Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.

ПараметрЗначення
КорпусTO-247

IGBT-транзистор 40T120FES ( MBQ40T120FES ) (Заміна для 40T120FDS , MBQ40T120FDS , 40T120FDHA , MBQ40T120FDHA , IGW40T120 )(40A,1200V) , TO247

256,62 ₴

5 в наявності

Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня

Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

5 в наявності

Нова Пошта по всій Україні

Відправка в день оплати або наступного дня

Оплата

На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем

Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.

Категорія:

40T120FES (MBQ40T120FES) – IGBT-транзистор MagnaChip Field Stop Trench з вбудованим діодом, 1200 В, 40 А (Tc 100 °C), корпус TO-247. Для PFC, UPS, інверторів.

ПараметрЗначення
КорпусTO-247

Перевірка перед відправкою

Datasheet PDF

Консультація інженера

Додаткова інформація
ПараметрЗначення
Напруга Vces1200 В
Струм Ic40 А (Tc 100 °C)
Струм Ic (25 °C)80 А (Tc 25 °C)
Vce(sat)2.0 В тип. (Ic 40 А, Vge 15 В, Tc 25 °C)
Pd357 Вт (Tc 25 °C)
Макс. температура переходу150 °C
Qg341 нКл
Вхідна ємність Cies6030 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц)
Вбудований діодє, швидкий м’який антипаралельний
КорпусTO-247
ВиробникMagnaChip
Опис

40T120FES (MBQ40T120FES) – IGBT-транзистор Field Stop Trench виробництва MagnaChip з вбудованим швидким м'яким антипаралельним діодом, корпус TO-247. За даними документа MBQ40T120FESTH напруга колектор–емітер Vces – 1200 В (при Ic 1 мА, Vge 0 В). Струм колектора Ic – 80 А при Tc 25 °C і 40 А при Tc 100 °C. Напруга насичення Vce(sat) – 2.0 В тип., 2.4 В макс. при Ic 40 А, Vge 15 В, Tc 25 °C. Потужність розсіювання – 357 Вт при Tc 25 °C і 142 Вт при Tc 100 °C, максимальна температура переходу – 150 °C. Заряд затвора Qg – 341 нКл при Vce 600 В, Ic 40 А, Vge 15 В. Вхідна ємність Cies типово 6030 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц). Eoff – 0.54 мДж при Tc 25 °C (Vcc 600 В, Ic 40 А, Rg 10 Ом, індуктивне навантаження).

Діод: Vf 2.4 В тип. при If 40 А, Tc 25 °C, trr 100 нс тип. при If 40 А, di/dt 200 А/мкс. 40T120FES може замінити 40T120FDS, MBQ40T120FDS, 40T120FDHA, MBQ40T120FDHA, IGW40T120. Зворотна заміна не завжди можлива; взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet. Відправка в день оплати або наступного дня, Нова Пошта, Запоріжжя.

Де застосовують

  • PFC
  • UPS
  • Інвертори
Аналоги та заміни

Заміни з нашого каталогу, підібрані за параметрами datasheet. Не впевнені – надішліть фото плати, підберемо.

Модель Чому підходить Примітка
IHW40N120R3 Vces 1200 ≥ 1200, Ic(100 °C) 40 ≥ 0.8×40=32, Vce(sat) 25 °C(typ) 1.55 ≤ 1.3×2=2.6, діод є в обох, корпус TO-247 = TO-247 Перевірте драйвер затвора за зарядом Qg. Купити

Вказаний перелік аналогів носить ознайомчий характер. Сумісність треба обов'язково перевіряти самостійно, порівнюючи параметри, вказані в datasheet.

Часто питають
Що може замінити 40T120FES?

За назвою товару 40T120FES може замінити 40T120FDS, MBQ40T120FDS, 40T120FDHA, MBQ40T120FDHA, IGW40T120. Зворотна заміна не завжди можлива; взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet.

Чим замінити 40T120FES, якщо його немає?

У каталозі є H40R1203 (IHW40N120R3): Vces 1200 В, Ic при 100 °C 40 А. Перевірте datasheet перед заміною.

Чи є в транзисторі вбудований діод?

Так, швидкий м'який антипаралельний діод, If 40 А при Tc 100 °C.

Що врахувати при роботі з цим IGBT?

Qg 341 нКл при Vce 600 В, Ic 40 А: потрібен драйвер затвора з достатнім струмом.

Datasheet

Документація виробника: MBQ40T120FESTH (MagnaChip Semicon).

Доставка й оплата

Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.

Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.

MBQ40T120FESTH (MagnaChip Semicon) Відкрити datasheet

Не впевнені, чи підійде?

Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.

Запитати інженера

З цим товаром купляють

Теплопровідна прокладка під транзистор TO-247/218

В наявності

5,17 ₴
ПараметрЗначення
Типтеплопровідна ізоляційна прокладка під транзистор
Матеріалсилікон
Призначена для корпусуTO-247/TO-218

Схожі товари

IGBT-транзистор AUPS4067D оригінал демонтаж б/в ( AUPS4067D1 , AUPS4067D2 , AUPS4067D6-G , AUPS4067D6-H , AUPS4067D1-B , AUPS4067D2-B , AUPS4067D3-B , AUPS4067D2-C , AUPS4067D1-C , AUPS4067D4-G , AUIRGPS4067D1 , IRGPS4067D , IRGPS4067DPbF , GPS4067D ), Super-247

В наявності

320,54 ₴
ПараметрЗначення
Напруга Vces600 В
Струм колектора Ic (25 °C)240 А
Струм колектора Ic (100 °C)160 А
Напруга насичення Vce(sat)1,7 В тип. / 2,05 В макс. (Ic 120 А, Vge 15 В, Tj 25 °C)
Час відновлення діода trr360 нс (Tj 175 °C)
Розсіювана потужність Pd750 Вт (Tc 25 °C)
Максимальна температура переходу Tj175 °C
КорпусSuper-247
СтанОригінал, демонтаж б/в

IGBT-транзистор IGW40T60U оригінал, TO-3P

В наявності

345,92 ₴
ПараметрЗначення
НомерIGW40T60U
ТипIGBT-транзистор
КорпусTO-3P
СтанОригінал

IGBT-транзистор IRGP20B60PD ( GP20B60PD ) оригінал демонтаж б/в , TO247

В наявності

235,00 ₴
ПараметрЗначення
НомерIRGP20B60PD
МаркуванняGP20B60PD
ВиробникInfineon (International Rectifier)
ТипIGBT-транзистор NPT (WARP2) з діодом HEXFRED
Напруга Vces600 В
Струм Ic (25 °C)40 А
Струм Ic (100 °C)22 А
Vce(on)2,05 В тип. (IC = 13 А, VGE = 15 В, Tj = 25 °C)
Потужність Pd (25 °C)220 Вт
Вхідна ємність Cies1570 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц)
Макс. температура переходу150 °C
КорпусTO-247
СтанОригінал, демонтаж б/в

IGBT-транзистор KGF75N65KDF ( 75N65KDF ) оригінал, TO247

В наявності

235,00 ₴
ПараметрЗначення
Напруга Vces650 В
Струм колектора Ic (25 °C)100 А
Струм колектора Ic (100 °C)75 А
Напруга насичення Vce(sat)1,77 В тип. / 2,2 В макс. (Ic 75 А, Vge 15 В, Tc 25 °C)
Розсіювана потужність Pd484 Вт (Tc 25 °C)
Максимальна температура переходу Tj175 °C
КорпусTO-247
Вбудований діодтак (co-pack)
СтанОригінал

Відгуки (0)

0 відгуків на цей товар
0
0
0
0
0

Відгуків немає, поки що.

Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.