Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор RJP3047 оригінал , TO-3P
164,50 ₴
8 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
8 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
RJP3047 – IGBT-транзистор у корпусі TO-3P, оригінал. Силовий ключ для інверторів і схем керування навантаженням.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-3P |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-3P |
| Тип | IGBT-транзистор |
| Стан | Оригінал |
RJP3047 – IGBT-транзистор у корпусі TO-3P. IGBT поєднує керування затвором, як у польового транзистора, з вихідним каскадом біполярного, тому такі деталі ставлять у силові ключі: інвертори, блоки живлення, схеми керування двигунами й нагрівачами. Електричні параметри для цієї позиції ми не наводимо: datasheet на RJP3047 знайти не вдалося, а цифри без документа були б припущенням. Напругу, струм і решту даних звіряйте з маркуванням на корпусі та з документацією до вашого пристрою.
Оригінал, не демонтаж. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою, відправка в день оплати або наступного дня. Щоб підібрати заміну, порівняйте тип транзистора (IGBT), корпус TO-3P і ключові параметри з datasheet на вашу деталь. Однакового корпусу для взаємозамінності недостатньо: окремо перевірте розпіновку, допустиму напругу й струм. Якщо сумніваєтеся, напишіть нам номер деталі, яку треба замінити, і ми підкажемо, що є в наявності.
Де застосовують
- Силові ключі
- Інвертори
- Керування навантаженням
Чим замінити RJP3047?
Підбирайте IGBT у тому самому корпусі TO-3P з такою самою розпіновкою, а напругу й струм звіряйте за datasheet. Готового списку аналогів ми не наводимо, бо параметри цієї деталі без документа не підтверджені.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Як перевірити IGBT мультиметром?
Виміряйте опір між виводами: затвор має бути ізольований від колектора й емітера. Якщо є коротке замикання між будь-якими виводами, транзистор несправний. Повну перевірку роблять у схемі під навантаженням.
Чому немає таблиці параметрів?
Datasheet на RJP3047 ми не знайшли. Щоб не давати непідтверджених цифр, параметри не вказані.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
IGBT-транзистор 50T65FD1 оригінал ( SGT50T65FD1 , SGT50T65FD1PN )(Заміна для TGAN50N60SFD , 50N60SFD ) , TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 100 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 50 А |
| Імпульсний струм колектора Icm | 150 А |
| Розсіювана потужність Pd (25 °C) | 235 Вт |
| Напруга насичення Vce(sat) | 2.2 В тип. (Ic=50 А, Vge=15 В, Tc=25 °C) |
| Корпус | TO-3P |
| Вбудований діод | Vf 1.95 В (If=25 А), trr 33 нс |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор FGH30S130P оригінал демонтаж б/в, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Напруга колектор–емітер Vces | 1300 В (Tc 25 °C) |
| Напруга затвор–емітер Vges | ±25 В |
| Струм колектора Ic | 60 А (Tc 25 °C); 30 А (Tc 100 °C) |
| Імпульсний струм Icm | 90 А (обмежено Tj max) |
| Потужність розсіювання Pd | 500 Вт (Tc 25 °C) |
| Vce(sat) | 1,75 В typ / 2,3 В max (Ic 30 А, Vge 15 В, Tc 25 °C) |
| Робоча температура переходу Tj | -55…+175 °C |
| Заряд затвора Qg | 372,3 нКл (Vce 600 В, Ic 30 А, Vge 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 3345 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор GP19NC60KD ( STGP19NC60KD ) оригінал , TO220(Заміна для IGP15T60F )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vces | 600 В (VGE = 0 В) |
| Струм Ic (100 °C) | 20 А |
| Струм Ic (25 °C) | 35 А (розрахунок за формулою виробника) |
| Імпульсний струм Icp | 75 А |
| Vce(sat) | 2,0 В typ, 2,75 В max (VGE = 15 В, Ic = 12 А, TC = 25 °C) |
| Потужність Ptot | 125 Вт (TC = 25 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 1170 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.