DXG60N65HSEU оригінальний транзистор, TO247

DXG60N65HSEU – IGBT-транзистор (біполярний транзистор з ізольованим затвором) з вбудованим діодом у корпусі TO-247. За даташитом DXG60N65HSEU (Daxin): напруга колектор–емітер Vces 650 В, струм колектора Ic 120 А при TC = 25 °C і 60 А при TC = 100 °C, імпульсний струм Icm 240 А. Порогова напруга Vge(th) від 4,0 до 5,5 В, напруга затвор–емітер ±30 В. Заряд затвора Qg типово 210 нКл, вхідна ємність Cies типово 2020 пФ. Енергія перемикання при VCC = 400 В, IC = 60 А, RG = 10 Ом: Eon 2,90 мДж, Eoff 1,70 мДж, час спаду tf 75 нс. Стійкість до короткого замикання 10 мкс. Розсіювана потужність Pd 416 Вт (TC = 25 °C), тепловий опір перехід–корпус 0,30 °C/Вт, температура переходу від -55 до +150 °C. Діод: прямий струм 60 А при TC = 100 °C, пряма напруга типово 1,6 В при IF = 60 А, час відновлення trr типово 125 нс.

Оригінал, не демонтаж. Заміну підбирайте за корпусом TO-247 і розпіновкою (1 – G, 2 – C, 3 – E), з напругою не нижче 650 В, струмом не нижче 60 А при 100 °C і з вбудованим діодом. Відправляємо Новою Поштою по всій Україні в день оплати або наступного дня.

Де застосовують

• зварювальні апарати
• індукційний нагрів
• ДБЖ та інші високочастотні пристрої