Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | D2PAK |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Знято з плати. Перевірено інженером: тестер на пробій та обрив виводів.
IGBT-транзистор SGB10N60 ( G10N60 )(заміна для G10N60A , SGB10N60A ) оригінал демонтаж б/в, D2PAK
108,10 ₴
2 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
2 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
SGB10N60 (G10N60) – швидкий IGBT-транзистор на 600 В у корпусі D2PAK, може замінити G10N60A та SGB10N60A. Оригінал, демонтаж б/в – знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | D2PAK |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга колектор–емітер Vces | 600 В |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 20 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 10,6 А |
| Імпульсний струм колектора | 40 А |
| Напруга насичення Vce(sat) | 2,0 В (тип.), 2,4 В (макс.) при VGE = 15 В, IC = 10 А, Tj 25 °C |
| Заряд затвора Qg | 52 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Cies | 550 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Розсіювана потужність | 92 Вт при TC = 25 °C |
| Корпус | D2PAK |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
SGB10N60 (G10N60) – IGBT-транзистор у корпусі D2PAK (PG-TO-263-3-2). Цифри нижче наведено за даташитом найближчої деталі SGB10N60A (Infineon). Напруга колектор–емітер Vces – 600 В при VGE = 0 В, IC = 500 мкА. Струм колектора Ic – 20 А при TC = 25 °C і 10,6 А при TC = 100 °C, імпульсний – 40 А. Напруга насичення Vce(sat) – 2,0 В (тип.), 2,4 В (макс.) при VGE = 15 В, IC = 10 А, Tj 25 °C. Заряд затвора Qg – 52 нКл (тип.) при VCC = 480 В, IC = 10 А. Вхідна ємність Cies типово 550 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц). Розсіювана потужність – 92 Вт при TC = 25 °C. Витримує коротке замикання 10 мкс.
Оригінал, демонтаж б/в. Деталь знята з плати; інженер перевіряє її тестером на пробій та обрив виводів. SGB10N60 може замінити G10N60A та SGB10N60A, але зворотна заміна не завжди можлива; взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet.
Де застосовують
- Керування двигунами
- Інвертори
Чи може SGB10N60 замінити G10N60A або SGB10N60A?
Так, SGB10N60 може замінити G10N60A та SGB10N60A. Зворотна заміна не завжди можлива; взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, демонтаж б/в. Деталь знята з плати, інженер перевіряє її тестером на пробій та обрив виводів.
Для чого призначений SGB10N60?
Для керування двигунами та в інверторах. Це швидкий IGBT у NPT-технології на 600 В.
Який максимальний струм колектора?
20 А при TC = 25 °C і 10,6 А при TC = 100 °C. Імпульсний струм – 40 А.
Найближчий datasheet: SGB10N60A (Infineon).
Точного даташиту не знайдено. Параметри взято з найближчого за назвою даташиту.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
IGBT-транзистор 50T65FD1 оригінал ( SGT50T65FD1 , SGT50T65FD1PN )(Заміна для TGAN50N60SFD , 50N60SFD ) , TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 100 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 50 А |
| Імпульсний струм колектора Icm | 150 А |
| Розсіювана потужність Pd (25 °C) | 235 Вт |
| Напруга насичення Vce(sat) | 2.2 В тип. (Ic=50 А, Vge=15 В, Tc=25 °C) |
| Корпус | TO-3P |
| Вбудований діод | Vf 1.95 В (If=25 А), trr 33 нс |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор FGH30S130P оригінал демонтаж б/в, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Напруга колектор–емітер Vces | 1300 В (Tc 25 °C) |
| Напруга затвор–емітер Vges | ±25 В |
| Струм колектора Ic | 60 А (Tc 25 °C); 30 А (Tc 100 °C) |
| Імпульсний струм Icm | 90 А (обмежено Tj max) |
| Потужність розсіювання Pd | 500 Вт (Tc 25 °C) |
| Vce(sat) | 1,75 В typ / 2,3 В max (Ic 30 А, Vge 15 В, Tc 25 °C) |
| Робоча температура переходу Tj | -55…+175 °C |
| Заряд затвора Qg | 372,3 нКл (Vce 600 В, Ic 30 А, Vge 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 3345 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор JT050N065WED ( 050N065WED ) оригінал, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Jilin Sino-Microelectronics (JSMC) |
| Тип | IGBT Trench FS з діодом |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга Vces | 650 В (IC = 250 мкА, VGE = 0 В) |
| Струм Ic (25 °C) | 100 А |
| Струм Ic (100 °C) | 50 А |
| Vce(sat) | 1,6 В тип., 2,2 В макс. (VGE = 15 В, IC = 50 А, Tc = 25 °C) |
| Vge(th) | 4,5 В мін., 6,5 В макс. (VCE = VGE, IC = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 121 нКл (VCC = 520 В, IC = 50 А, VGE = 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 3435 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 437 Вт (Tc = 25 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Діод | є, антипаралельний |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор YGP20N65T2 оригінал, TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Luxin Semiconductor (LU SEMI) |
| Тип | IGBT Trench Field Stop з діодом |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vces | 650 В (VGE = 0 В, IC = 1 мА) |
| Струм Ic (25 °C) | 40 А |
| Струм Ic (100 °C) | 20 А |
| Vce(sat) | 1,65 В тип., 2,05 В макс. (VGE = 15 В, IC = 20 А, Tj = 25 °C) |
| Vge(th) | 4,4 / 5,4 / 6,4 В (мін. / тип. / макс.; VGE = VCE, IC = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 45 нКл (VCC = 520 В, IC = 20 А, VGE = 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 1050 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 125 Вт (Tj = 25 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Діод | є, антипаралельний |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.