Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Знято з плати. Перевірено інженером: тестер на пробій та обрив виводів.
IGBT-транзистор 40RR22 ( GT40RR22 ) оригінал демонтаж б/в (1350V,40A), TO3P
169,20 ₴
18 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
18 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
IGBT-транзистор 40RR22 (GT40RR22), 1350 В, 40 А, з вбудованим діодом, корпус TO-3P. Оригінал, демонтаж б/в – знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-3P |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | IGBT-транзистор з вбудованим діодом |
| Напруга Vces | 1350 В |
| Струм колектора | 40 А |
| Потужність Pc | 230 Вт |
| Напруга насичення Vce(sat) | 2,05 В (тип.) |
| Вбудований діод | так |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
40RR22 (GT40RR22) – IGBT-транзистор (біполярний транзистор з ізольованим затвором) з вбудованим діодом у корпусі TO-3P. Точного даташиту на GT40RR22 не знайшли, тому параметри наведено за даташитом найближчої схожої деталі – GT40RR21 (Toshiba) у тому самому корпусі: напруга колектор–емітер Vces 1350 В, напруга затвор–емітер ±25 В. Струм колектора Ic 40 А при 25 °C і 33 А при 100 °C, імпульсний Icp 200 А (3 мкс). Потужність Pc 230 Вт (Tc = 25 °C), тепловий опір перехід–корпус до 0,65 °C/Вт, температура переходу до +175 °C. Напруга насичення Vce(sat) 2,05 В (тип.) при IC = 40 А, час спаду tf 0,21 мкс (тип.). Діод інтегрований у кристал (RC-IGBT): пряма напруга VF 1,75 В (тип.) при IF = 15 А, час відновлення trr 0,60 мкс.
За даташитом GT40RR21 такі транзистори призначені для інверторів з резонансом напруги. Стан: оригінал, демонтаж б/в – знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів. Заміну підбирайте за корпусом TO-3P, напругою не нижче 1350 В, струмом не нижче 40 А і вбудованим діодом. Перед монтажем звірте розпіновку з платою: за даташитом 1 – затвор, 2 – колектор, 3 – емітер. Відправляємо Новою Поштою по всій Україні в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- інвертори з резонансом напруги
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, демонтаж б/в – знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів.
Чим замінити 40RR22?
Шукайте IGBT з вбудованим діодом у корпусі TO-3P, з напругою Vces не нижче 1350 В і струмом не нижче 40 А. Параметри 40RR22 наведено за даташитом GT40RR21, тому перед заміною звірте їх із документацією на ваш пристрій.
Як перевірити IGBT-транзистор?
Мультиметром у режимі перевірки діодів перевірте відсутність пробою між виводами. Роботу в ключовому режимі перевіряють у схемі з навантаженням.
Звідки параметри 40RR22?
Точного даташиту на GT40RR22 не знайшли. Параметри взято з даташиту найближчої схожої деталі – GT40RR21 (Toshiba): напруга, струм і корпус у неї такі самі. Точний збіг усіх значень не гарантуємо.
Найближчий datasheet: GT40RR21 (Toshiba).
Точного даташиту на GT40RR22 не знайдено. Найближчий схожий даташит – GT40RR21 (Toshiba).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
IGBT-транзистор FGH30S130P оригінал демонтаж б/в, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Напруга колектор–емітер Vces | 1300 В (Tc 25 °C) |
| Напруга затвор–емітер Vges | ±25 В |
| Струм колектора Ic | 60 А (Tc 25 °C); 30 А (Tc 100 °C) |
| Імпульсний струм Icm | 90 А (обмежено Tj max) |
| Потужність розсіювання Pd | 500 Вт (Tc 25 °C) |
| Vce(sat) | 1,75 В typ / 2,3 В max (Ic 30 А, Vge 15 В, Tc 25 °C) |
| Робоча температура переходу Tj | -55…+175 °C |
| Заряд затвора Qg | 372,3 нКл (Vce 600 В, Ic 30 А, Vge 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 3345 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор GW60H65DFB ( STGW60H65DFB ) оригінал демонтаж б/в, TO-247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга Vces | 650 В (VGE = 0 В) |
| Струм Ic (100 °C) | 60 А |
| Струм Ic (25 °C) | 80 А (обмежено виводами, кристал 60 А) |
| Імпульсний струм Icp | 240 А |
| Vce(sat) | 1,6 В typ, 2,0 В max (VGE = 15 В, Ic = 60 А, Tj = 25 °C) |
| Потужність Ptot | 375 Вт (TC = 25 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 7792 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Tj max | 175 °C |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор YGP20N65T2 оригінал, TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Luxin Semiconductor (LU SEMI) |
| Тип | IGBT Trench Field Stop з діодом |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vces | 650 В (VGE = 0 В, IC = 1 мА) |
| Струм Ic (25 °C) | 40 А |
| Струм Ic (100 °C) | 20 А |
| Vce(sat) | 1,65 В тип., 2,05 В макс. (VGE = 15 В, IC = 20 А, Tj = 25 °C) |
| Vge(th) | 4,4 / 5,4 / 6,4 В (мін. / тип. / макс.; VGE = VCE, IC = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 45 нКл (VCC = 520 В, IC = 20 А, VGE = 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 1050 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 125 Вт (Tj = 25 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Діод | є, антипаралельний |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.