монтажу, деталь паяють на плату без отворів. Це оригінал, не демонтаж: нова деталь, не знята з плати. Щоб підібрати заміну, порівняйте напругу, струм, корпус D2PAK, наявність вбудованого діода та вимоги до драйвера затвора. Взаємозамінність з іншими IGBT перевіряйте самостійно за їхніми даташитами. Відправляємо Новою Поштою по всій Україні в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- керування плазмовими панелями (PDP)
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Яка напруга і струм у DG302?
За каталогом DG3C302: Vces 330 В, струм колектора 45 А, імпульсний струм 250 А. У назві товару вказано 300 В і 250 А; 250 А відповідає імпульсному струму.
Чим замінити DG302?
Порівняйте напругу, струм, корпус D2PAK і наявність діода в іншого IGBT. Взаємозамінність перевіряйте самостійно за даташитами.
Яке ще маркування має ця деталь?
У назві вказано DG3C3020CL.
Звідки параметри DG302?
Точного даташиту на DG3C3020CL не знайшли. Параметри взято зі сторінки каталогу з рядком DG3C302 – найближчої схожої деталі. Точний збіг усіх значень не гарантуємо.
Найближчий datasheet: DG3C302 (catalog page).
Точного даташиту на DG3C3020CL не знайдено. Найближчий схожий даташит – DG3C302 (catalog page).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Діод RF1501 ( RF1501NS3S , RF1501NP3S ) , D2PAK
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | ROHM |
| Корпус | D2PAK |
| Конфігурація | одиночний |
| Повторювана зворотна напруга VRM | 350 В (шпаруватість 0.5) |
| Постійна зворотна напруга VR | 300 В (Tc 25 °C) |
| Середній прямий струм Io | 20 А (60 Гц напівсинусоїда, Tc 54 °C) |
| Імпульсний струм IFSM | 100 А (60 Гц напівсинусоїда, Tj 25 °C) |
| Пряма напруга VF (макс.) | 1.5 В (IF 20 А, Tj 25 °C) |
| Зворотний струм IR (макс.) | 10 мкА (VR 300 В, Tj 25 °C) |
| Час відновлення trr (макс.) | 30 нс (IF 0.5 А, IR 1 А, Irr 0.25·IR, Tj 25 °C), типово 22 нс |
| Тепловий опір перехід–корпус | 2.5 °C/Вт |
| Температура переходу Tj (макс.) | 150 °C |
Діод RFN10NS3S , D2PAK
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | ROHM |
| Корпус | D2PAK |
| Конфігурація | одиночний, спільний катод виводів 1-3 |
| Повторювана зворотна напруга VRM | 350 В (Duty 0.5) |
| Зворотна напруга VR (DC) | 350 В |
| Ударний струм IFSM | 100 А (60 Гц, один період, Tj=25 °C) |
| Пряма напруга VF | 1.5 В макс. (IF=10 А, Tj=25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Тепловий опір Rth(j-c) | 4.0 °C/Вт |
Схожі товари
IGBT-транзистор AOK60B60D1 ( K60B60D1 ) оригінал демонтаж б/в, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Alpha and Omega Semiconductor (AOS) |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм колектора Ic (Product Summary) | 60 А |
| Vce(sat) typ | 1.85 В при Ic=60 А |
| Vge(th) typ | 5.4 В при VCE=5 В, Ic=1 мА |
| Заряд затвора Qg | 75 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 3288 пФ |
| Час спаду tf | 16 нс |
| Стійкість до КЗ tsc | 10 мкс |
| Тепловий опір перехід-корпус | 0.3 °C/Вт |
| Діапазон Tj, Tstg | -55…150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор GP19NC60KD ( STGP19NC60KD ) оригінал , TO220(Заміна для IGP15T60F )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vces | 600 В (VGE = 0 В) |
| Струм Ic (100 °C) | 20 А |
| Струм Ic (25 °C) | 35 А (розрахунок за формулою виробника) |
| Імпульсний струм Icp | 75 А |
| Vce(sat) | 2,0 В typ, 2,75 В max (VGE = 15 В, Ic = 12 А, TC = 25 °C) |
| Потужність Ptot | 125 Вт (TC = 25 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 1170 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор H40R1203 ( IHW40N120R3 ) , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Номер | IHW40N120R3 |
| Маркування | H40R1203 |
| Виробник | Infineon |
| Тип | IGBT-транзистор зі зворотно-провідним діодом |
| Напруга Vces | 1200 В |
| Струм Ic (25 °C) | 80 А |
| Струм Ic (100 °C) | 40 А |
| Vce(sat) | 1,55 В тип. (VGE = 15 В, IC = 40 А, Tvj = 25 °C) |
| Потужність Pd (25 °C) | 429 Вт |
| Вхідна ємність Cies | 2708 пФ |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
IGBT-транзистор YGP20N65T2 оригінал, TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Luxin Semiconductor (LU SEMI) |
| Тип | IGBT Trench Field Stop з діодом |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vces | 650 В (VGE = 0 В, IC = 1 мА) |
| Струм Ic (25 °C) | 40 А |
| Струм Ic (100 °C) | 20 А |
| Vce(sat) | 1,65 В тип., 2,05 В макс. (VGE = 15 В, IC = 20 А, Tj = 25 °C) |
| Vge(th) | 4,4 / 5,4 / 6,4 В (мін. / тип. / макс.; VGE = VCE, IC = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 45 нКл (VCC = 520 В, IC = 20 А, VGE = 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 1050 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 125 Вт (Tj = 25 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Діод | є, антипаралельний |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.