Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор YGW50N65F1 оригінал, TO247
169,20 ₴
30 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
30 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
YGW50N65F1 – IGBT-транзистор з вбудованим діодом у корпусі TO-247, оригінал. Для інверторів і перетворювачів зі швидким перемиканням.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vce | 650 В |
| Струм Ic при 25 °C | 100 А |
| Струм Ic при 100 °C | 50 А |
| Vce(sat) типово | 1.80 В (Vge 15 В, Ic 50 А, Tj 25 °C) |
| Вбудований діод | є, антипаралельний |
| Розсіювана потужність | 312 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 2800 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
YGW50N65F1 – N-канальний IGBT-транзистор типу Trench Field Stop з антипаралельним діодом, корпус TO-247. Напруга колектор–емітер 650 В. Струм колектора 100 А при 25 °C і 50 А при 100 °C. Типова напруга насичення Vce(sat) 1.80 В при Vge 15 В, Ic 50 А, Tj 25 °C і 2.45 В при Tj 175 °C. Розсіювана потужність 312 Вт при Tc 25 °C, максимальна температура переходу 175 °C. Цифри наведено за даташитом найближчої деталі YGW50N65F1A (luxin-semi). Вхідна ємність Cies типово 2800 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц).
Стан товару – оригінал. Щоб підібрати заміну, порівняйте Vces, струм Ic при 100 °C, Vce(sat), наявність вбудованого діода, корпус і розпіновку. У нашому каталозі за цими умовами підходять JT050N065WED, YGW75N65HP та IHW40N120R3 (див. таблицю аналогів). Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Інвертори та перетворювачі, де потрібне швидке перемикання
- Паралельне увімкнення завдяки додатному температурному коефіцієнту Vce(sat)
Заміни з нашого каталогу, підібрані за параметрами datasheet. Не впевнені – надішліть фото плати, підберемо.
| Модель | Чому підходить | Примітка | |
|---|---|---|---|
| JT050N065WED | Vces 650 ≥ 650, Ic(100 °C) 50 ≥ 0.8×50=40, Vce(sat) 25 °C(typ) 1.6 ≤ 1.3×1.8=2.34, діод є в обох, корпус TO-247 = TO-247 | Є вбудований діод. Звірте цоколівку та умови драйвера за даташитом. | Купити |
| YGW75N65HP | Vces 650 ≥ 650, Ic(100 °C) 75 ≥ 0.8×50=40, Vce(sat) 25 °C(typ) 1.65 ≤ 1.3×1.8=2.34, діод є в обох, корпус TO-247 = TO-247 | Є вбудований діод. Струм вищий, тому Qg може бути більшим: перевірте драйвер затвора. | Купити |
| IHW40N120R3 | Vces 1200 ≥ 650, Ic(100 °C) 40 ≥ 0.8×50=40, Vce(sat) 25 °C(typ) 1.55 ≤ 1.3×1.8=2.34, діод є в обох, корпус TO-247 = TO-247 | Напруга Vces вища, структура інша (серія з IHW): перевірте драйвер затвора та даташит. | Купити |
Вказаний перелік аналогів носить ознайомчий характер. Сумісність треба обов'язково перевіряти самостійно, порівнюючи параметри, вказані в datasheet.
Чим замінити YGW50N65F1?
Підбирайте IGBT з Vces не менше 650 В, Ic при 100 °C близьким до 50 А і Vce(sat) близьким до 1.80 В, з діодом у корпусі TO-247. У каталозі за цими умовами підходять JT050N065WED, YGW75N65HP та IHW40N120R3. Перед установкою порівняйте даташити.
Чи можна вмикати YGW50N65F1 паралельно?
Додатний температурний коефіцієнт Vce(sat) полегшує паралельне увімкнення. Схему розподілу струму перевіряйте за даташитом.
Який у транзистора вбудований діод?
Антипаралельний. Струм If 80 А при 25 °C і 40 А при 100 °C, пряма напруга Vfm 2.3 В при If 40 А.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Найближчий datasheet: YGW50N65F1A (luxin-semi).
Точного даташиту не знайдено. Параметри взято з найближчого за назвою даташиту.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
IGBT-транзистор AOK60B60D1 ( K60B60D1 ) оригінал демонтаж б/в, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Alpha and Omega Semiconductor (AOS) |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм колектора Ic (Product Summary) | 60 А |
| Vce(sat) typ | 1.85 В при Ic=60 А |
| Vge(th) typ | 5.4 В при VCE=5 В, Ic=1 мА |
| Заряд затвора Qg | 75 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 3288 пФ |
| Час спаду tf | 16 нс |
| Стійкість до КЗ tsc | 10 мкс |
| Тепловий опір перехід-корпус | 0.3 °C/Вт |
| Діапазон Tj, Tstg | -55…150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор GW60H65DFB ( STGW60H65DFB ) оригінал демонтаж б/в, TO-247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга Vces | 650 В (VGE = 0 В) |
| Струм Ic (100 °C) | 60 А |
| Струм Ic (25 °C) | 80 А (обмежено виводами, кристал 60 А) |
| Імпульсний струм Icp | 240 А |
| Vce(sat) | 1,6 В typ, 2,0 В max (VGE = 15 В, Ic = 60 А, Tj = 25 °C) |
| Потужність Ptot | 375 Вт (TC = 25 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 7792 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Tj max | 175 °C |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор MGF65A4R оригінал демонтаж б/в , TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга колектор–емітер Vces | 650 В |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 65 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 40 А |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1,6 В (макс. 1,96 В) при Vge 15 В, Ic 40 А, Tj 25 °C |
| Вбудований швидкий діод | є |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Вхідна ємність Cies | 2300 пФ (Vce 20 В, f 1 МГц) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.