Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Знято з плати. Перевірено інженером: тестер на пробій та обрив виводів.
IGBT-транзистор 50N60FL ( NGTB50N60FLWG , 50N60FL2 , NGTB50N60FL2WG ) оригінал демонтаж б/в, TO247
248,63 ₴
7 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
7 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
IGBT-транзистор 50N60FL (NGTB50N60FLWG) onsemi з вбудованим діодом у корпусі TO-247. Оригінал, демонтаж б/в – знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Тип | IGBT (Field Stop II Trench) з вбудованим діодом |
| Напруга Vces | 600 В (VGE = 0 В) |
| Струм колектора Ic | 100 А (Tc = 25 °C); 50 А (Tc = 100 °C) |
| Vce(sat) | 1,80 В тип. (VGE = 15 В, Ic = 50 А, Tj = 25 °C) |
| Vge(th) | 5,5 В тип. (VGE = Vce, Ic = 350 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 220 нКл тип. (Vce = 480 В, Ic = 50 А, VGE = 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 5328 пФ (Vce 20 В, f 1 МГц) |
| Розсіювана потужність Pd | 417 Вт (Tc = 25 °C); 208 Вт (Tc = 100 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
50N60FL (NGTB50N60FLWG, також NGTB50N60FL2WG, 50N60FL2) – IGBT-транзистор onsemi (Field Stop II Trench) з вбудованим м'яким швидким діодом у корпусі TO-247. Цифри нижче – за datasheet onsemi NGTB50N60FL2W/D. Напруга колектор-емітер Vces – 600 В при VGE = 0 В. Струм колектора Ic – 100 А при Tc = 25 °C і 50 А при Tc = 100 °C. Напруга насичення Vce(sat) типово 1,80 В при VGE = 15 В, Ic = 50 А, Tj = 25 °C. Повний заряд затвора Qg типово 220 нКл при Vce = 480 В, Ic = 50 А, VGE = 15 В. Вхідна ємність Cies типово 5328 пФ (Vce 20 В, f 1 МГц). Розсіювана потужність Pd – 417 Вт при Tc = 25 °C. Стійкість до короткого замикання tsc – 5 мкс при VGE = 15 В, Vce = 400 В, Tj ≤ 150 °C.
Оригінал, демонтаж б/в – знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів. Деталь знята з плати; інженер перевіряє її тестером на пробій та обрив виводів. Підбираючи заміну, порівнюйте з datasheet Vces, Ic при 100 °C, Vce(sat), заряд затвора Qg, наявність вбудованого діода та корпус TO-247. Прямі заміни за даними виробника: NGTB50N65FL2WG. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Сонячні інвертори
- Джерела безперебійного живлення (UPS)
- Зварювання
Чим замінити 50N60FL (NGTB50N60FLWG)?
За даними виробника, пряма заміна – NGTB50N65FL2WG. Інакше шукайте IGBT у TO-247 з Vces не нижче 600 В, вбудованим діодом і Ic при 100 °C не нижче 50 А, порівнявши Vce(sat) і Qg за datasheet.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, демонтаж б/в. Деталь знята з плати, перевірена інженером тестером на пробій та обрив виводів.
Чи є вбудований діод?
Так, м'який швидкий діод. Пряма напруга Vf типово 2,10 В при If = 50 А, VGE = 0 В, Tj = 25 °C; час зворотного відновлення trr типово 94 нс при If = 50 А, Vr = 400 В, dIf/dt = 200 А/мкс.
Документація виробника: NGTB50N60FL2W/D, NGTB50N60FL2WG IGBT - Field Stop II.
Параметри наведено за datasheet виробника onsemi NGTB50N60FL2W/D (Rev. 5, December 2016).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
IGBT-транзистор GW60H65DFB ( STGW60H65DFB ) оригінал демонтаж б/в, TO-247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга Vces | 650 В (VGE = 0 В) |
| Струм Ic (100 °C) | 60 А |
| Струм Ic (25 °C) | 80 А (обмежено виводами, кристал 60 А) |
| Імпульсний струм Icp | 240 А |
| Vce(sat) | 1,6 В typ, 2,0 В max (VGE = 15 В, Ic = 60 А, Tj = 25 °C) |
| Потужність Ptot | 375 Вт (TC = 25 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 7792 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Tj max | 175 °C |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор IRGP20B60PD ( GP20B60PD ) оригінал демонтаж б/в , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Номер | IRGP20B60PD |
| Маркування | GP20B60PD |
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Тип | IGBT-транзистор NPT (WARP2) з діодом HEXFRED |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм Ic (25 °C) | 40 А |
| Струм Ic (100 °C) | 22 А |
| Vce(on) | 2,05 В тип. (IC = 13 А, VGE = 15 В, Tj = 25 °C) |
| Потужність Pd (25 °C) | 220 Вт |
| Вхідна ємність Cies | 1570 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор JT050N065WED ( 050N065WED ) оригінал, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Jilin Sino-Microelectronics (JSMC) |
| Тип | IGBT Trench FS з діодом |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга Vces | 650 В (IC = 250 мкА, VGE = 0 В) |
| Струм Ic (25 °C) | 100 А |
| Струм Ic (100 °C) | 50 А |
| Vce(sat) | 1,6 В тип., 2,2 В макс. (VGE = 15 В, IC = 50 А, Tc = 25 °C) |
| Vge(th) | 4,5 В мін., 6,5 В макс. (VCE = VGE, IC = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 121 нКл (VCC = 520 В, IC = 50 А, VGE = 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 3435 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 437 Вт (Tc = 25 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Діод | є, антипаралельний |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор KGF75N65KDF ( 75N65KDF ) оригінал, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 100 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 75 А |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1,77 В тип. / 2,2 В макс. (Ic 75 А, Vge 15 В, Tc 25 °C) |
| Розсіювана потужність Pd | 484 Вт (Tc 25 °C) |
| Максимальна температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Вбудований діод | так (co-pack) |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.