Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор 40WR21 ( GT40WR21 ) оригінал, TO-3P (1800V,40A)
564,00 ₴
4 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
4 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
IGBT-транзистор Toshiba GT40WR21 (40WR21), корпус TO-3P(N), струм колектора 40 А, вбудований зворотний діод. Оригінал.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-3P |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-3P |
| Корпус (докладно) | TO-3P(N) |
| Струм колектора Ic | 40 А (постійний, макс.) |
| Час спаду tf | 150 нс (Ic=40 А, тип.) |
| Час відновлення вбудованого діода trr | 1000 нс (If=15 А, тип.) |
| Максимальна температура переходу Tj | 175 °C (макс.) |
| Розсіювана потужність Pd | 375 Вт (Tc 25 °C) |
| Стан | Оригінал |
GT40WR21 (40WR21) – IGBT-транзистор Toshiba 6.5-го покоління з вбудованим зворотним діодом (RC-IGBT), у корпусі TO-3P(N). Максимальна напруга Vces – 1800 В, струм колектора Ic – 40 А (постійний, за таблицею граничних режимів). Напруга насичення Vce(sat) – 2,9 В типово при Ic=40 А. Час спаду tf – 150 нс при Ic=40 А. Вбудований діод має час відновлення trr 1000 нс при If=15 А. Максимальна температура переходу Tj – 175 °C, розсіювана потужність Pd – 375 Вт при Tc 25 °C.
У продажу – оригінал. Перед встановленням звіряйте маркування GT40WR21 на корпусі. Серед транзисторів цієї категорії в нашому каталозі підтвердженого за характеристиками аналога такого класу напруги немає.
Де застосовують
- Перетворювачі з резонансним перемиканням напруги (Voltage-Resonant Inverter Switching Applications)
Чим замінити 40WR21, якщо немає в наявності?
Серед транзисторів цієї категорії в каталозі немає товару з підтвердженим класом напруги, порівнянним із GT40WR21, тому пряму заміну за характеристиками підібрати неможливо – зверніться до продавця для консультації.
Яка максимальна напруга Vces у 40WR21?
1800 В – за таблицею граничних режимів у даташиті Toshiba (Rev. 3.0, 2018-04-23).
Чи підходить 40WR21 для резонансного перетворювача?
Так, за даними виробника деталь призначена саме для застосувань з резонансним перемиканням напруги.
Як перевірити 40WR21 мультиметром перед встановленням?
У режимі перевірки діода виміряйте падіння напруги між колектором і емітером у прямому й зворотному напрямку та опір затвор-емітер (має бути розімкнено); показання поза нормою або коротке замикання свідчать про пробій.
Документація виробника: GT40WR21 Datasheet, Rev.3.0.
Даташит Toshiba Rev. 3.0: Vces 1800 В, Ic (DC) 40 А, Pc 375 Вт при Tc 25 °C, Tj 175 °C, Vce(sat) 2,9 В тип. при Ic=40 А. Інші значення Vces і Vce(sat) з дистриб'юторських карток не використані.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Діодний міст D25XB80 (Заміна для TS25P06G )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Shindengen Electric Manufacturing |
| Повторювана напруга Vrrm | 800 В |
| Струм If(av) з радіатором | 25 А |
| Струм If(av) на платі | 3,5 А (Ta 25 °C) |
| Ударний струм Ifsm | 350 А (1 цикл, Tj 25 °C) |
| Пряме падіння напруги Vf | 1,05 В (If 12,5 А) |
| Ізоляційна напруга Vdis | 2,5 кВ AC (1 хв) |
| Корпус | SIP (House Name: 5S), однорядне розташування виводів |
| Робоча температура | -40…+150 °C |
Схожі товари
IGBT-транзистор H40R1203 ( IHW40N120R3 ) , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Номер | IHW40N120R3 |
| Маркування | H40R1203 |
| Виробник | Infineon |
| Тип | IGBT-транзистор зі зворотно-провідним діодом |
| Напруга Vces | 1200 В |
| Струм Ic (25 °C) | 80 А |
| Струм Ic (100 °C) | 40 А |
| Vce(sat) | 1,55 В тип. (VGE = 15 В, IC = 40 А, Tvj = 25 °C) |
| Потужність Pd (25 °C) | 429 Вт |
| Вхідна ємність Cies | 2708 пФ |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
IGBT-транзистор KGF75N65KDF ( 75N65KDF ) оригінал, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 100 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 75 А |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1,77 В тип. / 2,2 В макс. (Ic 75 А, Vge 15 В, Tc 25 °C) |
| Розсіювана потужність Pd | 484 Вт (Tc 25 °C) |
| Максимальна температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Вбудований діод | так (co-pack) |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор YGW75N65HP оригінал , TO247(заміна для YGW75N65F1 , YGW75N65T1 , 75N65FL2 , NGTB75N65FL2WG )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Номер | YGW75N65HP |
| Виробник | Luxin Semiconductor (LU SEMI) |
| Тип | IGBT-транзистор Trench Field Stop з діодом |
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм Ic (25 °C) | 150 А |
| Струм Ic (100 °C) | 75 А |
| Vce(sat) | 1,65 В тип. (VGE = 15 В, IC = 75 А, Tj = 25 °C) |
| Потужність Pd (25 °C) | 375 Вт |
| Вхідна ємність Cies | 4700 пФ (Vce 25 В, f 100 кГц) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.