Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Знято з плати. Перевірено інженером: тестер на пробій та обрив виводів.
IGBT-транзистор TGAN40N120FDR ( 40N120FDR , TGAN40N120F2DW , TGAN40N120F2DW ) оригінал демонтаж б/в, TO-3P(1200V,40A)
164,50 ₴
13 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
13 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
TGAN40N120FDR – IGBT-транзистор TRinno типу Field Stop Trench з вбудованим діодом у корпусі TO-3PN. Оригінал, демонтаж б/в – знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-3P |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 1200 В |
| Струм Ic при Tc 25 °C | 80 А |
| Струм Ic при Tc 100 °C | 40 А |
| Імпульсний струм Icm | 120 А |
| Vce(sat) при Ic 40 А, Vge 15 В, Tc 25 °C | 2.0 В (макс. 2.5 В) |
| Потужність Pd при Tc 25 °C | 500 Вт |
| Заряд затвора Qg | 320 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 5260 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Вбудований діод | так, If 40 А |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Корпус (докладно) | TO-3P(N) |
| Виробник | TRinno |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
TGAN40N120FDR (маркування 40N120FDR) – IGBT-транзистор TRinno типу Field Stop Trench з вбудованим діодом у корпусі TO-3PN. Напруга колектор–емітер Vces – 1200 В. Струм колектора Ic – 80 А при Tc 25 °C і 40 А при Tc 100 °C, імпульсний Icm – 120 А (обмежено Tj max). Напруга насичення Vce(sat) – 2.0 В (макс. 2.5 В) при Vge 15 В, Ic 40 А, Tc 25 °C; 2.3 В при Tc 150 °C. Потужність розсіювання Pd – 500 Вт при Tc 25 °C, 200 Вт при Tc 100 °C. Заряд затвора Qg – 320 нКл (макс. 480 нКл) при Vcc 600 В, Ic 40 А, Vge 15 В. Вхідна ємність Cies типово 5260 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц). Максимальна температура переходу – 150 °C.
Оригінал, демонтаж б/в. Деталь знята з плати; інженер перевіряє її тестером на пробій та обрив виводів. Підбираючи заміну, дивіться на корпус TO-3PN, напругу 1200 В, струм Ic при Tc 100 °C, наявність вбудованого діода та заряд затвора Qg, від якого залежить навантаження на драйвер. Відправляємо з Запоріжжя Новою поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- UPS
- Зварювальні апарати
- Інвертори
- Сонячні інвертори
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, демонтаж б/в. Деталь знята з плати, інженер перевіряє її тестером на пробій та обрив виводів.
Чим замінити TGAN40N120FDR?
Шукайте IGBT у корпусі TO-3PN з Vces не менше 1200 В, зі струмом Ic при Tc 100 °C не нижче 40 А та з вбудованим діодом. У назві товару вказані також позначення 40N120FDR і TGAN40N120F2DW. Взаємозамінність перевіряйте за datasheet.
Для яких схем підходить цей IGBT?
У документі вказані UPS, зварювальні апарати, інвертори та сонячні інвертори.
Який вбудований діод у транзисторі?
Діод розрахований на If 40 А. Пряма напруга Vfm – 2.85 В при If 40 А, Tc 25 °C; час зворотного відновлення trr – 190 нс за тих самих умов.
Документація виробника: TGAN40N120FDR (TRinno).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
IGBT-транзистор 50T65FD1 оригінал ( SGT50T65FD1 , SGT50T65FD1PN )(Заміна для TGAN50N60SFD , 50N60SFD ) , TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 100 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 50 А |
| Імпульсний струм колектора Icm | 150 А |
| Розсіювана потужність Pd (25 °C) | 235 Вт |
| Напруга насичення Vce(sat) | 2.2 В тип. (Ic=50 А, Vge=15 В, Tc=25 °C) |
| Корпус | TO-3P |
| Вбудований діод | Vf 1.95 В (If=25 А), trr 33 нс |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор GP19NC60KD ( STGP19NC60KD ) оригінал , TO220(Заміна для IGP15T60F )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vces | 600 В (VGE = 0 В) |
| Струм Ic (100 °C) | 20 А |
| Струм Ic (25 °C) | 35 А (розрахунок за формулою виробника) |
| Імпульсний струм Icp | 75 А |
| Vce(sat) | 2,0 В typ, 2,75 В max (VGE = 15 В, Ic = 12 А, TC = 25 °C) |
| Потужність Ptot | 125 Вт (TC = 25 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 1170 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.