Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Знято з плати. Перевірено інженером: тестер на пробій та обрив виводів.
IGBT-транзистор RJP30E2 оригинал демонтаж б/в, TO-3P
127,84 ₴
7 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
7 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
RJP30E2 – IGBT-транзистор Renesas у корпусі TO-3P: Vces 360 В, Ic 35 А. Оригінал, демонтаж б/в – знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-3P |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Renesas |
| Корпус | TO-3P |
| Напруга Vces | 360 В (Ta 25 °C) |
| Струм колектора Ic | 35 А (Ta 25 °C) |
| Імпульсний струм Ic(peak) | 200 А (PW ≤ 10 мкс, шпаруватість ≤ 1 %) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1.7 В тип., 2.2 В макс. (Ic 35 А, Vge 15 В) |
| Порогова напруга Vge(off) | 2.5 В мін., 5 В макс. (Vce 10 В, Ic 1 мА) |
| Заряд затвора Qg | 34 нКл (Vge 15 В, Vce 150 В, Ic 35 А) |
| Вхідна ємність Cies | 1160 пФ (Vce 25 В, Vge 0, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
RJP30E2 – IGBT-транзистор Renesas у корпусі TO-3P. За даними datasheet Renesas, напруга колектор-емітер Vces становить 360 В, струм колектора Ic – 35 А (обидва значення при Ta 25 °C), імпульсний струм Ic(peak) – 200 А (PW ≤ 10 мкс, шпаруватість ≤ 1 %). Напруга насичення Vce(sat) – 1.7 В типово і 2.2 В максимум при Ic 35 А, Vge 15 В. Порогова напруга затвора Vge(off) – від 2.5 до 5 В (Vce 10 В, Ic 1 мА), повний заряд затвора Qg – 34 нКл, вхідна ємність Cies – 1160 пФ. Максимальна температура переходу Tj – 150 °C.
Оригінал, демонтаж б/в – знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів. Щоб підібрати заміну, порівняйте Vces, Ic, Vce(sat) і заряд затвора Qg з datasheet на вашу деталь, а також корпус і розпіновку. Якщо Qg у заміни більший, перевірте, чи впорається драйвер затвора. У документі виробника (RJP30E2DPK-M0) корпус називається TO-3PSG (код PRSS0004ZH-A). Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою, відправка в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Силові ключі
- Інвертори
- Керування навантаженням
Чим замінити RJP30E2?
Підбирайте IGBT у корпусі TO-3P з такою самою розпіновкою, Vces не нижче 360 В і Ic не менше 35 А, порівнявши Vce(sat) і Qg за datasheet. Якщо заряд затвора більший, перевірте драйвер.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, демонтаж б/в – знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів.
Як перевірити IGBT мультиметром?
Виміряйте опір між виводами: затвор має бути ізольований від колектора й емітера. Якщо є коротке замикання між будь-якими виводами, транзистор несправний. Повну перевірку роблять у схемі під навантаженням.
Які струм і напругу витримує RJP30E2?
За datasheet Renesas: Vces 360 В і Ic 35 А при Ta 25 °C, імпульсний струм Ic(peak) 200 А при PW ≤ 10 мкс, шпаруватості ≤ 1 %.
Документація виробника: R07DS0348EJ0100 Rev.1.00, RJP30E2DPK-M0, Preliminary Datasheet.
Параметри наведено за datasheet Renesas R07DS0348EJ0100 (RJP30E2DPK-M0, Preliminary, 2011).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Транзистор SMK1360 оригінал демонтаж, TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 600 В |
| Струм Id | 13 А (Tc 25 °C), 8,2 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) при Vgs 10 В, Id 6,5 А | 0,65 Ом макс. (типово 0,55 Ом) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2,0–4,0 В |
| Заряд затвора Qg | 41 нКл (типово) |
| Вхідна ємність Ciss | 2162 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 200 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Схожі товари
IGBT-транзистор KGF75N65KDF ( 75N65KDF ) оригінал, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 100 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 75 А |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1,77 В тип. / 2,2 В макс. (Ic 75 А, Vge 15 В, Tc 25 °C) |
| Розсіювана потужність Pd | 484 Вт (Tc 25 °C) |
| Максимальна температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Вбудований діод | так (co-pack) |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор NCE40TD60BT оригінал, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Wuxi NCE Power |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм Ic (25 °C) | 80 А |
| Струм Ic (100 °C) | 40 А |
| Потужність Pd (25 °C) | 286 Вт |
| Vce(sat) (тип., IC = 40 А, VGE = 15 В, 25 °C) | 1.7 В |
| Заряд затвора Qg | 176 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 4894 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Vf діода (IF = 40 А, 25 °C) | 1.65 В |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор YGW75N65HP оригінал , TO247(заміна для YGW75N65F1 , YGW75N65T1 , 75N65FL2 , NGTB75N65FL2WG )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Номер | YGW75N65HP |
| Виробник | Luxin Semiconductor (LU SEMI) |
| Тип | IGBT-транзистор Trench Field Stop з діодом |
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм Ic (25 °C) | 150 А |
| Струм Ic (100 °C) | 75 А |
| Vce(sat) | 1,65 В тип. (VGE = 15 В, IC = 75 А, Tj = 25 °C) |
| Потужність Pd (25 °C) | 375 Вт |
| Вхідна ємність Cies | 4700 пФ (Vce 25 В, f 100 кГц) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.