Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор RJP30E2 , TO220F оригінал
188,00 ₴
13 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
13 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
RJP30E2 – IGBT-транзистор Renesas серії G5H для швидких силових ключів, ізольований корпус TO-220FL. Стан: оригінал.
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Renesas |
| Напруга Vces | 360 В (Ta 25 °C) |
| Струм Ic | 35 А |
| Vce(sat) тип. | 1,7 В (Ic 35 А, Vge 15 В, Ta 25 °C) |
| Vge(off) | 2,5–5 В (Vce 10 В, Ic 1 мА) |
| Заряд Qg тип. | 34 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 1160 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Час спаду tf тип. | 150 нс |
| Потужність | 25 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220FL, ізольований |
| Стан | Оригінал |
RJP30E2 – IGBT-транзистор Renesas серії G5H з технологією Trench Gate. Напруга колектор–емітер Vces – 360 В при Ta 25 °C, струм колектора Ic – 35 А (температуру корпусу в таблиці документа не вказано). Напруга насичення Vce(sat) типово 1,7 В, максимум 2,2 В при Ic 35 А, Vge 15 В, Ta 25 °C. Напруга відсікання Vge(off) – 2,5–5 В при Vce 10 В, Ic 1 мА. Заряд затвора Qg типово 34 нКл при Vge 15 В, Vce 150 В, Ic 35 А. Вхідна ємність Cies типово 1160 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц). Час спаду струму tf типово 150 нс при Ic 35 А, Rl 4,5 Ом, Vge 15 В, Rg 5 Ом, Ta 25 °C.
Потужність розсіювання – 25 Вт при Tc 25 °C, максимальна температура переходу Tj – 150 °C. Корпус TO-220FL ізольований (код Renesas PRSS0003AF-A). Стан: оригінал, не демонтаж. Заміну підбирайте за напругою, струмом і напругою насичення в тому самому корпусі; Eoff і наявність вбудованого діода в документі не вказані, тож звіряйте ці пункти зі схемою пристрою. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Швидкі силові ключі (High Speed Power Switching)
Чим замінити RJP30E2?
Підбирайте IGBT з Vces не нижче 360 В, струмом Ic 35 А і напругою насичення не вищою за 2,2 В при Ic 35 А. Корпус має бути той самий – TO-220FL. Eoff і діод у документі не вказані, тому звіряйте їх зі схемою.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Який корпус?
TO-220FL, ізольований (код Renesas PRSS0003AF-A).
Яка напруга відсікання затвора?
Vge(off) – 2,5–5 В при Vce 10 В, Ic 1 мА. Vce(sat) наведено при Vge 15 В.
Документація виробника: RJP30E2 (Renesas).
Для струму Ic температуру корпусу в документі не вказано; Eoff і наявність вбудованого діода не підтверджені.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
IGBT-транзистор FGH30S130P оригінал демонтаж б/в, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Напруга колектор–емітер Vces | 1300 В (Tc 25 °C) |
| Напруга затвор–емітер Vges | ±25 В |
| Струм колектора Ic | 60 А (Tc 25 °C); 30 А (Tc 100 °C) |
| Імпульсний струм Icm | 90 А (обмежено Tj max) |
| Потужність розсіювання Pd | 500 Вт (Tc 25 °C) |
| Vce(sat) | 1,75 В typ / 2,3 В max (Ic 30 А, Vge 15 В, Tc 25 °C) |
| Робоча температура переходу Tj | -55…+175 °C |
| Заряд затвора Qg | 372,3 нКл (Vce 600 В, Ic 30 А, Vge 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 3345 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор H40R1203 ( IHW40N120R3 ) , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Номер | IHW40N120R3 |
| Маркування | H40R1203 |
| Виробник | Infineon |
| Тип | IGBT-транзистор зі зворотно-провідним діодом |
| Напруга Vces | 1200 В |
| Струм Ic (25 °C) | 80 А |
| Струм Ic (100 °C) | 40 А |
| Vce(sat) | 1,55 В тип. (VGE = 15 В, IC = 40 А, Tvj = 25 °C) |
| Потужність Pd (25 °C) | 429 Вт |
| Вхідна ємність Cies | 2708 пФ |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
IGBT-транзистор YGW75N65HP оригінал , TO247(заміна для YGW75N65F1 , YGW75N65T1 , 75N65FL2 , NGTB75N65FL2WG )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Номер | YGW75N65HP |
| Виробник | Luxin Semiconductor (LU SEMI) |
| Тип | IGBT-транзистор Trench Field Stop з діодом |
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм Ic (25 °C) | 150 А |
| Струм Ic (100 °C) | 75 А |
| Vce(sat) | 1,65 В тип. (VGE = 15 В, IC = 75 А, Tj = 25 °C) |
| Потужність Pd (25 °C) | 375 Вт |
| Вхідна ємність Cies | 4700 пФ (Vce 25 В, f 100 кГц) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.