Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | SOT-32 (TO-126) |
Транзистор BD139 , TO126 ( BD135 , BD137 )
14,10 ₴
44 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
44 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
BD139 – біполярний NPN транзистор STMicroelectronics у корпусі TO-126. Використовують у підсилювачах звуку та драйверних каскадах; комплементарна пара – BD140.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | SOT-32 (TO-126) |
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга колектор–емітер Vceo | 80 В |
| Напруга колектор–база Vcbo | 80 В |
| Напруга емітер–база Vebo | 5 В |
| Струм колектора Ic | 1.5 А |
| Імпульсний струм колектора Icm | 3 А |
| Потужність розсіювання Ptot | 12.5 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Напруга насичення Vce(sat) | 0.5 В при Ic 0.5 А, Ib 0.05 А |
| Коефіцієнт підсилення hFE | 40–250 при Ic 150 мА, Vce 2 В |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Корпус | SOT-32 (TO-126) |
BD139 – біполярний транзистор NPN виробництва STMicroelectronics у корпусі SOT-32 (TO-126). У назві товару вказано також BD135 і BD137.
За даташитом: напруга колектор–емітер Vceo 80 В (Ib 0), напруга колектор–база Vcbo 80 В (Ie 0), напруга емітер–база Vebo 5 В (Ic 0). Постійний струм колектора Ic 1.5 А, імпульсний Icm 3 А, струм бази Ib 0.5 А. Потужність розсіювання Ptot 12.5 Вт при Tc 25 °C (при Tamb 25 °C – 1.25 Вт), температура переходу Tj до 150 °C. Напруга насичення Vce(sat) до 0.5 В при Ic 0.5 А, Ib 0.05 А. Коефіцієнт підсилення hFE 40–250 при Ic 150 мА, Vce 2 В; є групи BD139-10 (63–160) і BD139-16 (100–250).
Щоб підібрати заміну, порівняйте тип (NPN), Vceo, Ic, Ptot і корпус та перевірте розпіновку на платі. У парі до BD139 у двотактних схемах іде PNP-транзистор BD140. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Підсилювачі звуку та драйвери в комплементарних і квазікомплементарних схемах.
Чим замінити BD139?
Дивіться на тип NPN, Vceo 80 В, Ic 1.5 А, Ptot 12.5 Вт і корпус TO-126. Взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet.
Яка пара до BD139 за типом провідності?
Комплементарна PNP-пара – BD140. Вона є в нашому каталозі.
Як перевірити BD139 мультиметром?
Перевірте p-n переходи база–емітер і база–колектор у режимі діода: для NPN плюс щупа ставлять на базу. Пробій або обрив переходу означає несправну деталь.
Що означають групи BD139-10 і BD139-16?
Це групи за коефіцієнтом підсилення hFE при Ic 150 мА, Vce 2 В: BD139-10 – 63–160, BD139-16 – 100–250.
Документація виробника: BD135 - BD136 - BD139 - BD140, Rev 5.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Транзистор BD140 , TO126 ( BD136 , BD138 )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | PNP |
| Напруга колектор–емітер Vceo | -80 В |
| Напруга колектор–база Vcbo | -80 В |
| Напруга емітер–база Vebo | -5 В |
| Струм колектора Ic | -1.5 А |
| Імпульсний струм колектора Icm | -3 А |
| Потужність розсіювання Ptot | 12.5 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Напруга насичення Vce(sat) | -0.5 В при Ic -0.5 А, Ib -0.05 А |
| Коефіцієнт підсилення hFE | 40–250 при Ic -150 мА, Vce -2 В |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Корпус | SOT-32 (TO-126) |
Транзистор HY4008W ( HY4008 ) оригінал (80V,200A),TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vdss | 80 В (Tc 25 °C) |
| Струм Id (25 °C) | 200 А |
| Струм Id (100 °C) | 153 А |
| Rds(on) | 2.9 мОм (тип.), 3.5 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 100 А |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (тип. 3.0 В) при Id 250 мкА |
| Qg | 195 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 7398 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Pd | 397 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | Hooyi (Huayi) |
| Стан | Оригінал |
Схожі товари
Транзистор 2N4403 , to92
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | PNP |
| Напруга колектор–база Vcbo | -40 В (Ta 25 °C) |
| Напруга колектор–емітер Vceo | -40 В (Ta 25 °C) |
| Напруга емітер–база Vebo | -5 В (Ta 25 °C) |
| Струм колектора Ic | -600 мА (Ta 25 °C) |
| Потужність розсіювання Pd | 625 мВт (Ta 25 °C) |
| Гранична частота fT (мін.) | 200 МГц (Vce -10 В, Ic -20 мА, f 100 МГц) |
| Температура переходу Tj | -55…+150 °C |
| Корпус | TO-92 |
Транзистор 2SA1668 оригінал
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | PNP |
| Напруга Vceo | -200 В (Ic -25 мА, Ib 0) |
| Напруга Vcbo | -200 В |
| Напруга Vebo | -6 В |
| Струм колектора Ic | -2 А (постійний) |
| Потужність розсіювання | 25 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| hFE мін. | 60 при Ic -0,7 А, Vce -10 В |
| Vce(sat) макс. | -1.0 В при Ic -0,7 А, Ib -0,07 А |
| fT | 20 МГц при Ie 0,2 А, Vce -12 В |
| Cob | 60 пФ при Vcb -10 В, f 1 МГц |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор 2SA928 ( 2SA928A )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | PNP |
| Напруга Vceo | -30 В |
| Напруга Vcbo | -30 В |
| Струм колектора Ic | -2 А (Ta 25 °C) |
| Потужність розсіювання Pd | 625 мВт (Ta 25 °C) |
| Коефіцієнт підсилення hFE | 100–320 (Ic -0.5 А, Vce -2 В) |
| Напруга насичення Vce(sat) | -0.5 В макс. (Ic -1.5 А, Ib -30 мА) |
| Гранична частота fT | 120 МГц мін. (Vce -5 В, Ic -500 мА) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-92L |
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.