Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор GT30F123 ( 30F123 ) , TO220F оригінал ( 300V , 200A )
188,00 ₴
12 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
12 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
GT30F123 – IGBT-транзистор 300 В у корпусі TO-220F для плазмових телевізорів. Оригінал, не демонтаж.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220F |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | IGBT-транзистор |
| Напруга Vces | 300 В |
| Імпульсний струм Icp | 200 А |
| Напруга насичення Vce(sat), тип. | 2,1 В |
| Вбудований діод | немає |
| Корпус | TO-220F |
| Позначення | 30F123 |
| Стан | Оригінал |
GT30F123 (30F123) – IGBT-транзистор (біполярний транзистор з ізольованим затвором) у корпусі TO-220F. Окремого даташиту на GT30F123 не знайшли, тому параметри наведено за загальним каталогом транзисторів Toshiba: напруга колектор–емітер Vces 300 В, типова напруга насичення Vce(sat) 2,1 В (IC = 120 А, VGE = 15 В), типовий час спаду tf 0,15 мкс. Вбудованого діода за каталогом немає. 200 А з назви товару в каталозі – це імпульсний струм колектора; постійного струму каталог не наводить. Потужність розсіювання каталог дає для корпусу TO-220SIS, тому в картці її немає.
За каталогом Toshiba GT30F123 призначений для плазмових телевізорів: схеми підтримки розряду, рекуперації енергії та розділення. Оригінал, не демонтаж. Заміну підбирайте за корпусом TO-220F і розпіновкою, з напругою колектор–емітер не нижче 300 В і імпульсним струмом не нижче 200 А. Перед монтажем звірте маркування 30F123 на корпусі. Відправляємо Новою Поштою по всій Україні в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- плазмові телевізори (PDP)
- схеми підтримки розряду та рекуперації енергії
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чим замінити GT30F123?
Шукайте IGBT у корпусі TO-220F з тією самою розпіновкою, напругою колектор–емітер не нижче 300 В та імпульсним струмом не нижче 200 А. Параметри наведено за каталогом Toshiba, тому перед заміною звірте їх із документацією на ваш пристрій.
Що означає 200 А в назві?
За каталогом Toshiba 200 А – це імпульсний струм колектора GT30F123. Постійного струму каталог не наводить.
Звідки параметри GT30F123?
Окремого даташиту на GT30F123 не знайшли. Параметри взято з рядка GT30F123 у загальному каталозі транзисторів Toshiba. У каталозі тільки основні параметри, тому повної таблиці в картці немає.
Документація виробника: SCE0004K Transistors catalog (Toshiba).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
IGBT-транзистор RJP30E2 оригинал демонтаж б/в, TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Renesas |
| Корпус | TO-3P |
| Напруга Vces | 360 В (Ta 25 °C) |
| Струм колектора Ic | 35 А (Ta 25 °C) |
| Імпульсний струм Ic(peak) | 200 А (PW ≤ 10 мкс, шпаруватість ≤ 1 %) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1.7 В тип., 2.2 В макс. (Ic 35 А, Vge 15 В) |
| Порогова напруга Vge(off) | 2.5 В мін., 5 В макс. (Vce 10 В, Ic 1 мА) |
| Заряд затвора Qg | 34 нКл (Vge 15 В, Vce 150 В, Ic 35 А) |
| Вхідна ємність Cies | 1160 пФ (Vce 25 В, Vge 0, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор SMK1360 оригінал демонтаж, TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 600 В |
| Струм Id | 13 А (Tc 25 °C), 8,2 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) при Vgs 10 В, Id 6,5 А | 0,65 Ом макс. (типово 0,55 Ом) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2,0–4,0 В |
| Заряд затвора Qg | 41 нКл (типово) |
| Вхідна ємність Ciss | 2162 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 200 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Схожі товари
IGBT-транзистор FGH30S130P оригінал демонтаж б/в, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Напруга колектор–емітер Vces | 1300 В (Tc 25 °C) |
| Напруга затвор–емітер Vges | ±25 В |
| Струм колектора Ic | 60 А (Tc 25 °C); 30 А (Tc 100 °C) |
| Імпульсний струм Icm | 90 А (обмежено Tj max) |
| Потужність розсіювання Pd | 500 Вт (Tc 25 °C) |
| Vce(sat) | 1,75 В typ / 2,3 В max (Ic 30 А, Vge 15 В, Tc 25 °C) |
| Робоча температура переходу Tj | -55…+175 °C |
| Заряд затвора Qg | 372,3 нКл (Vce 600 В, Ic 30 А, Vge 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 3345 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор H25R1202 ( IHW25N120R2 ) оригінал демонтаж б/в, TO-247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Тип | Зворотно-провідний IGBT (soft switching) |
| Напруга Vce | 1200 В |
| Струм Ic (25 °C) | 50 А |
| Струм Ic (100 °C) | 25 А |
| Потужність Ptot (25 °C) | 365 Вт |
| Vce(sat) (тип., IC = 25 А, VGE = 15 В, 25 °C) | 1.6 В |
| Заряд затвора Qg | 60.7 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 2342 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Vf діода (IF = 25 А, 25 °C) | 1.5 В |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор YGW75N65HP оригінал , TO247(заміна для YGW75N65F1 , YGW75N65T1 , 75N65FL2 , NGTB75N65FL2WG )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Номер | YGW75N65HP |
| Виробник | Luxin Semiconductor (LU SEMI) |
| Тип | IGBT-транзистор Trench Field Stop з діодом |
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм Ic (25 °C) | 150 А |
| Струм Ic (100 °C) | 75 А |
| Vce(sat) | 1,65 В тип. (VGE = 15 В, IC = 75 А, Tj = 25 °C) |
| Потужність Pd (25 °C) | 375 Вт |
| Вхідна ємність Cies | 4700 пФ (Vce 25 В, f 100 кГц) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.