Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
IGBT-транзистор 40T120FDS ( MBQ40T120FDS )(40A,1200V) , TO247
235,00 ₴
1 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
1 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
40T120FDS (MBQ40T120FDS) – IGBT-транзистор MagnaChip типу Field Stop Trench з вбудованим діодом у корпусі TO-247. Підходить для PFC, UPS та інверторів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 1200 В |
| Струм Ic при Tc 25 °C | 80 А |
| Струм Ic при Tc 100 °C | 40 А |
| Імпульсний струм Icm | 160 А |
| Vce(sat) при Ic 40 А, Vge 15 В, Tc 25 °C | 2.0 В (макс. 2.4 В) |
| Потужність Pd при Tc 25 °C | 357 Вт |
| Заряд затвора Qg | 341 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 6030 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Вбудований діод | так, If 40 А (Tc 100 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | MagnaChip |
40T120FDS (MBQ40T120FDS) – IGBT-транзистор MagnaChip типу Field Stop Trench з вбудованим діодом у корпусі TO-247. Напруга колектор–емітер Vces – 1200 В. Струм колектора Ic – 80 А при Tc 25 °C і 40 А при Tc 100 °C, імпульсний Icm – 160 А (обмежено Tj max). Напруга насичення Vce(sat) – 2.0 В (макс. 2.4 В) при Ic 40 А, Vge 15 В, Tc 25 °C; 2.45 В при Tc 150 °C. Потужність розсіювання Pd – 357 Вт при Tc 25 °C, 142 Вт при 100 °C. Заряд затвора Qg – 341 нКл при Vce 600 В, Ic 40 А, Vge 15 В. Вхідна ємність Cies типово 6030 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц). Максимальна температура переходу – 150 °C.
Нова деталь, не демонтаж. Підбираючи заміну, дивіться на корпус TO-247, напругу 1200 В, струм Ic при Tc 100 °C, наявність вбудованого діода та заряд затвора Qg, від якого залежить навантаження на драйвер. У нашому каталозі є H40R1203 (IHW40N120R3) – зворотно-провідний IGBT з іншим типом комутації, тому дивіться примітку в таблиці аналогів. Відправляємо з Запоріжжя Новою поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- PFC
- UPS
- Інвертори
Заміни з нашого каталогу, підібрані за параметрами datasheet. Не впевнені – надішліть фото плати, підберемо.
| Модель | Чому підходить | Примітка | |
|---|---|---|---|
| IHW40N120R3 | Vces 1200 ≥ 1200, Ic(100 °C) 40 ≥ 0.8×40 = 32, Vce(sat) 25 °C (макс.) 1.75 ≤ 1.3×2.0 = 2.6, діод є в обох, корпус TO-247 = TO-247 | Зворотно-провідний IGBT (H40R1203) для м'якої комутації, не Field Stop з окремим швидким діодом: у схемах із жорсткою комутацією перевіряйте за datasheet. Перевірте драйвер. | Купити |
Вказаний перелік аналогів носить ознайомчий характер. Сумісність треба обов'язково перевіряти самостійно, порівнюючи параметри, вказані в datasheet.
Це нова деталь чи демонтаж?
Нова деталь, не демонтаж.
Чим замінити 40T120FDS?
Шукайте IGBT у корпусі TO-247 з Vces не менше 1200 В, зі струмом Ic при Tc 100 °C не нижче 40 А та з вбудованим діодом. У каталозі є H40R1203 (IHW40N120R3) – див. таблицю аналогів. Взаємозамінність перевіряйте за datasheet.
Для яких схем підходить цей IGBT?
У документі вказані PFC, UPS та інвертори.
Яке маркування на корпусі і який повний номер?
Маркування – 40T120FDS, повний номер за таблицею замовлення в документі – MBQ40T120FDSTH.
Документація виробника: MBQ40T120FDS (MagnaChip).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
IGBT-транзистор 50T65FD1 оригінал ( SGT50T65FD1 , SGT50T65FD1PN )(Заміна для TGAN50N60SFD , 50N60SFD ) , TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 100 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 50 А |
| Імпульсний струм колектора Icm | 150 А |
| Розсіювана потужність Pd (25 °C) | 235 Вт |
| Напруга насичення Vce(sat) | 2.2 В тип. (Ic=50 А, Vge=15 В, Tc=25 °C) |
| Корпус | TO-3P |
| Вбудований діод | Vf 1.95 В (If=25 А), trr 33 нс |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор H25R1202 ( IHW25N120R2 ) оригінал демонтаж б/в, TO-247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Тип | Зворотно-провідний IGBT (soft switching) |
| Напруга Vce | 1200 В |
| Струм Ic (25 °C) | 50 А |
| Струм Ic (100 °C) | 25 А |
| Потужність Ptot (25 °C) | 365 Вт |
| Vce(sat) (тип., IC = 25 А, VGE = 15 В, 25 °C) | 1.6 В |
| Заряд затвора Qg | 60.7 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 2342 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Vf діода (IF = 25 А, 25 °C) | 1.5 В |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор YGP20N65T2 оригінал, TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Luxin Semiconductor (LU SEMI) |
| Тип | IGBT Trench Field Stop з діодом |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vces | 650 В (VGE = 0 В, IC = 1 мА) |
| Струм Ic (25 °C) | 40 А |
| Струм Ic (100 °C) | 20 А |
| Vce(sat) | 1,65 В тип., 2,05 В макс. (VGE = 15 В, IC = 20 А, Tj = 25 °C) |
| Vge(th) | 4,4 / 5,4 / 6,4 В (мін. / тип. / макс.; VGE = VCE, IC = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 45 нКл (VCC = 520 В, IC = 20 А, VGE = 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 1050 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 125 Вт (Tj = 25 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Діод | є, антипаралельний |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор YGW75N65HP оригінал , TO247(заміна для YGW75N65F1 , YGW75N65T1 , 75N65FL2 , NGTB75N65FL2WG )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Номер | YGW75N65HP |
| Виробник | Luxin Semiconductor (LU SEMI) |
| Тип | IGBT-транзистор Trench Field Stop з діодом |
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм Ic (25 °C) | 150 А |
| Струм Ic (100 °C) | 75 А |
| Vce(sat) | 1,65 В тип. (VGE = 15 В, IC = 75 А, Tj = 25 °C) |
| Потужність Pd (25 °C) | 375 Вт |
| Вхідна ємність Cies | 4700 пФ (Vce 25 В, f 100 кГц) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.