Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
IGBT-транзистор TGD30N40P , D-PAK
61,10 ₴
5 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
5 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
TGD30N40P – IGBT-транзистор TRinno у корпусі D-PAK для плазмових панелей і схем м’якого перемикання.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | TRinno |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Напруга Vces | 400 В |
| Напруга Vges | ±30 В |
| Струм колектора Ic | 60 А (Tc 25 °C), 30 А (Tc 100 °C) |
| Імпульсний струм Icm | 300 А (PW ≤ 10 мкс, шпаруватість ≤ 1 %) |
| Потужність розсіювання Pd | 56,8 Вт (Tc 25 °C) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1,4 В тип., 2,0 В макс. (Ic 30 А, Vge 15 В, Tj 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 26 нКл (Vcc 150 В, Ic 30 А, Vge 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 845 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
TGD30N40P – IGBT-транзистор N-канал виробництва TRinno, корпус D-PAK. Його застосовують у плазмових панелях та схемах м'якого перемикання (soft switching). Напруга колектор–емітер Vces – 400 В, напруга затвор–емітер Vges – ±30 В. Струм колектора Ic – 60 А при Tc 25 °C і 30 А при Tc 100 °C; імпульсний струм Icm – 300 А (PW ≤ 10 мкс, шпаруватість ≤ 1 %). Напруга насичення Vce(sat) – 1,4 В (тип.), 2,0 В (макс.) при Ic 30 А, Vge 15 В, Tj 25 °C, а при Tj 125 °C – 1,52 В (тип.). Заряд затвора Qg – 26 нКл (Vcc 150 В, Ic 30 А, Vge 15 В). Вхідна ємність Cies типово 845 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц). Час спаду tf – 160 нс при Tj 25 °C і 240 нс при Tj 125 °C (Rg 5 Ом, резистивне навантаження). Потужність розсіювання Pd – 56,8 Вт при Tc 25 °C.
При підборі заміни порівняйте Vces, Ic при Tc 100 °C, Vce(sat), корпус D-PAK і заряд затвора Qg: від нього залежить навантаження на драйвер. Максимальна температура переходу – 150 °C. Відправка в день оплати або наступного дня, Нова Пошта, Запоріжжя.
Де застосовують
- Плазмові панелі (Plasma Display Panel)
- Схеми м'якого перемикання (soft switching)
Чим замінити TGD30N40P?
Підбирайте IGBT з Vces не нижче 400 В, струмом колектора при Tc 100 °C не меншим за 30 А, близьким Vce(sat) і тим самим корпусом D-PAK. Порівнюйте за даташитом.
Як перевірити TGD30N40P мультиметром?
Між затвором і двома іншими виводами в нормі немає провідності. Між колектором і емітером у закритому стані також немає провідності.
Для чого застосовують TGD30N40P?
За даташитом – у плазмових панелях та схемах м'якого перемикання (soft switching).
Який струм витримує TGD30N40P?
Ic 60 А при Tc 25 °C і 30 А при Tc 100 °C; імпульсний Icm 300 А при PW ≤ 10 мкс і шпаруватості ≤ 1 %.
Документація виробника: TGD30N40P (TRinno).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
IGBT-транзистор H40R1203 ( IHW40N120R3 ) , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Номер | IHW40N120R3 |
| Маркування | H40R1203 |
| Виробник | Infineon |
| Тип | IGBT-транзистор зі зворотно-провідним діодом |
| Напруга Vces | 1200 В |
| Струм Ic (25 °C) | 80 А |
| Струм Ic (100 °C) | 40 А |
| Vce(sat) | 1,55 В тип. (VGE = 15 В, IC = 40 А, Tvj = 25 °C) |
| Потужність Pd (25 °C) | 429 Вт |
| Вхідна ємність Cies | 2708 пФ |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
IGBT-транзистор NCE40TD60BT оригінал, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Wuxi NCE Power |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм Ic (25 °C) | 80 А |
| Струм Ic (100 °C) | 40 А |
| Потужність Pd (25 °C) | 286 Вт |
| Vce(sat) (тип., IC = 40 А, VGE = 15 В, 25 °C) | 1.7 В |
| Заряд затвора Qg | 176 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 4894 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Vf діода (IF = 40 А, 25 °C) | 1.65 В |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор YGW75N65HP оригінал , TO247(заміна для YGW75N65F1 , YGW75N65T1 , 75N65FL2 , NGTB75N65FL2WG )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Номер | YGW75N65HP |
| Виробник | Luxin Semiconductor (LU SEMI) |
| Тип | IGBT-транзистор Trench Field Stop з діодом |
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм Ic (25 °C) | 150 А |
| Струм Ic (100 °C) | 75 А |
| Vce(sat) | 1,65 В тип. (VGE = 15 В, IC = 75 А, Tj = 25 °C) |
| Потужність Pd (25 °C) | 375 Вт |
| Вхідна ємність Cies | 4700 пФ (Vce 25 В, f 100 кГц) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.