Транзистори
Польові MOSFET, IGBT і біполярні транзистори, наприклад у корпусах TO-220, TO-247 і TO-3P. Деталі з демонтажу позначено в назві товару словом «демонтаж» або «б/в».
CRJF140N65G2F – оригінальний транзистор, TO220F
В наявності
131,60 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, Super Junction (SJMOS) |
| Напруга Vds | 650 В (мін.) |
| Струм стоку Id | 24 А (Tc 25 °C), 15 А (Tc 100 °C) |
| Опір Rds(on) | 110 мОм тип. / 140 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 11 А, Tj 25 °C) |
| Поріг Vgs(th) | 3,2–4,6 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА) |
| Tj max | 150 °C |
| Час відновлення діода trr | 120 нс тип. (Isd 11 А) |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | China Resources Microelectronics (Chongqing) |
| Вхідна ємність Ciss | 1595 пФ |
| Стан | Оригінал |
CRJT190N65GCF ( CRJT190N65GC ) – оригінальний транзистор ,TO220
В наявності
164,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал, Super Junction |
| Виробник | CR Micro (China Resources Microelectronics) |
| Напруга Vds | 650 В мін. (Vgs 0 В, Id 250 мкА) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 24 А (TC=25 °C) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 15.3 А (TC=100 °C) |
| Опір Rds(on) | 181 мОм тип., 210 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 10 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3.5–4.5 В (Vds=Vgs, Id 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 41 нКл тип. (Vgs 10 В, Vds 480 В, Id 10 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 1427 пФ (Vds 20 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 245 Вт (TC=25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
CRST052N15N3Z оригінальний транзистор, TO220
В наявності
122,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | CR Micro |
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 150 В |
| Струм стоку Id (TC 25 °C) | 168 А (за корпусом 160 А) |
| Струм стоку Id (TC 100 °C) | 106 А |
| Опір Rds(on) | 4,0 мОм тип., 5,2 мОм макс. (VGS=10 В, ID=80 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2,0–4,0 В |
| Заряд затвора Qg | 73,8 нКл (типово) |
| Вхідна ємність Ciss | 5096 пФ |
| Потужність Pd | 284 Вт (TC 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
CS2698 оригінальний транзистор, TO-3P
В наявності
282,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | CR Micro |
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 500 В (VGS 0 В, ID 250 мкА) |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 15 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 9,5 А |
| Опір Rds(on) | 0,3 Ом тип., 0,4 Ом макс. (VGS 10 В, ID 7,5 А) |
| Поріг Vgs(th) | 2,0–4,0 В (VDS = VGS, ID 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 50 нКл (ID 15 А, VDD 250 В, VGS 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2400 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 180 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
DXG60N65HSEU оригінальний транзистор, TO247
В наявності
216,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | IGBT-транзистор |
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм Ic при 25 °C | 120 А |
| Струм Ic при 100 °C | 60 А |
| Імпульсний струм Icm | 240 А |
| Заряд затвора Qg | 210 нКл (тип.) |
| Потужність Pd | 416 Вт (TC = 25 °C) |
| Вбудований діод | так |
| Розпіновка | 1 – G, 2 – C, 3 – E |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
FHA30N60 оригінальний транзистор (заміна для IXTQ30N60P , FQA30N60 , FQA30N60C , FQA30N60Y )(30A,600V), TO-3P
В наявності
235,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vdss | 600 В (Tj 25…150 °C) |
| Струм стоку Id | 30 А (Tc 25 °C) |
| Опір Rds(on) | 240 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 0.5·Id25) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3.0–5.0 В (Id 250 мкА) |
| Вбудований діод | швидкий |
| Корпус | TO-3P |
| Вхідна ємність Ciss | 5050 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Стан | Оригінал |
FHA50N50 ( 50N50 ) оригінальний транзистор (заміна для FQA50N50 , FDA50N50 ), TO-3P
В наявності
259,91 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Виробник | FeiHong |
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм стоку Id (TC = 25 °C) | 50 А |
| Струм стоку Id (TC = 100 °C) | 31 А |
| Опір Rds(on) (VGS = 10 В, ID = 25 А) | 88 мОм тип., 105 мОм макс. |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2,0–4,0 В |
| Заряд затвора Qg | 148 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 7950 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання Pd (TC = 25 °C) | 500 Вт |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
FHF20T60 оригінальний транзистор, TO220F
В наявності
258,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Feihong |
| Тип | IGBT-транзистор (Trench Field Stop) |
| Корпус | TO-220F |
| Напруга Vces | 600 В (TC 25 °C) |
| Струм Ic (TC 25 °C) | 40 А |
| Струм Ic (TC 100 °C) | 20 А |
| Напруга Vce(sat) | 1,49 В тип. (VGE 15 В, IC 20 А, TJ 25 °C) |
| Вбудований діод | є |
| Температура переходу Tj | 150 °C |
| Заряд затвора Qg | 73 нКл (VCE 480 В, IC 20 А, VGE 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 1481 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Стан | Оригінал |
FHP13N50 оригінальний транзистор, TO220
В наявності
100,11 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 500 В (Vgs 0, Id 250 мкА) |
| Струм стоку Id | 13 А (Tc 25 °C) |
| Rds(on) | 0,34 Ом (макс. 0,45 Ом) (Vgs 10 В, Id 6,5 А) |
| Заряд затвора Qg | 45 нКл (типове, Vds 250 В, Id 13 А, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2130 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Vgs(th) | 2–4 В |
| Pd | 150 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj max | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | FeiHong |
| Стан | Оригінал |
FHP170N8F3 оригінальний транзистор, TO220
В наявності
141,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vdss | 85 В |
| Струм стоку Id (TC = 25 °C, обмежено корпусом) | 120 А |
| Струм стоку Id (TC = 100 °C) | 117,2 А |
| Rds(on) (VGS = 10 В, ID = 50 А) | 4 мОм (макс.) |
| Напруга затвор-витік Vgs | ±20 В |
| Розсіювана потужність Pd (TC = 25 °C) | 208,3 Вт |
| Заряд затвора Qg | 124 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 6234 пФ (тип.) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2,0…4,0 В |
| Температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
HGQ022N03A ( 022N03A ) оригінальний транзистор, PDFN5x6
В наявності
164,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | CR Micro |
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 30 В |
| Струм Id (TC=25 °C, кристал) | 140 А |
| Струм Id (TC=25 °C, корпус) | 100 А |
| Струм Id (TC=100 °C) | 94 А |
| Rds(on) | 1,6 мОм тип., 2,2 мОм макс. (VGS=10 В, ID=19 А) |
| Vgs(th) | 1,0–2,5 В |
| Заряд затвора Qg | 52,5 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 2758 пФ (Vds 15 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 78 Вт (TC=25 °C) |
| Корпус | PDFN-8 (5×6) |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор 07096 оригінал демонтаж б/в (заміна для N718AG , N40BG , NGD8201NG , 8201NG , G18N40BG , ISL9V2040D3ST , V2040D , DB48BB , NS3801 , F5025 ), DPAK
В наявності
192,23 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | IGBT запалювання |
| Vces | 440 В (Tj 25 °C) |
| BVces типово | 395 В (Ic 2 мА) |
| Струм Ic | 20 А (Tc 25 °C) |
| Vce(on) типово | 1,3 В (Ic 10 А, Vge 4,5 В, Tj 25 °C) |
| Потужність Pd | 125 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 1300 пФ (Vce 25 В, f 10 кГц) |
| Захист затвора | ESD-діод затвор–емітер |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор 40N60FD2 оригінал( SGT40N60FD2 , 40N60FD , TGAN40N60FD , SGT40N60FD ), TO3P
В наявності
141,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vce | 600 В |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 80 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 40 А |
| Струм колектора Icm (імпульсний) | 120 А |
| Розсіювана потужність Pd | 380 Вт (Tc 25 °C) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1,8 В тип. / 2,7 В макс. (Ic 40 А, Vge 15 В, Tc 25 °C) |
| Порогова напруга Vge(th) | 4,0…6,5 В (тип. 5,0 В) |
| Заряд затвора Qg | 100 нКл |
| Вбудований діод (FRD), Vfm | 1,9 В тип. / 2,6 В макс. (If 20 А, Tc 25 °C) |
| Вбудований діод (FRD), Trr | 32 нс |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор 40N60NPFD ( SGT40N60NPFD ) оригінал , TO-3P
В наявності
105,75 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Silan |
| Тип | IGBT N-канал Field Stop з діодом |
| Напруга Vce | 600 В |
| Номінальний струм колектора | 40 А |
| Імпульсний струм Icm | 120 А |
| Vce(sat) typ | 1.8 В при Ic 40 А, Vge 15 В |
| Заряд затвора Qg | 100 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 1850 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Час спаду tf | 105 нс |
| Tj max | 150 °C |
| Вбудований діод | так, FRD |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор 40QR21 ( GT40QR21 ) оригінал, TO3P
В наявності
289,99 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Номер | GT40QR21 |
| Маркування | 40QR21 |
| Виробник | Toshiba |
| Тип | IGBT із вбудованим діодом (RC-IGBT) |
| Напруга Vces | 1200 В |
| Vce(sat) | 1,90 В тип. (Ic 40 А, VGE 15 В, Ta 25 °C) |
| Потужність Pc (Tc 25 °C) | 230 Вт |
| Вхідна ємність Cies | 1500 пФ |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Корпус (докладно) | TO-3P(N) |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор 40RR22 ( GT40RR22 ) оригінал демонтаж б/в (1350V,40A), TO3P
В наявності
169,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | IGBT-транзистор з вбудованим діодом |
| Напруга Vces | 1350 В |
| Струм колектора | 40 А |
| Потужність Pc | 230 Вт |
| Напруга насичення Vce(sat) | 2,05 В (тип.) |
| Вбудований діод | так |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор 40T120FDS ( MBQ40T120FDS )(40A,1200V) , TO247
В наявності
235,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 1200 В |
| Струм Ic при Tc 25 °C | 80 А |
| Струм Ic при Tc 100 °C | 40 А |
| Імпульсний струм Icm | 160 А |
| Vce(sat) при Ic 40 А, Vge 15 В, Tc 25 °C | 2.0 В (макс. 2.4 В) |
| Потужність Pd при Tc 25 °C | 357 Вт |
| Заряд затвора Qg | 341 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 6030 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Вбудований діод | так, If 40 А (Tc 100 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | MagnaChip |
IGBT-транзистор 40T120FES ( MBQ40T120FES ) (Заміна для 40T120FDS , MBQ40T120FDS , 40T120FDHA , MBQ40T120FDHA , IGW40T120 )(40A,1200V) , TO247
В наявності
256,62 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 1200 В |
| Струм Ic | 40 А (Tc 100 °C) |
| Струм Ic (25 °C) | 80 А (Tc 25 °C) |
| Vce(sat) | 2.0 В тип. (Ic 40 А, Vge 15 В, Tc 25 °C) |
| Pd | 357 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Qg | 341 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 6030 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Вбудований діод | є, швидкий м’який антипаралельний |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | MagnaChip |
IGBT-транзистор 40T65QES оригінал ( MBQ40T65QES ) , TO247(Заміна для 40T65FDSC , MBQ40T65FDSC , MBQ40T65FESC , 40T65FESC )
В наявності
123,14 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм Ic (TC=25 °C) | 80 А |
| Струм Ic (TC=100 °C) | 40 А |
| Vce(sat) | 1.8 В тип. / 2.3 В макс. (Ic=40А, Vge=15В, Tvj=25°C) |
| Vce(sat) при Tvj=175°C | 2.3 В |
| Eoff (Tvj=25°C) | 0.4 мДж |
| Eoff (Tvj=175°C) | 0.57 мДж |
| Час спаду tf | 64 нс |
| Вбудований діод | так, антипаралельний FRD, Vf=1.5В тип. при If=20А |
| trr діода | 60 нс (If=20А, diF/dt=820А/мкс) |
| Заряд затвора Qg | 60 нКл (Vce=520В, Ic=40А, Vge=15В) |
| Порогова напруга Vge(th) | 3.5–6.5 В, тип. 5.0 В |
| Розсіювана потужність Pd | 230 Вт (TC=25°C) |
| Максимальна температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор 40WR21 ( GT40WR21 ) оригінал, TO-3P (1800V,40A)
В наявності
564,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-3P |
| Корпус (докладно) | TO-3P(N) |
| Струм колектора Ic | 40 А (постійний, макс.) |
| Час спаду tf | 150 нс (Ic=40 А, тип.) |
| Час відновлення вбудованого діода trr | 1000 нс (If=15 А, тип.) |
| Максимальна температура переходу Tj | 175 °C (макс.) |
| Розсіювана потужність Pd | 375 Вт (Tc 25 °C) |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор 45N60S1 ( NGTB45N60S1WG )(Заміна для 45N60S2 , NGTB45N60S2WG ) демонтаж б/в, TO247
В наявності
258,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Тип | Trench IGBT з діодом |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм Ic (25 °C) | 90 А |
| Струм Ic (100 °C) | 45 А |
| Потужність Pd (25 °C) | 300 Вт |
| Вхідна ємність Cies | 3115 пФ (Vce 20 В, f 1 МГц) |
| Vce(sat) (45 А, 15 В, 25 °C, тип.) | 2.00 В |
| Tj max | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Демонтаж б/в |
IGBT-транзистор 50N60FL ( NGTB50N60FLWG , 50N60FL2 , NGTB50N60FL2WG ) демонтаж б/в , TO247
В наявності
192,70 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Напруга Vces | 600 В |
| Vce(sat), тип. | 1,65 В (VGE = 15 В, IC = 50 А, TJ = 25 °C) |
| Вбудований діод | так, швидкий м’який |
| trr діода | 85 нс (IF = 50 А, VR = 200 В, diF/dt = 200 А/мкс, TJ = 25 °C) |
| Qg | 310 нКл (VCE = 480 В, IC = 50 А, VGE = 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 7500 пФ (Vce 20 В, f 1 МГц) |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Демонтаж б/в |
IGBT-транзистор 50N60FL ( NGTB50N60FLWG , 50N60FL2 , NGTB50N60FL2WG ) оригінал демонтаж б/в, TO247
В наявності
248,63 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Тип | IGBT (Field Stop II Trench) з вбудованим діодом |
| Напруга Vces | 600 В (VGE = 0 В) |
| Струм колектора Ic | 100 А (Tc = 25 °C); 50 А (Tc = 100 °C) |
| Vce(sat) | 1,80 В тип. (VGE = 15 В, Ic = 50 А, Tj = 25 °C) |
| Vge(th) | 5,5 В тип. (VGE = Vce, Ic = 350 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 220 нКл тип. (Vce = 480 В, Ic = 50 А, VGE = 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 5328 пФ (Vce 20 В, f 1 МГц) |
| Розсіювана потужність Pd | 417 Вт (Tc = 25 °C); 208 Вт (Tc = 100 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор 50T65FD1 оригінал ( SGT50T65FD1 , SGT50T65FD1PN )(Заміна для TGAN50N60SFD , 50N60SFD ) , TO-3P
В наявності
164,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 100 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 50 А |
| Імпульсний струм колектора Icm | 150 А |
| Розсіювана потужність Pd (25 °C) | 235 Вт |
| Напруга насичення Vce(sat) | 2.2 В тип. (Ic=50 А, Vge=15 В, Tc=25 °C) |
| Корпус | TO-3P |
| Вбудований діод | Vf 1.95 В (If=25 А), trr 33 нс |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор 50T65FESC ( MBQ50T65FESC ) оригінал (Заміна для 50T65FDSC , MBQ50T65FDSC ), TO247
В наявності
164,97 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм Ic | 50 А (Tc 100 °C) |
| Струм Ic (25 °C) | 100 А (Tc 25 °C) |
| Vce(sat) | 1.85 В тип. (Ic 50 А, Vge 15 В, Tvj 25 °C) |
| Pd | 375 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Qg | 287 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 4453 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Вбудований діод | є |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | MagnaChip |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор 60N60FD1 ( SGT60N60FD1 , SGT60N60FD1PN ) оригінал , TO-3P
В наявності
134,42 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 600 В (Tc 25 °C) |
| Струм Ic (25 °C) | 120 А |
| Струм Ic (100 °C) | 60 А |
| Розсіювана потужність Pd | 321 Вт |
| Напруга насичення Vce(sat) | 2.2 В тип. / 2.7 В макс. (60 А, 15 В) |
| Корпус | TO-3P |
| Вбудований діод | є (FRD) |
| Робоча температура Tj | -55…+150 °C |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор 60T65PES оригінал ( MBQ60T65PES ) , TO247 (650V,60A,428W)
В наявності
169,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | MagnaChip |
| Тип | IGBT n-канал (Field Stop Trench, 2-ге покоління) із діодом |
| Напруга колектор-емітер Vce | 650 В (Ic 2 мА, VGE 0 В) |
| Струм колектора Ic | 100 А (Tc 25 °C), 60 А (Tc 100 °C) |
| Vce(sat) | 1,85 В (тип.), 2,4 В (макс.) при Ic 60 А, VGE 15 В, Tvj 25 °C |
| Порогова напруга Vge(th) | 4,0–6,0 В (тип. 5,0) при VCE = VGE, Ic 0,5 мА |
| Заряд затвора Qg | 95 нКл (тип.) при Vce 520 В, Ic 60 А, VGE 15 В |
| Вхідна ємність Cies | 2327 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Втрати вимкнення Eoff | 0,53 мДж (тип.) при Ic 60 А, Vcc 400 В, VGE 15 В, Rg 7 Ом, Tvj 25 °C |
| Час спаду tf | 40 нс (тип.) |
| Вбудований діод | є |
| Макс. температура переходу Tvj | 175 °C |
| Потужність розсіювання Pd | 535 Вт (Tc 25 °C) |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор 70N65F ( 70N65FDM1 , SGT70N65FDM1 ) оригінал, TO247
В наявності
267,90 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор 75G60HD ( FGW75N60HD ) оригінал демонтаж б/в, TO247
В наявності
282,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Fuji Electric |
| Модель | FGW75N60HD |
| Напруга Vces | 600 В (Tc = 25 °C) |
| Струм Ic | 100 А (Tc = 25 °C); 75 А (Tc = 100 °C) |
| Потужність Ptot | 500 Вт (Tc = 25 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 6150 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Вбудований діод | так, антипаралельний (FWD) |
| Температура переходу | -40…175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор 75G60WQ ( FGW75N60WQ ) , TO247
В наявності
357,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 600 В (VGE = 0 В, IC = 200 мкА) |
| Напруга Vges | ±20 В |
| Струм Ic | 110 А (TC = 25 °C), 75 А (TC = 100 °C) |
| Імпульсний струм Icm | 225 А |
| Vce(sat) | 2.55 В макс. (IC = 75 А, TC = 25 °C) |
| Vge(th) | 3.0–5.0 В (VCE = VGE, IC = 75 мА, TC = 25 °C) |
| Потужність Pd | 405 Вт (TC = 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Вбудований діод | є |
IGBT-транзистор AOK60B60D1 ( K60B60D1 ) оригінал демонтаж б/в, TO247
В наявності
345,92 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Alpha and Omega Semiconductor (AOS) |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм колектора Ic (Product Summary) | 60 А |
| Vce(sat) typ | 1.85 В при Ic=60 А |
| Vge(th) typ | 5.4 В при VCE=5 В, Ic=1 мА |
| Заряд затвора Qg | 75 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 3288 пФ |
| Час спаду tf | 16 нс |
| Стійкість до КЗ tsc | 10 мкс |
| Тепловий опір перехід-корпус | 0.3 °C/Вт |
| Діапазон Tj, Tstg | -55…150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор AP85GT33SW ( 85GT33SW ) , TO3P оригінал
В наявності
211,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | IGBT-транзистор |
| Напруга Vces | 330 В |
| Порогова напруга Vge(th) | 3,0…5,0 В |
| Корпус | TO-3P |
| Маркування | 85GT33SW |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор AUGPS4070D0 оригінал демонтаж б/в ( заміна для AUPS4070D2 , AUPS4070D1 , AUPS4070D0 , AUPS4070D1-H , AUPS4070D2-K , AUPS4070D2-L , AUPS4070D2-G , AUPS4070D2-H , AUPS4070D1-K , AUPS4070D , AUIRGPS4070D0 , AUGPS4070D1 , AUIRGPS4070D1 , IRGPS4070D , IRGPS4070DPbF , GPS4070D ), Super-247
В наявності
320,54 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Тип | IGBT Trench з діодом Co-pak, Automotive |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм Ic (Tc 25 °C) | 240 А (пакетний ліміт струму 195 А) |
| Струм Ic (Tc 100 °C) | 160 А |
| Vce(on) тип. | 1.70 В (Ic 120 А, Vge 15 В, Tj 25 °C) |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 750 Вт |
| Температура переходу Tj макс. | 175 °C |
| Заряд затвора Qg | 250 нКл (Ic 120 А, Vge 15 В, Vcc 400 В) |
| Вхідна ємність Cies | 7600 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Корпус | Super-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор AUPS4067D оригінал демонтаж б/в ( AUPS4067D1 , AUPS4067D2 , AUPS4067D6-G , AUPS4067D6-H , AUPS4067D1-B , AUPS4067D2-B , AUPS4067D3-B , AUPS4067D2-C , AUPS4067D1-C , AUPS4067D4-G , AUIRGPS4067D1 , IRGPS4067D , IRGPS4067DPbF , GPS4067D ), Super-247
В наявності
320,54 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 240 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 160 А |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1,7 В тип. / 2,05 В макс. (Ic 120 А, Vge 15 В, Tj 25 °C) |
| Час відновлення діода trr | 360 нс (Tj 175 °C) |
| Розсіювана потужність Pd | 750 Вт (Tc 25 °C) |
| Максимальна температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | Super-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор BT40T60 ( BT40T60ANF , BT40T60ANFD , BT40T60BNF ) , TO-3P оригінал
В наявності
235,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм Ic (25 °C) | 80 А |
| Струм Ic (100 °C) | 40 А |
| Імпульсний струм ICM | 120 А |
| Vce(sat) (40А/15В/25°C) | 1.9 В тип. / 2.4 В макс. |
| Пряма напруга діода Vf | 1.8 В тип. / 2.6 В макс. |
| Розсіювана потужність Ptot | 280 Вт |
| Робоча температура Tj | -55…+150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор BTS141 оригінал демонтаж б/в, D2PAK
В наявності
189,88 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 60 В |
| Rds(on) | 25 мОм (typ., Vin 10 В, Id 12 А, Tj 25 °C) |
| Rds(on) при Tj 150 °C | 45 мОм (typ., Vin 10 В, Id 12 А) |
| Rds(on) при Vin 5 В | 31 мОм (typ., Id 12 А, Tj 25 °C) |
| Обмеження струму Id(lim) | 25 А |
| Номінальний струм Id(ISO) | 12 А (Vin 10 В, Vds 0.5 В, Tc 85 °C) |
| Потужність Ptot | 149 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Тип каналу | n-канал |
| Корпус | D2PAK |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор BTS2140-1B ( BTS2140 ) оригінал, D2PAK
В наявності
94,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | IGBT для систем запалювання |
| Напруга пробою BVces | 370–430 В |
| Струм колектора Ic | 20 А (25 °C), 14 А (110 °C) |
| Потужність Pd | 125 Вт (25 °C) |
| Порогова напруга Vge(th) | 1,3–2,2 В |
| Корпус | D2PAK |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор DG302 ( DG3C3020CL ) оригінал ( 300V,250A ) , D2PAK
В наявності
150,40 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | IGBT-транзистор |
| Напруга Vces | 330 В |
| Струм колектора Ic | 45 А |
| Імпульсний струм Icp | 250 А |
| Корпус | D2PAK |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор DXG60N65HSE оригінал, TO247
В наявності
143,35 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор DXG75N65HS ( DXG75N65HSE ) оригінал, TO247
В наявності
216,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | IGBT-транзистор |
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм Ic при 25 °C | 90 А |
| Струм Ic при 100 °C | 75 А |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1,4 В (тип.) |
| Вбудований діод | так |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Польові, IGBT і біполярні транзистори: як розрізнити і що замовляють
Польові (MOSFET), IGBT і біполярні транзистори лежать у різних підкатегоріях: Польові транзистори, IGBT-транзистори і Біполярні транзистори. Нижче – чим вони відрізняються і як зрозуміти, яка з них потрібна.
Біполярний, польовий, IGBT: у чому різниця
Біполярний транзистор має два електронно-діркові переходи, які взаємодіють між собою. Струм у ньому створюють два типи носіїв заряду – дірки й електрони, звідси й назва. Серед біполярних у розділі є NPN і PNP. У картках частини NPN-транзисторів вказано, наприклад, «Дарлінгтона» або «рядкова розгортка ТВ».
Польовий транзистор керується електричним полем, тобто практично без витрат потужності керуючого сигналу. MOSFET – це польові транзистори з ізольованим затвором: між затвором і каналом немає електричного контакту. Серед польових у розділі найчастіше трапляються MOSFET з N-каналом, є й P-канальні.
IGBT – біполярний транзистор з ізольованим затвором. В одній структурі він поєднує два транзистори: біполярний p-n-p і польовий. Вхідні характеристики в нього подібні до характеристик польового транзистора, а вихідні – до характеристик біполярного. За швидкодією IGBT значно переважають біполярні транзистори, але поступаються МОН-транзисторам, тобто MOSFET. У картках частини IGBT вказано зворотний (антипаралельний) діод або зворотну провідність.
Як за назвами виводів зрозуміти, яка підкатегорія потрібна
- Затвор, стік і витік – польовий транзистор.
- База, емітер і колектор – біполярний.
- Затвор, колектор і емітер – IGBT.
Відоме маркування деталі можна ввести в пошук. У назвах частини товарів перелічено позначення, які вони замінюють: наприклад, у назві IRF3205 вказано CEP3205, HRF3205, KEP3205 і SSF5508.
Моделі, які шукають і купують
- IRF3205 – корпус TO-220, його замовляють найчастіше.
- IGBT-транзистор YGW60N65F1 – корпус TO-247.
- 2SD209L (D209L, 3DD209L) – корпус TO-3P.
- IRFZ44N – корпус TO-220.
- BD139 – корпус TO126.
У картках найчастіше трапляються корпуси TO-220, TO-247, TO-220F і TO-3P. Є й інші, наприклад D2PAK, TO-252, TO-92 і SOT-23. Виробники – Infineon, STMicroelectronics, onsemi, Toshiba та інші.
У розділі є нові транзистори і демонтаж. Демонтаж – деталь знята з плати; інженер перевіряє її тестером на пробій та обрив виводів. Деталі з демонтажу позначено в назві товару словом «демонтаж» або «б/в». Разом із транзисторами часто беруть мікросхеми, електролітичні конденсатори, діоди, діодні мости й оптрони. Надсилаємо Новою Поштою по Україні з Запоріжжя – в день оплати або наступного дня.
Часті запитання
Що таке транзистор?
Транзистор – напівпровідниковий прилад із трьома виводами. Він призначений для підсилення напруги, потужності та перемикання електричних сигналів.
Що означає n-p-n і p-n-p?
Біполярний транзистор складається з трьох областей p- і n-типу, які чергуються в послідовності p-n-p або n-p-n – звідси назва типу. Принцип роботи обох типів однаковий, а полярність напруг на електродах залежить від структури.
Які біполярні транзистори використовують частіше – n-p-n чи p-n-p?
За підручником, частіше використовують транзистори n-p-n типу, бо рухливість електронів більша, ніж дірок.
Які переваги IGBT?
IGBT поєднує переваги двох видів транзисторів. Від польових з ізольованим затвором – високий вхідний опір, низький рівень потужності керування і високу швидкість перемикання. Від біполярних – низьку залишкову напругу у ввімкненому стані.