Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор 60N60FD1 ( SGT60N60FD1 , SGT60N60FD1PN ) оригінал , TO-3P
134,42 ₴
28 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
28 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
IGBT-транзистор SGT60N60FD1PN (60N60FD1) у корпусі TO-3P, оригінал, з вбудованим швидким діодом – для індукційного нагріву, ДБЖ та імпульсних блоків живлення.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-3P |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 600 В (Tc 25 °C) |
| Струм Ic (25 °C) | 120 А |
| Струм Ic (100 °C) | 60 А |
| Розсіювана потужність Pd | 321 Вт |
| Напруга насичення Vce(sat) | 2.2 В тип. / 2.7 В макс. (60 А, 15 В) |
| Корпус | TO-3P |
| Вбудований діод | є (FRD) |
| Робоча температура Tj | -55…+150 °C |
| Стан | Оригінал |
SGT60N60FD1PN (маркування на корпусі 60N60FD1) – IGBT N-канал Field Stop з вбудованим швидким діодом (FRD), виробник Hangzhou Silan Microelectronics, корпус TO-3P. За даташитом напруга колектор-емітер Vces – 600 В (Tc 25 °C), струм колектора Ic – 120 А при 25 °C і 60 А при 100 °C, розсіювана потужність Pd – 321 Вт. Напруга насичення Vce(sat) – 2.2 В (тип.) / 2.7 В (макс.) при струмі 60 А і напрузі затвора 15 В (при 125 °C – 2.6 В), порогова напруга затвора Vge(th) – 4.0–6.5 В (тип. 5.0 В). Заряд затвора Qg – 179 нКл, час спаду tf – 136 нс, енергія вимкнення Eoff – 1.77 мДж. Вбудований діод: пряма напруга Vf 1.9 В (тип.) / 2.6 В (макс.) при 30 А, час зворотного відновлення trr – 38 нс при 25 °C. Робоча температура переходу Tj – від −55 до +150 °C.
У продажу – оригінал, перевіряємо маркування на корпусі та цілісність виводів перед відправкою. Підбираючи заміну серед аналогів у категорії IGBT-транзистори, орієнтуйтесь на той самий корпус TO-3P, напругу Vces не нижче 600 В, струм Ic при 100 °C не нижче 60 А і напругу насичення Vce(sat), порівнянну з 2.2–2.7 В.
Де застосовують
- Індукційний нагрів (Induction Heating)
- ДБЖ (UPS)
- Імпульсні блоки живлення (SMPS)
- Коректор коефіцієнта потужності (PFC)
Заміни з нашого каталогу, підібрані за параметрами datasheet. Не впевнені – надішліть фото плати, підберемо.
| Модель | Чому підходить | Примітка | |
|---|---|---|---|
| SGT50T65FD1PN (50T65FD1) | той самий корпус TO-3P, Vces 650 В ≥ 600 В, Ic(100°C) 50 А ≥ 0.8×60=48 А, Vce(sat) 2.2 В (тип.) порівнянне з 2.2/2.7 В, діод є | запас по струму менший – 50 А проти 60 А при 100 °C, напруга з більшим запасом | Купити |
Вказаний перелік аналогів носить ознайомчий характер. Сумісність треба обов'язково перевіряти самостійно, порівнюючи параметри, вказані в datasheet.
Які основні параметри SGT60N60FD1PN?
Vces 600 В (Tc 25 °C), Ic 120 А при 25 °C і 60 А при 100 °C, Pd 321 Вт, Vce(sat) 2.2 В (тип.) / 2.7 В (макс.) при 60 А і 15 В.
Чи є вбудований діод?
Так, швидкий (FRD): пряма напруга Vf 1.9 В (тип.) / 2.6 В (макс.) при 30 А, час зворотного відновлення trr 38 нс при 25 °C.
Де застосовують цей IGBT?
Індукційний нагрів, ДБЖ, імпульсні блоки живлення, коректор коефіцієнта потужності (PFC).
Чим замінити, якщо немає в наявності?
Серед аналогів у категорії підходить SGT50T65FD1PN (50T65FD1) – той самий корпус TO-3P, вища напруга Vces, струм Ic(100°C) 50 А (менший запас, ніж 60 А), Vce(sat) порівнянне.
Документація виробника: SGT60N60FD1PN/P7/PS/PT_Datasheet, Rev.:1.8.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Мікросхема LM358 ( LM358DT , LM358L ) оригінал, so-8
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | здвоєний операційний підсилювач |
| Напруга живлення VS | 3…30 В |
| GBW | 0,7 МГц (тип., VS = 5 В, TA = 25 °C) |
| Швидкість наростання | 0,3 В/мкс (тип., G = +1, VS = 5 В, TA = 25 °C) |
| Струм споживання на один підсилювач | 350 мкА тип., 600 мкА макс. (VS = 5 В) |
| Робочий діапазон температур | 0…70 °C |
| Корпус | SO-8 |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема UC3845B оригінал, so-8
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Тип | ШІМ-контролер струмового режиму |
| Корпус | SO-8 |
| Поріг увімкнення UVLO | 8.4 В (VCC зростає) |
| Поріг вимкнення UVLO | 7.6 В |
| Опорна напруга Vref | 5.0 В (IO = 1.0 мА, TJ = 25 °C) |
| Частота генератора | 52 кГц (TJ = 25 °C, RT = 10 кОм, CT = 3.3 нФ, VCC = 15 В) |
| Макс. коефіцієнт заповнення | 48 % (VCC = 15 В, RT = 10 кОм, CT = 3.3 нФ) |
| Струм виходу, макс. | 1.0 А (абсолютний максимум) |
| VCC, макс. | 36 В (абсолютний максимум) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор S60N12R оригінал, TO220(60V,120A)
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 60 В |
| Струм стоку Id (TC 25 °C) | 120 А |
| Струм стоку Id (TC 100 °C) | 76 А |
| Rds(on) (VGS=10 В, ID=40 А) | 4,5 мОм (тип.), 5,4 мОм (макс.) |
| Vgs(th) | 2,4–3,6 В |
| Qg | 86 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 3222 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Pd (TC 25 °C) | 162 Вт |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | SI-TECH |
| Стан | Оригінал |
Схожі товари
IGBT-транзистор NCE60TD60BT оригінал, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Wuxi NCE Power |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм Ic (25 °C) | 120 А |
| Струм Ic (100 °C) | 60 А |
| Потужність Pd (25 °C) | 316 Вт |
| Vce(sat) (тип., IC = 60 А, VGE = 15 В, 25 °C) | 1.7 В |
| Заряд затвора Qg | 262 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 7018 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Vf діода (IF = 60 А, 25 °C) | 1.7 В |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор YGP20N65T2 оригінал, TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Luxin Semiconductor (LU SEMI) |
| Тип | IGBT Trench Field Stop з діодом |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vces | 650 В (VGE = 0 В, IC = 1 мА) |
| Струм Ic (25 °C) | 40 А |
| Струм Ic (100 °C) | 20 А |
| Vce(sat) | 1,65 В тип., 2,05 В макс. (VGE = 15 В, IC = 20 А, Tj = 25 °C) |
| Vge(th) | 4,4 / 5,4 / 6,4 В (мін. / тип. / макс.; VGE = VCE, IC = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 45 нКл (VCC = 520 В, IC = 20 А, VGE = 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 1050 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 125 Вт (Tj = 25 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Діод | є, антипаралельний |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор YGW75N65HP оригінал , TO247(заміна для YGW75N65F1 , YGW75N65T1 , 75N65FL2 , NGTB75N65FL2WG )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Номер | YGW75N65HP |
| Виробник | Luxin Semiconductor (LU SEMI) |
| Тип | IGBT-транзистор Trench Field Stop з діодом |
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм Ic (25 °C) | 150 А |
| Струм Ic (100 °C) | 75 А |
| Vce(sat) | 1,65 В тип. (VGE = 15 В, IC = 75 А, Tj = 25 °C) |
| Потужність Pd (25 °C) | 375 Вт |
| Вхідна ємність Cies | 4700 пФ (Vce 25 В, f 100 кГц) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.