Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор 40QR21 ( GT40QR21 ) оригінал, TO3P
289,99 ₴
3 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
3 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
40QR21 (GT40QR21) – оригінальний IGBT-транзистор Toshiba з вбудованим діодом у корпусі TO-3P(N). Призначений для резонансних інверторів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-3P |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Номер | GT40QR21 |
| Маркування | 40QR21 |
| Виробник | Toshiba |
| Тип | IGBT із вбудованим діодом (RC-IGBT) |
| Напруга Vces | 1200 В |
| Vce(sat) | 1,90 В тип. (Ic 40 А, VGE 15 В, Ta 25 °C) |
| Потужність Pc (Tc 25 °C) | 230 Вт |
| Вхідна ємність Cies | 1500 пФ |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Корпус (докладно) | TO-3P(N) |
| Стан | Оригінал |
40QR21 (GT40QR21) – n-канальний IGBT-транзистор Toshiba з монолітним вбудованим діодом (RC-IGBT), корпус TO-3P(N). Напруга колектор–емітер Vces – 1200 В. Напруга насичення Vce(sat) – 1,90 В типово, 2,70 В макс. (Ic 40 А, VGE 15 В, Ta 25 °C). Вхідна ємність Cies типово 1500 пФ. Потужність розсіювання Pc – 230 Вт при Tc 25 °C, максимальна температура переходу – 175 °C. Час спаду tf – 0,20 мкс типово (Ic 40 А), час відновлення діода trr – 0,60 мкс типово (If 15 А).
Це оригінал, не демонтаж. Виробник призначає деталь для резонансних інверторів з комутацією при нульовій напрузі і зазначає, що для інших застосувань вона не призначена. Якщо підбираєте заміну, порівнюйте Vces, струм колектора, Vce(sat) за однакових умов, наявність діода та корпус. Взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Резонансні інвертори з комутацією при нульовій напрузі
Чим замінити 40QR21?
Підбирайте IGBT у корпусі TO-3P з вбудованим діодом і Vces не нижче 1200 В; струм колектора, Vce(sat) та швидкість комутації порівнюйте за datasheet. Взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чи підходить 40QR21 для будь-якої схеми?
Виробник призначає його для резонансних інверторів з комутацією при нульовій напрузі і зазначає, що для інших застосувань він не призначений.
Що означає GT40QR21?
GT40QR21 – повне позначення Toshiba, 40QR21 – маркування на корпусі. Це один і той самий транзистор.
Документація виробника: GT40QR21(STA1,E,D (TOSHIBA).
Допустимий струм колектора при різних температурах корпуса не підтверджено: таблиця в документі зміщена.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Діодний міст D25XB80 (Заміна для TS25P06G )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Shindengen Electric Manufacturing |
| Повторювана напруга Vrrm | 800 В |
| Струм If(av) з радіатором | 25 А |
| Струм If(av) на платі | 3,5 А (Ta 25 °C) |
| Ударний струм Ifsm | 350 А (1 цикл, Tj 25 °C) |
| Пряме падіння напруги Vf | 1,05 В (If 12,5 А) |
| Ізоляційна напруга Vdis | 2,5 кВ AC (1 хв) |
| Корпус | SIP (House Name: 5S), однорядне розташування виводів |
| Робоча температура | -40…+150 °C |
Схожі товари
IGBT-транзистор 50T65FD1 оригінал ( SGT50T65FD1 , SGT50T65FD1PN )(Заміна для TGAN50N60SFD , 50N60SFD ) , TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 100 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 50 А |
| Імпульсний струм колектора Icm | 150 А |
| Розсіювана потужність Pd (25 °C) | 235 Вт |
| Напруга насичення Vce(sat) | 2.2 В тип. (Ic=50 А, Vge=15 В, Tc=25 °C) |
| Корпус | TO-3P |
| Вбудований діод | Vf 1.95 В (If=25 А), trr 33 нс |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор AOK60B60D1 ( K60B60D1 ) оригінал демонтаж б/в, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Alpha and Omega Semiconductor (AOS) |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм колектора Ic (Product Summary) | 60 А |
| Vce(sat) typ | 1.85 В при Ic=60 А |
| Vge(th) typ | 5.4 В при VCE=5 В, Ic=1 мА |
| Заряд затвора Qg | 75 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 3288 пФ |
| Час спаду tf | 16 нс |
| Стійкість до КЗ tsc | 10 мкс |
| Тепловий опір перехід-корпус | 0.3 °C/Вт |
| Діапазон Tj, Tstg | -55…150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор KGF75N65KDF ( 75N65KDF ) оригінал, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 100 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 75 А |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1,77 В тип. / 2,2 В макс. (Ic 75 А, Vge 15 В, Tc 25 °C) |
| Розсіювана потужність Pd | 484 Вт (Tc 25 °C) |
| Максимальна температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Вбудований діод | так (co-pack) |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.